一种低损耗微波介质陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术涉及陶瓷材料领域，具体为一种低损耗微波介质陶瓷及其制备方法，其化学表达式为：AZr(Nb

【技术实现步骤摘要】
一种低损耗微波介质陶瓷及其制备方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷材料领域，具体为一种低损耗微波介质陶瓷及其制备方法。

技术介绍

[0002]无线通讯技术的蓬勃发展推动微波技术在各个领域(如卫星通讯、各类移动终端设备、军用雷达等)的不断拓展。随着5G系统频段的开通与拓宽，高性能移动设备要求微波器件向着更加集成、高频化等方向发展，其中作为介质材料的微波介电性能的提升刻不容缓。
[0003]ZnZrNb2O8陶瓷最先由Q.Liao等人发现研究并得到广泛拓展。随后S.D.Ramarao等人研究了AZrNb2O8(A:Mn，Mg，Zn，Co)系陶瓷并重点研究了微波介电性能与相关结构参数变化之间的联系。H.T.Wu等人利用离子极化率、键能、键价和八面体畸变来解释AZrNb2O8(A:Zn，Co，Mg，Mn)系陶瓷性能的变化规律，其中的ZnZrNb2O8陶瓷在1325℃烧结下的性能良好。然而，AZrNb2O8系陶瓷较高的烧结温度和较大的介电损耗限制了其进一步应用。

技术实现思路

[0004]专利技术目的：针对上述技术趋势，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低损耗微波介质陶瓷，其特征在于，其化学表达式为：AZr(Nb
x
B1‑
x
)2O8‑
αBiNbO4‑
β烧结助剂A为Sm、Mn、Zn、Mg、Ni或Co中的任意一种或多种组合；B为Ta或Sb；x为0.9
‑
0.95；所述烧结助剂为金属氧化物；α和β分别代表BiNbO4和烧结助剂占AZr(Nb
x
B1‑
x
)2O8的质量百分数；α为3
‑
6％；β为0.1
‑
1％。2.如权利要求1所述的低损耗微波介质陶瓷，其特征在于，A为Zn。3.如权利要求1所述的低损耗微波介质陶瓷，其特征在于，B为Ta。4.如权利要求1所述的低损耗微波介质陶瓷，其特征在于，x为0.95。5.如权利要求1所述的低损耗微波介质陶瓷，其特征在于，α为3.5％。6.如权利要求1所述的低损耗微波介质陶瓷，其特征在于，β为0.8％。7.如权利要求1所述的低损耗微波介质陶瓷，其特征在于，所述烧结助剂为ZnO、B2O3、CuO、BaO、V2O5、CaO、La2O3、Li2O中的任意一种或多种组合。8.如权利要求7所述的低损耗微波介质陶瓷，其特征在于，所述烧结助剂为B2O3、CuO...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖峰，
申请(专利权)人：湖南省新化县建平精细陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：