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本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，一种半导体器件包括衬底、埋层、第一阱区、第二阱区、第一电极引出区、基极引出区、第二电极引出区以及多个轻掺杂区。埋层形成于衬底内，第一阱区设于埋层的上表层，第二阱区设于埋层的上表层，且与第一阱区间隔设置；...
该专利属于上海鼎泰匠芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海鼎泰匠芯科技有限公司授权不得商用。

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