本发明专利技术公开了一种晶粒去除装置，适于去除载板上预定去除的至少一晶粒。此晶粒去除装置包括载台、光源、光罩以及移动机构。载台适于承载载板。光源适于提供光束。光罩配置于载台与光源之间，光罩具有多个图案单元，每一个图案单元具有至少一个透光图案，每一个透光图案对应于一个晶粒，且图案单元的透光图案的排列方式不同。移动机构连接光罩，并适于移动光罩使光束通过一个图案单元而照射于预定去除的至少一个晶粒。本发明专利技术另提出一种晶粒去除方法。本发明专利技术另提出一种晶粒去除方法。本发明专利技术另提出一种晶粒去除方法。
【技术实现步骤摘要】
晶粒去除装置及晶粒去除方法
[0001]本专利技术涉及一种去除装置及方法，尤其涉及一种晶粒去除装置以及晶粒去除方法。
技术介绍
[0002]微发光二极管显示器(Micro LED Display)为近年来新兴的显示技术，此技术是将发光二极管(LED)进行薄膜化、微小化以及阵列化，并将发光二极管的尺寸缩小至微米等级。目前微发光二极管显示器的制程中，巨量转移(Mass Transfer)为关键步骤之一，主要是将晶圆上的微发光二极管晶粒(以下称为晶粒)转移至驱动载板上。为了确保转移至驱动载板上的晶粒皆为良品，在进行巨量转移之前，经常会借由晶粒去除装置将晶圆上不良的晶粒去除。
[0003]现有的晶粒去除装置是以激光光束经由光罩照射于不良的晶粒上而加以去除。光罩的图案为固定，每次去除晶粒的数量为一个，需要经过多次的去除步骤才能将晶圆上的不良晶粒完全去除，进而导致去除效率不佳的情形。此外，有时因为制程瑕疵使得少数晶粒偏移预定位置上，要去除偏移预定位置的晶粒，会有对位困难的问题，而不易去除。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供一种晶粒去除装置以及晶粒去除方法，以提升晶粒去除的效率。
[0005]本专利技术一实施例提供一种晶粒去除装置，适于去除载板上预定去除的至少一个晶粒，此晶粒去除装置包括载台、光源、光罩及移动机构。载台适于承载载板。光源适于提供光束。光罩配置于载台与光源之间，其中光罩具有多个图案单元，每一个图案单元具有至少一个透光图案，每个透光图案对应于其中一个晶粒，且图案单元的透光图案的排列方式不同。移动机构连接光罩，并适于移动光罩使光束通过其中一个图案单元而照射于预定去除的至少一个晶粒。
[0006]在本专利技术的一实施例中，上述的晶粒去除装置更包括镜头，配置于光罩与载台之间，并位于光束的传递路径上。
[0007]在本专利技术的一实施例中，上述的每一个图案单元的透光图案排列成M
×
N阵列，其中M与N为正整数，且任一个图案单元的M、N的数值至少有一个不同于与另一个图案单元的M、N的数值。
[0008]在本专利技术的一实施例中，上述的图案单元的M、N的数值皆为奇数。
[0009]在本专利技术的一实施例中，上述的图案单元的M、N的数值选自1
×
1、1
×
3、3
×
1、1
×
5、5
×
1、1
×
7、7
×
1、3
×
3、3
×
5、5
×
3、3
×
7、7
×
3、5
×
7、7
×
5以及7
×
7。
[0010]在本专利技术的一实施例中，上述的每一个图案单元的透光图案整合成一个透光区。
[0011]在本专利技术的一实施例中，上述的每一个透光图案与每一个晶粒在同一方向上的宽度值分别为D1与D2，其中D1小于或等于D2。
[0012]在本专利技术的一实施例中，上述的D1：D2为0.5：1。
[0013]在本专利技术的一实施例中，上述的载台为移动式载台。
[0014]在本专利技术的一实施例中，上述的光源为激光光源。
[0015]本专利技术实施例另提供一种晶粒去除方法，适用于上述晶粒去除装置。此晶粒去除方法包括将载板置于载台上；根据载板上预定去除的至少一个晶粒的分布情形从图案单元中选择一个合适的图案单元；借由移动机构移动光罩，使所选择的图案单元与光源对位；以及使光源提供光束通过所选择的图案单元而照射于预定去除的至少一个晶粒。
[0016]本专利技术实施例的晶粒去除装置及晶粒去除方法中，因光罩具有多个图案单元，所以能够根据不良晶粒的分布情形而选择适合的图案单元进行晶粒去除，以提升晶粒去除的效率，并减少良好晶粒被牺牲的数量。此外，若要去除偏移预定位置的晶粒时，可选择能一次去除多个晶粒的图案单元，增加光束于载板的照射范围，如此能易于去除偏移预定位置的晶粒。另外，在照射范围内的杂质也可被去除。
[0017]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图,详细说明如下。
附图说明
[0018]图1为本专利技术一实施例的晶粒去除装置的立体示意图。
[0019]图2为本专利技术另一实施例的晶粒去除装置的光罩的俯视示意图。
[0020]图3为本专利技术一实施例的晶粒去除方法的流程示意图。
具体实施方式
