氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及低反射、耐化学性及耐热性优秀的氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置。该薄膜的薄膜晶体管及显示装置。

【技术实现步骤摘要】
氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置


[0001]本专利技术涉及低反射、耐化学性及耐热性优秀的氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置。

技术介绍

[0002]通常，平板显示器(FPD，flat panel display)、触摸屏面板、太阳能电池、发光二极管(LED，light emitting diode)、有机发光二极管(OLED，organic light emitting diode)使用低反射率的导电薄膜。
[0003]作为代表性的材料有氧化铟锡(ITO，In2O3‑
SnO2)，氧化铟锡组合物用于形成可视光线透射度及导电率较高的导电薄膜。虽然，这种氧化铟锡组合物具备优秀的低反射性能，但是，存在其经济性低下的问题，因此，正持续研究代替所有氧化铟或部分氧化铟的材料。
[0004]然而，在这种研究中，所关注的部分主要涉及由靶材形成的薄膜的低反射率，除此之外，当长时间使用时，实际上需要考虑耐化学性、耐热性等特性，以便增加薄膜的可靠性。<br/>[0005]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化物烧结体，其特征在于，包含：氧化钼M1，包含MoO2和MoO3，在上述MoO2及MoO3中，MoO2的含量为50重量百分比至90重量百分比；第一金属氧化物M2，包含选自由Nb、Ta、Zr、Ti、Sn及W组成的组中的一种以上的第一元素；第二金属氧化物M3，包含选自由In、Ga、Si及Zn组成的组中的一种以上的第二元素；以及选自由Mo、Ti、Cr、W及Cu组成的组中的一种以上的金属M4，相对于相应烧结体的总重量，至少包含60重量百分比以上的氧化钼M1。2.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，相对于100重量百分比的相应氧化物烧结体，包含1.0重量百分比至5.0重量百分比的上述金属M4。3.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，上述第一金属氧化物M2包含选自由Nb2O5、Ta2O5、ZrO2、TiO2、SnO2及WO3组成的组中的一种以上。4.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，相对于100重量百分比的相应氧化物烧结体，包含15重量百分比以上的上述第一金属氧化物M2，为满足100重量百分比的相应烧结体的余量范围。5.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，上述第二金属氧化物M3包含选自由In2O3、Ga2O3、SiO2及ZnO...

【专利技术属性】
技术研发人员：李孝元，李丞苡，黃炳辰，张逢中，田奉埈，秦承铉，朴宰成，杨丞浩，
申请(专利权)人：LT金属株式会社，
类型：发明
国别省市：