【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅单晶炉
[0001]本专利技术涉及碳化硅单晶炉
，尤其涉及一种碳化硅单晶炉。
技术介绍
[0002]碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。
[0003]单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。
[0004]现有技术中用于制备碳化硅的单晶炉，如中国专利公开号CN111850678A所述的一种涉及单晶炉的领域，尤其是一种单晶炉用副炉室升降与旋转装置，设置在主炉室的一侧并与副炉室相连接，包括支撑架、升降机构、旋转机构和连接副炉室的连接机构，所述的支撑架与主炉室机架相连...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅单晶炉，其特征在于：包括反应区(1)，所述反应区(1)包括反应坩埚(11)，所述反应坩埚(11)的外侧配置有反应罩(12)，所述反应罩(12)外套设有感应线圈(13)，所述感应线圈(13)上配置有第一升降组件(131)，所述反应坩埚(11)的底部配置有用于升降所述反应坩埚(11)的第二升降组件(111)以及用于旋转所述反应坩埚(11)的旋转组件(112)；所述第一升降组件(131)包括定位丝杆(1311)、第一滑块(1312)、移动丝杆(1313)以及固定支架(1314)，所述定位丝杆(1311)以及所述移动丝杆(1313)位于所述固定支架(1314)上，所述第一滑块(1312)穿过所述定位丝杆(1311)且在所述定位丝杆(1311)上滑动，所述第一滑块(1312)的一侧与所述感应线圈(13)连接，所述第一滑块(1312)的另一侧与所述移动丝杆(1313)连接，所述固定支架(1314)上配置有用于驱动所述第一滑块(1312)移动的电力组件(1315)。2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶炉，其特征在于：所述第二升降组件(111)包括升降支架(1111)、马达(1112)、蜗轮(1113)以及蜗杆(1114)，所述反应坩埚(11)的底部配置有底板(114)，所述反应坩埚(11)以及所述底板(114)之间连接有连接杆(113)；所述马达(1112)、所述蜗轮(1113)以及所述蜗杆(1114)安装在所述升降支架(1111)的底部，所述马达(1112)与所述蜗轮(1113)连接，所述蜗杆(1114)与所述底板(114)连接，所述蜗杆(1114)通过所述马达(1112)带动所述蜗轮(1113)转动从而带动所述蜗杆(1114)升降；所述第二升降组件(111)还包括减振组件、定位滑轨(1119)以及定位滑块(1110)，所述定位滑轨(1119)以及所述定位滑块(1110)安装在所述升降支架(1111)上，位于所述蜗杆(1114)的两侧，所述定位滑轨(1119)的两端设置有第一限位器(6)；所述减振组件包括减振板(1115)以及连接板(1116)，所述减振板(1115)安装在所述底板(114)的底部两侧，所述连接板(1116)安装在所述定位滑块(1110)上，所述减振板(1115)与所述连接板(1116)之间配置有减振弹簧(1117)；两个所述连接板(1116)之间还连接有蜗杆固定板(115)，所述蜗杆固定板(115)上设置有固定孔(116)，所述蜗杆(1114)固定在所述蜗杆固定板(115)的所述固定孔(1151)内；所述第二升降组件(111)还包括限位杆(1118)，所述定位滑轨(1119)上设置有定位孔，所述限位杆(1118)插设在所述定位滑轨(1119)的所述定位孔上，位于所述定位滑块(1110)的下方。3.根据权利要求2所述的碳化硅单晶炉，其特征在于：还包括旋转组件(112)，所述旋转组件(112)位于所述底板(114)的底部中心位置上，所述旋转组件包括旋转杆(1121)，所述旋转杆(1121)与所述连接杆(113)连接；所述旋转组件(112)还包括主动齿轮(1122)以及从动齿轮(1123)，所述主动齿轮(1122)以及所述齿轮之间通过皮带(1125)连接，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：龙博腾，
申请(专利权)人：厦门天三半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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