显示设备和制造该显示设备的方法技术

公开了一种显示设备和制造该显示设备的方法，所述显示设备包括：半导体层，布置在基底上，并且包括沟道区以及分别布置在沟道区的两侧处的源区和漏区，半导体层包括布置为与源区和漏区中的一者相邻的开口部分；电极，在平面图中与源区和漏区中的一者叠置，并且电连接到源区和漏区中的一者；以及绝缘图案，布置在半导体层与电极之间，其中，电极的与开口部分相邻的第一边缘与开口部分间隔开，并且绝缘图案的与开口部分相邻的边缘部分与开口部分间隔开。开。开。

【技术实现步骤摘要】
显示设备和制造该显示设备的方法
[0001]本申请基于并要求于2021年10月19日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10
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2021
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0139116号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]公开涉及一种显示设备和制造该显示设备的方法。

技术介绍

[0003]显示设备是可视化地显示数据的设备。显示设备可以用作诸如蜂窝电话的小尺寸产品的显示器，或者诸如电视的大尺寸产品的显示器。
[0004]显示设备可以包括不直接发光而是使用背光装置的光的液晶显示设备，或者可以包括包含可以发光的显示元件的发光显示设备，其中，显示元件可以包括发射层。

技术实现思路

[0005]一个或更多个实施例提供了一种包括高质量晶体管的显示设备以及制造该显示设备的方法。然而，该目的是示例，并且不限制公开的范围。
[0006]另外的方面将在随后的描述中被部分地阐述，部分地将通过描述变得明显，或者可以通过对公开的所提出的实施例的实践而被获知。
[0007本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，所述显示设备包括：半导体层，布置在基底上，并且包括沟道区以及分别布置在所述沟道区的两侧处的源区和漏区，所述半导体层包括布置为与所述源区和所述漏区中的任一者相邻的开口部分；电极，在平面图中与所述源区和所述漏区中的一者叠置，并且电连接到所述源区和所述漏区中的所述一者；以及绝缘图案，布置在所述半导体层与所述电极之间，其中，所述电极的与所述开口部分相邻的第一边缘与所述开口部分间隔开，并且所述绝缘图案的与所述开口部分相邻的边缘部分与所述开口部分间隔开。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述绝缘图案包括：内部部分，直接在所述电极下方；以及所述边缘部分，在所述内部部分外部，并且所述绝缘图案的所述边缘部分部分地围绕所述电极，以便在平面图中具有与所述电极的所述第一边缘的部分对应的间隔区域。3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述半导体层的直接在所述电极下方的部分包括：第一部分，具有与所述源区和所述漏区中的一者对应的载流子浓度；以及第二部分，具有与所述第一部分不同的载流子浓度。4.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述绝缘图案的所述边缘部分包括彼此间隔开的第一部分和第二部分且所述间隔区域在所述第一部分与所述第二部分之间，所述第一部分和所述第二部分中的每个从所述电极的所述第一边缘在第一方向上朝向所述开口部分延伸，并且所述边缘部分的所述第一部分和所述第二部分中的每个在所述第一方向上具有第一宽度。5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述绝缘图案的所述边缘部分还包括从所述电极的与所述第一边缘不同的第二边缘延伸并且具有第二宽度的第三部分，并且所述第二宽度不同于所述第一宽度。6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述第二宽度大于所述第一宽度。7.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一宽度小于0.5μm。8.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：下导电层，布置在所述半导体层下方；以及下绝缘层，布置在所述下导电层与所述半导体层之间，其中，所述电极通过穿透所述绝缘图案和所述下绝缘层的接触孔电连接到所述下导电层。9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述半导体层包括氧化物半导体材料。10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述电极设置为包括导电氧化物的三层。11.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：在基底上形成半导体层，所述半导体层包括沟道区...

【专利技术属性】
技术研发人员：金贤，金璱基，尹甲洙，李禹根，崔昇夏，姜叡恩，金昭娟，金承来，元东铉，李光洙，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：