发光二极管及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其外延结构包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；第一类型半导体层包括第一类型窗口层，第一类型窗口层的一侧设置有第一类型欧姆接触层；第一类型欧姆接触层的材料为Al

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及发光装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种发光二极管及发光装置。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)为半导体发光元件，通常是由如GaN、GaAs、GaP、GaAsP、AlGaInP等半导体制成，其核心是具有发光特性的PN结。LED具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。
[0003]发光二极管的发光颜色和半导体的材料有着紧密联系，通过采用不同的半导体材料和结构，发光二极管能够覆盖从紫外到红外的全色范围。高亮度铝镓铟磷红光LED是近年来广泛发展的一种常见可见光LED，铝镓铟磷四元红光LED具有电流承受能力强、发光效率高以及耐高温等诸多优点，在照明、显示、指示灯中的应用具有不可替代的地位，广泛应用于照明的各个领域。
[0004]目前，在红光发光二极管中，一般采用AlGaInP(铝镓铟磷)四元材料制备而成，其中，外延结构的N端的AL组份越低势垒越低电压越低，但其本征波长也随之增长，而本征波长越长对LE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，所述外延结构沿所述第一表面到所述第二表面的方向依次包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；所述第一类型半导体层至少包括第一类型窗口层，所述第一类型窗口层的一侧设置有第一类型欧姆接触层，所述第一类型窗口层位于所述第一类型欧姆接触层与所述有源层之间；所述第一类型欧姆接触层的材料为Al
x1
Ga
y1
InP，0≤x1≤1，0≤y1≤1；所述第一类型窗口层的材料为Al
x2
Ga
y2
InP，0≤x2≤1，0≤y2≤1；其中，所述第一类型欧姆接触层中Al的含量小于所述第一类型窗口层Al的含量。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述Al
x1
Ga
y1
InP和Al
x2
Ga
y2
InP中，X2‑
X1≥0.2。3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述Al
x1
Ga
y1
InP和Al
x2
Ga
y2
InP中X1的范围为0.2～1，X2的范围为0～0.8。4.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述Al
x1
Ga
y1
InP和Al
x2
Ga
y2
InP中X1的范围为0.5～1，X2的范围为0.2～0.5。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一类型欧姆接触层的厚度大于300A且小于所述第一类型窗口层厚度。6.根据权利要求1或4所述的发光二极管，其特征在于：所述第一类型窗口层厚度为小于5μm。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一类型欧姆接触层为N型掺杂，所述第一类型窗口层为N型掺杂，所述第一类型窗口层的掺杂浓度低于所述第一类型欧姆接触层的掺杂浓度。8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述第一类型欧姆接触层的掺杂浓度大于4E+18/cm3，所述第一类型窗口层的掺杂浓度为4E+17～4E+18。9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一类型窗口层由所述第一类型半导体层至所述有源...

【专利技术属性】
技术研发人员：李维环，陈劲华，高鹏，宁甫阳，刘晓峰，彭钰仁，郭桓邵，王笃祥，张家宏，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：