一种Li-Mg-Mo基单相超低温陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术属于功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种Li

【技术实现步骤摘要】
一种Li
‑
Mg
‑
Mo基单相超低温陶瓷材料及其制备方法


[0001]本专利技术属于功能陶瓷材料
，具体涉及一种Li
‑
Mg
‑
Mo基单相超低温陶瓷材料及其制备方法，分子式为Li2Mg2‑
x
Na
2x
Mo3O
12
，具有超低的烧结温度和高Q
×
f值，可同时作为微波和太赫兹极化选择器的基板材料。

技术介绍

[0002]在微波和太赫兹频段的通信系统中，极化选择器件通常用作5G/6G基站的天线罩。常规天线一般具有固定极化模式(包括圆极化CP、线极化LP和椭圆极化EP)，否则无法满足工作环境中规定极化的要求，这极大的促进了极化选择器件的发展。高效、高频、多频段和低延迟已成为当前的追求指标。基于这些指标的考虑，在微波和太赫兹频段同时具有优异介电性能的陶瓷材料显示出巨大的潜力。其优异的微波介电特性和太赫兹传输特性意味着有机会从衬底角度实现5G/6G的极化选择要求。
[0003]陶瓷工艺被分为超低温共本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Li
‑
Mg
‑
Mo基单相超低温陶瓷材料，其特征在于：分子式为Li2Mg2‑
x
Na
2x
Mo3O
12
，0.03≤x≤0.12；采用固相法将各元素组分原料先在550℃～590℃预烧，压制成型后再于600℃～650℃下烧结烧结制备。2.如权利要求1所述Li
‑
Mg
‑
Mo基单相超低温陶瓷材料，其特征在于：所述x＝0.09，560℃预烧，625℃烧结；对应所得Li2Mg
0.91
Na
0.18
Mo3O
12
超低温陶瓷材料的微波介电性能为：ε
r
＝7.9,Q
×
f＝43844GHz,τ
f
＝
‑
48.3ppm/℃；太赫兹传输性能为：ε
r1
＝7.4,tanσ1＝0.0158,T
coefficient
＝0.598。3.如权利要求1所述Li
‑
Mg
‑
Mo基单相超低温陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、按分子式Li2Mg2‑
x
Na
2x
Mo3O
12
使...

【专利技术属性】
技术研发人员：李元勋，李馥余，韩莉坤，刘新研，陆永成，廖宇龙，文岐业，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：