一种深紫外LED芯片结构的制备方法技术

本发明专利技术涉及深紫外LED芯片技术领域，尤其涉及一种深紫外LED芯片结构的制备方法。本发明专利技术提供的制备方法通过匹配n型欧姆接触层倾斜面与水平面之间的夹角为65~80

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外LED芯片结构的制备方法


[0001]本专利技术涉及深紫外LED芯片
，尤其涉及一种深紫外LED芯片结构的制备方法。

技术介绍

[0002]目前，人们对消毒产品也越来越重视，深紫外光照射是广泛应用的杀菌消毒手段。深紫外LED是新一代的深紫外光源，相较于传统深紫高压汞灯优点明显，其具有寿命长、多波长可选，不含汞、更环保、出光指向性强等诸多优点，波长200~280nm的短波深紫外LED，应用市场广阔，比如水和空气净化、杀菌处理、医学仪器、高密度光学数据存储和通信系统等领域。因此，对深紫外LED的工业化开发得到了重视，以AlGaN材料为有源区的深紫外LED是实现该波段深紫外LED器件产品的理想材料，具有其它传统紫外光源无法比拟的优势。
[0003]但是，就目前深紫外LED的低光提取效率仍然不能满足目前的应用要求，主要是P型GaN层对有源层激发的光源，吸收程度在50%以上，导致深紫外LED的出光功率仅为2~3%左右。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种深紫外LED芯片结构的制备方法。所述制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深紫外LED芯片结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底表面生长前驱外延结构；所述前驱外延结构包括依次层叠设置的AlN层、N型AlGaN层、量子阱有源层、P型AlGaN层和P型GaN层；在所述P型GaN层的表面沉积SiO2保护层后，进行MESA光刻处理，得到具有MESA图形的SiO2保护层；按照所述MESA图形，沿所述P型GaN层至N型AlGaN层依次进行第一刻蚀，去除光刻胶后，进行第二刻蚀，去除具有MESA图形的SiO2保护层；所述第一刻蚀得到的倾斜面与水平面之间的夹角为θ，所述θ=71~83
°
，所述第二刻蚀得到的倾斜面与水平面之间的夹角为β，所述β=73~85
°
；在裸露的N型AlGaN层表面、P型GaN层和第二刻蚀得到的倾斜面的表面沉积SiO2层后，依次进行光刻、刻蚀，得到具有倾斜面的SiO2层，所述SiO2层的倾斜面与水平面的夹角为W，所述W=65~80
°
；分别在裸露的N型AlGaN层表面制备n型欧姆接触层，在裸露的P型GaN层表面制备p型欧姆接触层后，同时在所述n型欧姆接触层的表面沉积倒梯形金属铝反射电极层和在p型欧姆接触层的表面沉积金属铝反射电极层，得到所述深紫外LED芯片结构。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述MESA光刻处理包括：在所述SiO2保护层的表面涂覆光刻正胶后，进行湿法腐蚀；所述湿法腐蚀采用的腐蚀液为BOE溶液，所述BOE溶液中NH4F和HF的浓度比为6:1。3.如权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：至芯半导体杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：