[0021]图1为本专利技术一实施例的晶粒去除装置的立体示意图。请参照图1，本实施例的晶粒去除装置10适于去除载板S上预定去除的至少一个晶粒G。此晶粒去除装置10包括载台100、光源200、光罩300及移动机构400。载台100适于承载载板S。光源200适于提供光束L。光罩300配置于载台100与光源200之间，其中光罩300具有多个图案单元310，每一个图案单元310具有至少一个透光图案311，每一个透光图案311对应于其中一个晶粒G，且这些图案单元310的透光图案311的排列方式不同。移动机构400连接光罩300，并适于移动光罩300使光束L通过其中一个图案单元310而照射于预定去除的晶粒G。本实施例中，晶粒G例如是微发光二极管晶粒，但不以此为限。此外，上述的载板S例如是晶圆基板，或是进行巨量转移时用以暂时承载晶粒G的载板，例如卷带(tape)等。本专利技术不限制载板S的种类。此外，在一实施例中，载板S可以是透光基板。
[0022]上述移动机构400例如可使光罩300沿着彼此垂直的第一方向X及第二方向Y移动。上述的光源200可以为激光光源或其他高能量光源，本专利技术并不限制光源种类。载台100可以为移动式载台。详细而言，载台100的移动方向例如是沿着第一方向X及第二方向Y移动，以使载板S上欲去除的晶粒G移动至光束L的传递路径上。此外，晶粒去除装置10可包括镜头500，配置于光罩300与载台100之间，并位于光束L的传递路径上，以将光束L投射于晶粒G上。
[0023]在本实施例中，光罩300上的每一个图案单元310的透光图案311例如是排列成M
×
N阵列，其中M与N为正整数，且任一个图案单元的M、N的数值至少有一个不同于与另一个图
案单元的M、N的数值。在一实施例中，图案单元310的M、N的数值皆为奇数，例如是1、3、5、7，以利于图案单元310与光源200对位，提升对位精准度。具体而言，图案单元310的M、N的数值选自1
×
1、1
×
3、3
×
1、1
×
5、5
×
1、1
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7、7
×
1、3
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3、3
×
5、5
×
3、3
×
7、7
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶粒去除装置，适于去除一载板上预定去除的至少一晶粒，其特征在于，该晶粒去除装置包括：一载台，适于承载该载板；一光源，适于提供一光束；一光罩，配置于该载台与该光源之间，其中该光罩具有多个图案单元，每一该些图案单元具有至少一透光图案，每一该至少一透光图案对应于该些晶粒其中之一，且该些图案单元的该至少一透光图案的排列方式不同；以及一移动机构，连接该光罩，并适于移动该光罩使该光束通过该些图案单元其中之一而照射于预定去除的该至少一晶粒。2.如权利要求1所述的晶粒去除装置，其特征在于，所述晶粒去除装置更包括一镜头，配置于该光罩与该载台之间，并位于该光束的传递路径上。3.如权利要求1所述的晶粒去除装置，其特征在于，每一该些图案单元的该至少一透光图案排列成M
×
N阵列，其中M与N为正整数，且任一该些图案单元的M、N的数值至少有一个不同于与另一该些图案单元的M、N的数值。4.如权利要求3所述的晶粒去除装置，其特征在于，该些图案单元的M、N的数值皆为奇数。5.如权利要求3所述的晶粒去除装置，其特征在于，该些图案单元的M、N的数值选自1
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1、1
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3、3
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1、1
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5、5
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1、1
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7、7
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1、3
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3、3
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈鸿隆，
申请(专利权)人：雷杰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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