【技术实现步骤摘要】
一种反应烧结碳化硅陶瓷造粒粉料的制备方法
[0001]本专利技术涉及反应烧结碳化硅陶瓷造粒粉料,具体涉及一种反应烧结碳化硅陶瓷造粒粉料的制备方法。
技术介绍
[0002]反应烧结SiC陶瓷具有优良的物理化学性能,在石油化工、航空航天、机械制造、微电子、汽车、钢铁、核工业等领域都得到广泛应用。
[0003]目前,反应烧结碳化硅陶瓷的许多工业生产采用湿压、注浆成型工艺,该成型工艺的主要缺点是坯体强度低、干燥收缩率大、坯体密度分布不均匀,使得制品存在成品率低下以及尺寸精度差等问题。不利于高精度工件的生产。
[0004]干压成型工艺克服了湿压、浇筑成型等方法的不足,可制备均匀密实的生坯而备受关注。
技术实现思路
[0005]本专利技术针对现有技术的缺点,设计了一种反应烧结碳化硅陶瓷造粒粉料的制备方法,粒粉颗粒中添加有石墨(固体润滑剂),在干压成形过程中,碳化硅颗粒能够向密度小的区域滑动,使成形体的密度更加均匀,以解决碳化硅陶瓷烧结后的性能不稳定和成品率不高的难题。
[0006]本专利技术公开的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种反应烧结碳化硅陶瓷造粒粉料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤,(1)配置预混液:将初粘剂、陶瓷干压粘接剂、润滑剂、助压剂、分散剂溶解于去离子水中,搅拌,使预混液混合均匀;(2)混合球磨:将预混液、炭黑和石墨装入球磨罐中,初次球磨后,再加入碳化硅粉,再次球磨,得到一定固相分数的碳化硅/炭黑稳定浆料;(3)真空除气:浆料在真空度为
‑
0.09MPa下除气15
±
5min,排除浆料中的气泡;(4)将制备好的碳化硅/炭黑稳定浆料压入喷雾造粒塔进行造粒,调整好造粒粒径,制得到流动性良好的造粒粉料。2.如权利要求1所述的反应烧结碳化硅陶瓷造粒粉料的制备方法,其特征在于,碳化硅微粉纯度≥99%,粒度为1
‑
12μm;所述炭黑D50≤0.5μm,石墨粉D50≤1μm。3.如权利要求1所述的反应烧结碳化硅陶瓷造粒粉料的制备方法,其特征在于,所述的初粘剂为optapix paf35...
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