半导体结构的制造方法及半导体结构技术

本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，方法包括：将衬底置于转轴上，衬底随着转轴按预设转速旋转；沿垂直于衬底所在平面的方向对衬底施加磁场；在施加磁场期间，在衬底上形成第一掩膜层，第一掩膜层中掺杂有带电粒子，带电粒子在磁场中所受的磁场力的方向指向第一掩膜层的中心；本申请通过在第一掩膜层中掺杂带电粒子，并且沿垂直于衬底所在平面的方向施加磁场，使得第一掩膜层中的带电粒子受到一个指向第一掩膜层的中心的磁场力，即增大了第一掩膜层的向心力，减小第一掩膜层靠近外侧的甩出量，提高第一掩膜层厚度的均匀性，避免显影后线宽及开孔大小不均，提高了制程稳定性。定性。定性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法及半导体结构


[0001]本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的制造方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]在半导体制造领域中，通常采用光刻技术在衬底上形成所需的图案，并使用形成的图案作为掩膜来蚀刻材料层，从而制造半导体器件。当采用旋涂工艺在衬底上形成第一掩膜层时，因边缘的速度快，离心力大，使得第一掩膜层越靠近外侧，被甩出去的量越多，膜层厚度越薄。由于膜层厚度不均，显影后会导致线宽及开孔大小不均，临界尺寸有超出规格的风险，而且还可能会导致线短路或断路，不利于制程稳定。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请的主要目的在于提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，用于解决在旋涂第一掩膜层时，膜层厚度不均，显影后导致线宽及开孔大小不均，不利于制程稳定的技术问题。
[0004]为达到上述目的，本申请的技术方案是这样实现的：本申请实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：将衬底置于转轴上，所述衬底随着所述转轴按预设转速旋转；沿垂直于所述衬底所在平面的方向对所述衬底施加磁场；在施加所述磁场期间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：将衬底置于转轴上，所述衬底随着所述转轴按预设转速旋转；沿垂直于所述衬底所在平面的方向对所述衬底施加磁场；在施加所述磁场期间，在所述衬底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层中掺杂有带电粒子，所述带电粒子在所述磁场中所受的磁场力的方向指向所述第一掩膜层的中心。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述带电粒子带正电，所述磁场的磁感线方向由所述衬底指向所述第一掩膜层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述带电粒子包括氢离子、碳离子、氮离子中的至少一种。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述带电粒子带负电，所述磁场的磁感线方向由所述第一掩膜层指向所述衬底。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述带电粒子包括氧离子、电子中的至少一种。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沿垂直于所述衬底所在平面的方向对所述衬底施加磁场，包括：沿垂直于所述衬底所在平面的方向对所述衬底施加...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘瑶，赵连昆，
申请(专利权)人：湖北江城芯片中试服务有限公司，
类型：发明
国别省市：