【技术实现步骤摘要】
一种非接触式测量装置及磨削设备
[0001]本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种非接触式测量装置及磨削设备。
技术介绍
[0002]晶圆减薄是芯片封装制程中的重要工序,在晶圆被分割为半导体芯片之前,需要使用晶圆减磨削薄设备中装载有金刚石砂轮的磨削主轴,将不包含电子电路的晶圆背面磨削减薄到预定的厚度,以满足芯片封装所需厚度要求。而晶圆的超精密磨削减薄设备中,除了装载有通过不同物理表面高低落差原理计算晶圆厚度的接触式测量装置外,还需要装载有更高分辨率的非接触式测量装置进行厚度测量。
[0003]在磨削作业中,金刚石砂轮与硅片的接触将会飞溅出带有大量颗粒污染物的废液,而现有技术中的非接触式测量装置会受到废液飞溅污染,含有大量颗粒污染物的废液会堵塞非接触式测量装置的运动机构,进而影响非接触式测量装置的动作精度,甚至使非接触式测量装置产生故障损坏。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种非接触式测量装置及磨削设备,以解决现有技术中含有大量颗粒污染物的废液会堵塞非接触式测量装置的运动机构,进 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种非接触式测量装置,其特征在于,包括支撑件(1)以及:旋转机构(2),所述旋转机构(2)包括驱动电机(21)、连接件(22)、旋转轴(23)、底板(24)和摆臂(25),所述连接件(22)和所述底板(24)均设于所述支撑件(1)上,所述驱动电机(21)设于所述连接件(22)上;所述驱动电机(21)的驱动端连接所述旋转轴(23),用于驱动所述旋转轴(23)旋转;所述旋转轴(23)远离所述驱动电机(21)的一端沿竖直方向向下穿过所述底板(24)后连接所述摆臂(25)的一端,且所述摆臂(25)沿水平方向延伸设置;所述底板(24)上还设置有气管接头(26),气体能够通过所述气管接头(26)进入所述底板(24)与所述旋转轴(23)之间的缝隙;光学探头(3),所述光学探头(3)设于所述摆臂(25)的另一端,用于对待测量件的厚度进行测量。2.根据权利要求1所述的非接触式测量装置,其特征在于,所述底板(24)沿所述竖直方向设置有第一通道(241),所述旋转轴(23)能够穿过所述第一通道(241);所述底板(24)沿所述水平方向设置有第二通道(242),所述第二通道(242)的一端连通所述气管接头(26),所述第二通道(242)的另一端连通所述第一通道(241)。3.根据权利要求2所述的非接触式测量装置,其特征在于,所述底板(24)上的所述第一通道(241)沿所述竖直方向向下延伸设置。4.根据权利要求2所述的非接触式测量装置,其特征在于,所述第一通道(241)的内壁上开设有凹槽,所述凹槽内设置有密封环(243),所述密封环(243)用于密封所述第一通道(241)与所述旋转轴(23)之间的缝隙;所述凹槽设于所述第二通道(242)的上方。5.根据权利要求1所述的非接触式测量装置,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:万先进,梁志远,边逸军,
申请(专利权)人:宁波芯丰精密科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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