显示设备和制造该显示设备的方法技术

公开了一种显示设备和制造该显示设备的方法，所述显示设备包括：半导体层，布置在基底上，并且包括沟道区以及分别布置在沟道区的两侧处的源区和漏区，半导体层包括布置为与源区和漏区中的一者相邻的开口部分；电极，在平面图中与源区和漏区中的一者叠置，并且电连接到源区和漏区中的一者；以及绝缘图案，布置在半导体层与电极之间，其中，电极的与开口部分相邻的第一边缘与开口部分间隔开，并且绝缘图案的与开口部分相邻的边缘部分与开口部分间隔开。开。开。

【技术实现步骤摘要】
显示设备和制造该显示设备的方法
[0001]本申请基于并要求于2021年10月19日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10
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2021
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0139116号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]公开涉及一种显示设备和制造该显示设备的方法。

技术介绍

[0003]显示设备是可视化地显示数据的设备。显示设备可以用作诸如蜂窝电话的小尺寸产品的显示器，或者诸如电视的大尺寸产品的显示器。
[0004]显示设备可以包括不直接发光而是使用背光装置的光的液晶显示设备，或者可以包括包含可以发光的显示元件的发光显示设备，其中，显示元件可以包括发射层。

技术实现思路

[0005]一个或更多个实施例提供了一种包括高质量晶体管的显示设备以及制造该显示设备的方法。然而，该目的是示例，并且不限制公开的范围。
[0006]另外的方面将在随后的描述中被部分地阐述，部分地将通过描述变得明显，或者可以通过对公开的所提出的实施例的实践而被获知。
[0007]根据一个或更多个实施例，一种显示设备包括：半导体层，布置在基底上，并且包括沟道区和分别布置在沟道区的两侧处的源区和漏区，半导体层包括布置为与源区和漏区中的任一者相邻的开口部分；电极，在平面图中与源区和漏区中的一者叠置，并且电连接到源区和漏区中的一者；以及绝缘图案，布置在半导体层与第一电极之间，其中，电极的与开口部分相邻的第一边缘与开口部分间隔开，并且绝缘图案的与开口部分相邻的边缘部分与开口部分间隔开。
[0008]绝缘图案可以包括：内部部分，直接在电极下方；以及边缘部分，在内部部分外部，并且绝缘图案的边缘部分可以部分地围绕电极，以便在平面图中具有与电极的第一边缘的部分对应的间隔区域。
[0009]半导体层的直接在第一电极下方的部分可以包括：第一部分，具有与源区和漏区中的一者对应的载流子浓度；以及第二部分，具有与第一部分不同的载流子浓度。
[0010]绝缘图案的边缘部分可以包括彼此间隔开的第一部分和第二部分，间隔区域在所述第一部分与所述第二部分之间，第一部分和第二部分中的每个可以从电极的第一边缘在第一方向上朝向开口部分延伸，并且边缘部分的第一部分和第二部分中的每个可以在第一方向上具有第一宽度。
[0011]绝缘图案的边缘部分还可以包括从电极的与第一边缘不同的第二边缘延伸并且具有第二宽度的第三部分，并且第二宽度可以不同于第一宽度。
[0012]第二宽度可以大于第一宽度。
[0013]第一宽度可以小于约0.5μm。
[0014]显示设备还可以包括：下导电层，布置在半导体层下方；以及下绝缘层，布置在下导电层与半导体层之间，其中，第一电极可以通过穿透第一绝缘图案和下绝缘层的接触孔电连接到下导电层。
[0015]半导体层可以包括氧化物半导体材料。
[0016]电极可以设置为包括导电氧化物的三层。
[0017]根据一个或更多个实施例，一种制造显示设备的方法包括：在基底上形成半导体层，半导体层包括沟道区和在沟道区的两侧处的源区和漏区；在半导体层中形成布置为与源区和漏区中的一者相邻的开口部分；形成在平面图中与源区和漏区中的一者叠置并且电连接到源区和漏区中的一者的电极；以及通过对布置在半导体层与电极之间的无机绝缘层进行蚀刻来形成绝缘图案，其中，电极的与开口部分相邻的第一边缘与开口部分间隔开，并且绝缘图案的与开口部分相邻的边缘部分与开口部分间隔开。
[0018]形成包括源区和漏区的半导体层的步骤可以包括：在基底上形成初始半导体层；将初始半导体层图案化成半导体层；在图案化的半导体层上形成无机绝缘层；以及通过至少部分地蚀刻无机绝缘层来形成孔，并且当孔被形成时，半导体层的暴露部分可以变得导电。
[0019]形成开口部分的步骤可以与形成绝缘图案的步骤同时执行。
[0020]形成电极的步骤可以包括：在无机绝缘层上形成初始电极层；在初始电极层上形成光致抗蚀剂；对初始电极层进行蚀刻；以及去除光致抗蚀剂。
[0021]形成开口部分的步骤可以包括对初始电极层进行蚀刻，并且当对初始电极层进行蚀刻时，可以去除半导体层的部分。
[0022]光致抗蚀剂可以包括：中心部分，具有第一厚度；以及至少一个侧表面的边缘部分，边缘部分具有第二厚度，并且第二厚度可以小于第一厚度。
[0023]形成光致抗蚀剂的步骤可以包括：敷设光致抗蚀剂层；以及通过使用半色调掩模或狭缝暴露光致抗蚀剂层的至少一个侧表面的边缘。
[0024]光致抗蚀剂的至少一个侧表面的边缘部分可以包括光致抗蚀剂的朝向半导体层的沟道区的侧表面的边缘部分。
