半导体器件及其制造方法技术

本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，一种半导体器件包括衬底、埋层、第一阱区、第二阱区、第一电极引出区、基极引出区、第二电极引出区以及多个轻掺杂区。埋层形成于衬底内，第一阱区设于埋层的上表层，第二阱区设于埋层的上表层，且与第一阱区间隔设置；第一电极引出区和基极引出区均形成于第一阱区的上表层内，且彼此电隔离设置；第二电极引出区形成于第二阱区的上表层内，多个轻掺杂区包括第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，第一轻掺杂区位于第一电极引出区和基极引出区之间，第二轻掺杂区位于基极引出区和第二电极引出区之间。其中，轻掺杂区的掺杂浓度小于第一阱区的掺杂浓度。可有效提高半导体器件的击穿电压，以满足用户的使用需求。需求。需求。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]相关技术中，半导体结构包括P型的衬底和设于衬底内的N型的埋层，并将NPN晶体管形成于P阱内，同时借用N型的埋层做隔离，发射极从P阱引出，集电极从N阱引出，利用P阱和N阱之间形成的PN结来提高半导体结构的击穿电压。
[0003]然而，传统的半导体结构的击穿电压难以达到期望的高压值，无法满足用户的使用需求。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对传统的半导体结构的击穿电压难以达到期望的高压值，无法满足用户的使用需求的问题，提供一种半导体器件及其制造方法。
[0005]根据本申请的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：
[0006]衬底，具有第一导电类型；
[0007]埋层，形成于所述衬底内，且具有第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；
[0008]第一阱区，设于所述埋层的上表层，且具有所述第一导电类型；
[0009]第二阱区，设于所述埋层的上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，具有第一导电类型；埋层，形成于所述衬底内，且具有第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；第一阱区，设于所述埋层的上表层，且具有所述第一导电类型；第二阱区，设于所述埋层的上表层，且与所述第一阱区间隔设置，具有所述第二导电类型；第一电极引出区和基极引出区，均形成于所述第一阱区的上表层内，且彼此电隔离设置；所述基极引出区位于所述第一电极引出区的外围；所述第一电极引出区具有所述第二导电类型，所述基极引出区具有所述第一导电类型；第二电极引出区，形成于所述第二阱区的上表层内，且具有所述第二导电类型；以及多个轻掺杂区，包括形成于所述第一阱区的上表层的第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区位于所述第一电极引出区和所述基极引出区之间，所述第二轻掺杂区位于所述基极引出区和所述第二电极引出区之间；其中，所述轻掺杂区具有所述第一导电类型，且所述轻掺杂区的掺杂浓度小于所述第一阱区的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；所述第一电极引出区引出作为第一电极，当所述第一电极输入电压时，所述第一电极引出区、所述基极引出区和所述第一阱区形成的整体与所述第二电极引出区共同构成NPN晶体管。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极引出区引出作为第二电极；当所述第一电极输入正电压时，所述第一电极作为所述NPN晶体管的发射极，所述第二电极作为所述NPN晶体管的集电极，所述基极引出区和所述第一阱区共同作为所述NPN晶体管的基区。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一轻掺杂区为环形结构，且环绕所述第一电极引出区设置；或所述第一电极引出区设有多个，多个所述第一电极引出区之间电性连接以作为第一电极；所述第一阱区的上表层设有分别与所述第一电极引出区一一对应的多个所述基极引出区和多个所述第一轻掺杂区；每一所述第一轻掺杂区位于对应的所述第一电极引出区和对应的所述基极引出区之间。5.根据权利要求1
‑
3任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第二轻掺杂区为环形结构，且环绕所述第一电极引出区设置；或所述第二电极引出区设有多个，多个所述第二电极引出区之间电性连接以作为第二电极；所述第一阱区的上表层设有分别与所述第二电极引出区一一对应的多个所述基极引出区和多个所述第二轻掺杂区；每一所述第二轻掺杂区位于对应的所述基极引出区和对应的所述第二电极引出区之...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴健，邬瑞彬，
申请(专利权)人：上海鼎泰匠芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：