【技术实现步骤摘要】
减少光刻胶使用量的方法及其应用
[0001]本专利技术涉及半导体制造及光伏电池
，特别是涉及一种减少光刻胶使用量的方法及其应用。
技术介绍
[0002]在半导体制造以及光伏电池
，经常需要使用光刻胶。然而，由于光刻胶的成本较高，导致生产成本也较高。因此，减少光刻胶的使用量是目前降低生产成本的一种可行的方法。
[0003]在半导体先进封装制程中，RDL(Re
‑
Distribution Layer)重布线层作为晶圆级封装中的核心技术，起着XY平面电气延伸和互联的作用。其中，RDL重布线层的制备工艺为：先在衬底整面上涂布一层光刻胶并烘干，然后对烘干后的光刻胶进行曝光和显影，以使光刻胶形成孔隙，最后通过电镀在孔隙中形成一定厚度的铜线。其中，非曝光区的光刻胶作为保护层，防止在后续电镀过程中电镀液渗透。
[0004]然而，在上述制备RDL重布线层的工艺中，铜线占用整个衬底的面积不到30％，这意味着光刻胶实际发挥光刻作用的地方不足30％，其他非曝光区的光刻胶在电镀过程只发挥阻挡作用，最后被简...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种减少光刻胶使用量的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成第一光刻胶湿膜；加热所述第一光刻胶湿膜，得到第一光刻胶层；通过第一印刷网版在所述第一光刻胶层上印刷，得到第二光刻胶湿膜；加热所述第二光刻胶湿膜，得到第二光刻胶层，其中，所述第二光刻胶层具有开孔，部分所述第一光刻胶层暴露于所述开孔；以及对所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层的叠加区域通过光掩膜版进行对准曝光，然后显影，以使显影后的所述第二光刻胶层和显影后的所述第一光刻胶层共同形成图形化光刻胶层，其中，所述图形化光刻胶层具有孔隙，且部分所述衬底暴露于所述孔隙。2.如权利要求1所述的减少光刻胶使用量的方法，其特征在于，所述方法包括以下(1)～(2)中的至少一项：(1)所述第一光刻胶湿膜的厚度为8μm～10μm；(2)所述第二光刻胶湿膜的厚度为30μm～50μm。3.如权利要求1所述的减少光刻胶使用量的方法，其特征在于，所述方法包括以下(1)～(2)中的至少一项：(1)加热所述第一光刻胶湿膜具体包括以下步骤：在所述衬底远离所述第一光刻胶湿膜的一侧对所述第一光刻胶湿膜进行烘烤；其中，所述烘烤的温度为80℃～90℃，所述烘烤的时间为60s～120s；(2)加热所述第二光刻胶湿膜具体包括以下步骤：在所述衬底远离所述第二光刻胶湿膜的一侧对所述第二光刻胶湿膜进行烘烤；其中，所述烘烤的温度为90℃～110℃，所述烘烤的时间为180s～240s。4.如权利要求1至3中任一项所述的减少光刻胶使用量的方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一光刻胶湿膜具体包括以下步骤：通过全透孔印刷网版在所述衬底其中一整面上印刷，得到所述第一光刻胶湿膜。5.如权利要求4所述的减少光刻胶使用量的方法，其特征在于，通过全透孔印刷网版在所述衬底其中一整面上印刷具体包括以下步骤：将形状和大小与所述衬底相同的所述全透孔印刷网版贴合在所述衬底的其中一表面上，并通过对位标记使所述全透孔印刷网版与所述衬底对准；以及将光刻胶涂覆在所述全透孔印刷网版上，通过在所述全透孔印刷网版上拉动刮板的方式，挤压所述光刻胶而使所述光刻胶通过所述全透孔印刷网版的丝网网孔到达所述衬底上。6.如权利要求1至3中任一项所述的减少光刻胶使用量的方法，其特征在于，通过第一印刷网版在所述第一光刻胶层上印刷具体包括以下步骤：将形状和大小与所述衬底相同的所述第一印刷网版贴合在所述第一光刻胶层的表面上，并通过对位标记使所述第一印刷网版与所述第一光刻胶层对准；以及将光刻胶涂覆在所述第一印刷网版上，通过在所述第一印刷网版上拉动刮板的方式，挤压所述光刻胶而使所述光刻胶通过所述第一印刷网版的丝网网孔到达所述第一光刻胶层上。7.一种减少光刻胶使用量的方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：余亮，高晓义，
申请(专利权)人：上海飞凯材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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