[0025]形成绝缘图案的步骤可以包括：在半导体层上形成无机绝缘层；对光致抗蚀剂进行蚀刻；以及对无机绝缘层进行蚀刻，并且当对光致抗蚀剂进行蚀刻时，可以去除具有第二厚度的边缘部分。
[0026]半导体层可以包括氧化物半导体。
附图说明
[0027]通过下面结合附图的描述，公开的某些实施例的以上和其它方面、特征和优点将变得更明显，在附图中：
[0028]图1是根据实施例的显示设备的示意性透视图；
[0029]图2是根据实施例的显示设备的像素中的每个的示意性剖视图；
[0030]图3示意性地示出了图2的颜色转换透射层的光学部分中的每个；
[0031]图4是根据实施例的包括在显示设备中的发光二极管和电连接到发光二极管的像
素电路的等效电路的示意图；
[0032]图5A、图6A、图7A、图8A、图9A和图10A是根据实施例的关于制造显示设备的方法的示意性剖视图；
[0033]图5B、图6B、图7B、图9B和图10B分别是图5A、图6A、图7A、图9A和图10A的显示设备的示意性平面图；
[0034]图8B是图8A的显示设备的部分的示意性透视图；
[0035]图10C是图10A的显示设备的部分的示意性透视图；
[0036]图10D是图10C的区域B的示意性放大图；
[0037]图11是根据实施例的显示设备的示意性剖视图；
[0038]图12A、图13A、图14A、图15A、图16A和图17A是根据实施例的关于制造显示设备的方法的示意性剖视图；
[0039]图12B、图13B、图14B、图16B和图17B分别是图12A、图13A、图14A、图16A和图17A的显示设备的示意性平面图；
[0040]图15B是图15A的显示设备的部分的示意性透视图；以及
[0041]图17C是图17A的显示设备的部分的示意性透视图。
具体实施方式
[0042]现在将详细地参照实施例，附图中示出了实施例的示例，在附图中同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照图来描述实施例，以解释描述的方面。如在这里使用的，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，所述显示设备包括：半导体层，布置在基底上，并且包括沟道区以及分别布置在所述沟道区的两侧处的源区和漏区，所述半导体层包括布置为与所述源区和所述漏区中的任一者相邻的开口部分；电极，在平面图中与所述源区和所述漏区中的一者叠置，并且电连接到所述源区和所述漏区中的所述一者；以及绝缘图案，布置在所述半导体层与所述电极之间，其中，所述电极的与所述开口部分相邻的第一边缘与所述开口部分间隔开，并且所述绝缘图案的与所述开口部分相邻的边缘部分与所述开口部分间隔开。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述绝缘图案包括：内部部分，直接在所述电极下方；以及所述边缘部分，在所述内部部分外部，并且所述绝缘图案的所述边缘部分部分地围绕所述电极，以便在平面图中具有与所述电极的所述第一边缘的部分对应的间隔区域。3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述半导体层的直接在所述电极下方的部分包括：第一部分，具有与所述源区和所述漏区中的一者对应的载流子浓度；以及第二部分，具有与所述第一部分不同的载流子浓度。4.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述绝缘图案的所述边缘部分包括彼此间隔开的第一部分和第二部分且所述间隔区域在所述第一部分与所述第二部分之间，所述第一部分和所述第二部分中的每个从所述电极的所述第一边缘在第一方向上朝向所述开口部分延伸，并且所述边缘部分的所述第一部分和所述第二部分中的每个在所述第一方向上具有第一宽度。5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述绝缘图案的所述边缘部分还包括从所述电极的与所述第一边缘不同的第二边缘延伸并且具有第二宽度的第三部分，并且所述第二宽度不同于所述第一宽度。6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述第二宽度大于所述第一宽度。7.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一宽度小于0.5μm。8.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：下导电层，布置在所述半导体层下方；以及下绝缘层，布置在所述下导电层与所述半导体层之间，其中，所述电极通过穿透所述绝缘图案和所述下绝缘层的接触孔电连接到所述下导电层。9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述半导体层包括氧化物半导体材料。10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述电极设置为包括导电氧化物的三层。11.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：在基底上形成半导体层，所述半导体层包括沟道区...

【专利技术属性】
技术研发人员：金贤，金璱基，尹甲洙，李禹根，崔昇夏，姜叡恩，金昭娟，金承来，元东铉，李光洙，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：