一种微型LED电极及其制备方法和微型LED芯片技术

本申请提供一种微型LED电极及其制备方法和微型LED芯片，涉及微型LED芯片技术领域。该微型LED电极包括依次层叠设置的Ti接触层、Al合金层、Ti阻挡层和顶层金属层；所述Al合金层包括含掺杂金属的Al金属层。该微型LED电极的制备方法包括：使用双枪电子束蒸发的方式来制备Al合金层；所述Ti接触层、Ti阻挡层和顶层金属层使用热蒸发、单枪电子束蒸发或者磁控溅射的方式来制备。本申请的微型LED芯片中包括微型LED外延片和上述微型LED电极。通过在Al金属层中添加掺杂金属，避免因Al层凸起而导致的芯片产品不合格，减少了膜层间的应力影响。减少了膜层间的应力影响。减少了膜层间的应力影响。

【技术实现步骤摘要】
一种微型LED电极及其制备方法和微型LED芯片


[0001]本申请涉及微型LED芯片
，尤其涉及一种微型LED电极及其制备方法和微型LED芯片。

技术介绍

[0002]微型LED显示技术是将传统的LED芯片结构进行微缩化和阵列化，并采用CMOS集成电路工艺制作驱动电路，将阵列化的LED芯片批量转移至驱动电路，从而实现对每一个像素点的定址控制和单独驱动的显示技术。
[0003]在微型LED行业中，为了实现高密度的阵列与基于CMOS工艺的驱动电路之间的互连封装和最终的主动驱动，要求每个微型LED像素都具有电极，且电极都能与驱动电路对应的电极焊盘进行有效连接封装。在进行电极的制备时，常常采用电子束蒸发制备得到Ti/Al/Ti层的电极，然后在电极表面通过化学气相沉积法再沉积一层Si
x
N
y
层，一方面对电极进行保护，一方面将其作为ICP刻蚀的掩膜层，避免了去除掩膜工艺时对电极造成损伤，使得最终在表面能漏出电极贴片。
[0004]然而，现有的电极上进行了化学气相沉积之后，叠加的沉积膜层中明显出现了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型LED电极，其特征在于，包括依次层叠设置的Ti接触层、Al合金层、Ti阻挡层和顶层金属层；所述Al合金层包括含掺杂金属和Al的混合金属层。2.如权利要求1所述的微型LED电极，其特征在于，所述掺杂金属的熔点在1000℃以上；优选1500℃以上。3.如权利要求2所述的微型LED电极，其特征在于，所述掺杂金属包括Cu、Pt、Ti、Zr中的至少一种。4.如权利要求1所述的微型LED电极，其特征在于，所述掺杂金属的质量占所述Al合金层的总质量的0.05％
‑
5％。5.如权利要求1所述的微型LED电极，其特征在于，所述Ti接触层的厚度为20nm
‑
40nm；和/或，所述顶层金属层的厚度为25nm
‑
50nm。6.如权利要求1所述的微型LED电极，其特征在于，所述Al合金层的厚度为150nm
‑
1300nm。7.如权利要求1所述的微型LED电极，其特征在于，所述Ti阻挡层的厚度为20nm
‑
50nm。8.如权利要求1
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7任一项所述的微型LED电极，其特征在于，所述Ti接触层和所述Ti阻挡层均是Ti金属层，所述顶层金属层包括Au金属层或Pt金属层。9.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡政银，李晗光，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：