弱化结构及其制作方法，发光器件的转移方法技术

本发明专利技术涉及一种弱化结构及其制作方法，发光器件的转移方法，该弱化结构的制作方法包括：提供临时基板，在临时基板上形成第一胶层；在第一胶层上形成支撑件；在支撑件的侧壁上连接发光器件，发光器件与第一胶层具有间隔距离。通过制作形成临时基板上的第一胶层，在第一胶层上设置支撑件，并通过支撑件的侧壁连接发光器件的弱化结构，该弱化结构用于发光器件的转移时，通过将支撑件从第一胶层分离，支撑件可带着发光器件从第一胶层转移至电路背板，弱化结构的结构简单，通过简单的制程即可制作形成该弱化结构，能实现高良率的制作，且形成的弱化结构的结构稳定，能保证后续进行的发光器件的转移操作的良率。器件的转移操作的良率。器件的转移操作的良率。

【技术实现步骤摘要】
弱化结构及其制作方法，发光器件的转移方法


[0001]本专利技术涉及半导体制程
，尤其涉及一种弱化结构及其制作方法，发光器件的转移方法。

技术介绍

[0002]由于发光二极管(light
‑
emitting diode，LED)具有节能、环保，寿命长等优点，未来，发光二极管将取代白炽灯、荧光灯等传统照明灯具，而进入千家万户。微型发光二极管(Micro light
‑
emitting diode，Micro LED)是新型的显示技术，具有高亮、低延迟、长寿命、广视角、高对比度的优势，是目前发光二极管的发展方向。
[0003]微型发光二极管的关键技术为巨量转移技术，其中一种巨量转移技术需要弱化结构的配合开发，但目前市面上的弱化结构的结构复杂，制程良率低，并且形成的弱化结构的结构不稳定，导致后续的转移操作的良率较低。
[0004]因此，如何提供一种结构简单，能实现高良率的制作的弱化结构是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种弱化结构及其制作方法，发光器件的转移方法，旨在解决如何提供一种结构简单，能实现高良率的制作的弱化结构的问题。
[0006]一种弱化结构的制作方法，包括：提供临时基板，在所述临时基板上形成第一胶层；在所述第一胶层上形成支撑件；在所述支撑件的侧壁上连接发光器件，所述发光器件与所述第一胶层具有间隔距离。
[0007]通过制作形成临时基板上的第一胶层，在第一胶层上设置支撑件，并通过支撑件的侧壁连接发光器件的弱化结构，该弱化结构用于发光器件的转移时，通过将支撑件从第一胶层分离，支撑件可带着发光器件从第一胶层转移至电路背板，弱化结构的结构简单，通过简单的制程即可制作形成该弱化结构，能实现高良率的制作，且形成的弱化结构的结构稳定，能保证后续进行的发光器件的转移操作的良率。
[0008]可选地，在所述发光器件的四周包围粘贴件，将所述粘贴件与支撑件连接。粘贴件包围发光器件，一方面粘贴件对发光器件具有保护作用，另一方面，发光器件通过粘贴件与支撑件连接，发光器件能与支撑件连接的更稳固。
[0009]可选地，在生长有发光器件的生长基板上形成第二胶层，所述第二胶层包围在所述发光器件的四周；将所述第一胶层与所述第二胶层连接；剥离所述生长基板；图案化所述第二胶层，以使所述第二胶层部分被去除，保留的部分形成所述粘贴件。上述的弱化结构的制作工艺，整个工艺制作过程简单，能方便进行制作，便于提高生产率，形成的弱化结构的结构稳定，能方便的进行后续的发光器件的转移的操作。
[0010]可选地，在所述第二胶层上形成牺牲层；将所述第一胶层与所述牺牲层连接；图案
化所述牺牲层，以使所述牺牲层连接所述第一胶层和所述粘贴件。牺牲件在未被去除时，起到隔离第一胶层和第二胶层的作用，使得发光器件与第一胶层具有间隔，方便后续去除牺牲件时，牺牲件占据的空间直接就形成发光器件与第一胶层直接的间隔。
[0011]可选地，形成支撑层，所述支撑层包围在所述粘贴件的四周，且所述支撑层与所述第一胶层连接。支撑层连接至第一胶层，支撑层和第一胶层共同对发光器件、粘贴件和牺牲件形成了完整的包围。
[0012]可选地，图案化所述支撑层，以形成所述支撑件。工艺简单，能形成发光器件通过粘贴件与支撑件的侧壁连接的结构。
[0013]可选地，去除所述牺牲层。去除牺牲层后，发光器件与第一胶层具有间隔而无直接连接关系，其通过支撑件固定在第一胶层上。
[0014]可选地，形成所述第二胶层时，使得所述发光器件的电极外露。以使后续进行的发光器件转移到电路背板上时，发光器件的电极能与电路背板上的焊盘键合。
