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一种碳化硅单晶炉制造技术
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下载一种碳化硅单晶炉的技术资料
文档序号:37391785
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本发明公开了一种碳化硅单晶炉,属于碳化硅单晶炉技术领域,包括反应区,反应区包括反应坩埚,反应坩埚的外侧配置有反应罩,反应罩外套设有感应线圈,感应线圈上配置有第一升降组件,反应坩埚的底部配置有用于升降反应坩埚的第二升降组件以及用于旋转反应坩埚...
该专利属于厦门天三半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门天三半导体有限公司授权不得商用。
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