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本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，方法包括：将衬底置于转轴上，衬底随着转轴按预设转速旋转；沿垂直于衬底所在平面的方向对衬底施加磁场；在施加磁场期间，在衬底上形成第一掩膜层，第一掩膜层中掺杂有带电粒子，带电粒子在磁场中所受的磁场...
该专利属于湖北江城芯片中试服务有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北江城芯片中试服务有限公司授权不得商用。

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