[0015]基于同样的专利技术构思，本专利技术还提供一种弱化结构，包括临时基板、第一胶层、支撑件和发光器件，所述第一胶层形成在所述临时基板上，所述支撑件形成在所述第一胶层上，所述发光器件连接在所述支撑件的侧壁，且所述发光器件与所述第一胶层具有间隔距离。
[0016]通过在第一胶层上设置支撑件，并通过支撑件的侧壁连接发光器件的弱化结构，该弱化结构用于发光器件的转移时，只需要将支撑件和发光器件从第一胶层分离，即可转移至电路背板，弱化结构的结构简单，通过简单的制程即可制作形成该弱化结构，能实现高良率的制作，且形成的弱化结构的结构稳定，能保证后续进行的发光器件的转移操作的良率。
[0017]基于同样的专利技术构思，本专利技术还提供一种发光器件的转移方法，包括：提供前述实施例中任一项所述的弱化结构的制作方法制作的弱化结构；使用一转移结构将所述弱化结构上的支撑件与第一胶层分离，并将与所述支撑件连接的发光器件转移至电路背板。
[0018]通过采用本专利技术的弱化结构，发光器件转移时，通过将支撑件从第一胶层分离，支撑件可带着发光器件从第一胶层转移至电路背板，弱化结构的结构简单，通过简单的制程即可制作形成该弱化结构，能实现高良率的制作，且形成的弱化结构的结构稳定，能保证发光器件的转移操作的良率。
附图说明
[0019]图1为一种实施例的弱化结构的制作方法的流程图；
[0020]图2为一种实施例的弱化结构的制作方法的一个步骤的结构示意图；
[0021]图3为一种实施例的弱化结构的制作方法的一个步骤的结构示意图；
[0022]图4为一种实施例的弱化结构的制作方法的一个步骤的结构示意图；
[0023]图5为一种实施例的弱化结构的制作方法的一个步骤的结构示意图；
[0024]图6为一种实施例的弱化结构的制作方法的一个步骤的结构示意图；
[0025]图7为一种实施例的弱化结构的制作方法的一个步骤的结构示意图；
[0026]图8为一种实施例的弱化结构的制作方法的一个步骤的结构示意图；
[0027]图9为一种实施例的弱化结构的制作方法的一个步骤的结构示意图；
LED)，其包括磊晶21、第一电极22和第二电极23，第一电极22和第二电极23连接在磊晶21上。磊晶21具体可包括层叠的N型半导体层、有源层、P型半导体层等层结构，其可通过外延生长的制程制作，第一电极22可为N电极，其与N型半导体层连接，第二电极23可为P电极，其与P型半导体层连接。
[0048]发光器件20与支撑件71的侧壁连接时，是磊晶21的侧面与支撑件71的侧壁连接，第一电极22和第二电极23与支撑件71无连接而悬空。发光器件20通过支撑件71支撑固定在临时基板30和第一胶层40上。
[0049]可选的，在发光器件20的一侧连接有支撑件71，如此可形成发光器件20一方面能够通过支撑件71固定在第一胶层40上，另一方面，发光器件20和支撑件71的重心不在与第一胶层40垂直的直线上，使得支撑件71能够较为容易的被分离，便于实现后续的转移。
[0050]可选的，在发光器件20的至少两侧连接有支撑件71，例如，在发光器件20的相背的两侧连接有支撑件71，如此可使得发光器件20通过两个支撑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种弱化结构的制作方法，其特征在于，包括：提供临时基板，在所述临时基板上形成第一胶层；在所述第一胶层上形成支撑件；在所述支撑件的侧壁上连接发光器件，所述发光器件与所述第一胶层具有间隔距离。2.如权利要求1所述的弱化结构的制作方法，其特征在于，在所述发光器件的四周包围粘贴件，将所述粘贴件与支撑件连接。3.如权利要求2所述的弱化结构的制作方法，其特征在于，在生长有发光器件的生长基板上形成第二胶层，所述第二胶层包围在所述发光器件的四周；将所述第一胶层与所述第二胶层连接；剥离所述生长基板；图案化所述第二胶层，以使所述第二胶层部分被去除，保留的部分形成所述粘贴件。4.如权利要求3所述的弱化结构的制作方法，其特征在于，在所述第二胶层上形成牺牲层；将所述第一胶层与所述牺牲层连接；图案化所述牺牲层，以使所述牺牲层连接所述第一胶层和所述粘贴件。5.如权利要求4所述的弱化结构的制作方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：马非凡，曹进，戴广超，张雪梅，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：