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本发明涉及深紫外LED芯片技术领域，尤其涉及一种深紫外LED芯片结构的制备方法。本发明提供的制备方法通过匹配n型欧姆接触层倾斜面与水平面之间的夹角为65~80
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该专利属于至芯半导体（杭州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过至芯半导体（杭州）有限公司授权不得商用。

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