弱化结构及其制作方法，发光器件的转移方法技术

本发明专利技术涉及一种弱化结构及其制作方法，发光器件的转移方法，该弱化结构的制作方法包括：提供临时基板，在临时基板上形成第一胶层；在第一胶层上形成支撑件；在支撑件的侧壁上连接发光器件，发光器件与第一胶层具有间隔距离。通过制作形成临时基板上的第一胶层，在第一胶层上设置支撑件，并通过支撑件的侧壁连接发光器件的弱化结构，该弱化结构用于发光器件的转移时，通过将支撑件从第一胶层分离，支撑件可带着发光器件从第一胶层转移至电路背板，弱化结构的结构简单，通过简单的制程即可制作形成该弱化结构，能实现高良率的制作，且形成的弱化结构的结构稳定，能保证后续进行的发光器件的转移操作的良率。器件的转移操作的良率。器件的转移操作的良率。

【技术实现步骤摘要】
弱化结构及其制作方法，发光器件的转移方法


[0001]本专利技术涉及半导体制程
，尤其涉及一种弱化结构及其制作方法，发光器件的转移方法。

技术介绍

[0002]由于发光二极管(light
‑
emitting diode，LED)具有节能、环保，寿命长等优点，未来，发光二极管将取代白炽灯、荧光灯等传统照明灯具，而进入千家万户。微型发光二极管(Micro light
‑
emitting diode，Micro LED)是新型的显示技术，具有高亮、低延迟、长寿命、广视角、高对比度的优势，是目前发光二极管的发展方向。
[0003]微型发光二极管的关键技术为巨量转移技术，其中一种巨量转移技术需要弱化结构的配合开发，但目前市面上的弱化结构的结构复杂，制程良率低，并且形成的弱化结构的结构不稳定，导致后续的转移操作的良率较低。
[0004]因此，如何提供一种结构简单，能实现高良率的制作的弱化结构是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种弱化结构的制作方法，其特征在于，包括：提供临时基板，在所述临时基板上形成第一胶层；在所述第一胶层上形成支撑件；在所述支撑件的侧壁上连接发光器件，所述发光器件与所述第一胶层具有间隔距离。2.如权利要求1所述的弱化结构的制作方法，其特征在于，在所述发光器件的四周包围粘贴件，将所述粘贴件与支撑件连接。3.如权利要求2所述的弱化结构的制作方法，其特征在于，在生长有发光器件的生长基板上形成第二胶层，所述第二胶层包围在所述发光器件的四周；将所述第一胶层与所述第二胶层连接；剥离所述生长基板；图案化所述第二胶层，以使所述第二胶层部分被去除，保留的部分形成所述粘贴件。4.如权利要求3所述的弱化结构的制作方法，其特征在于，在所述第二胶层上形成牺牲层；将所述第一胶层与所述牺牲层连接；图案化所述牺牲层，以使所述牺牲层连接所述第一胶层和所述粘贴件。5.如权利要求4所述的弱化结构的制作方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：马非凡，曹进，戴广超，张雪梅，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：