平面扬声器及耳机制造技术

本发明专利技术提出了一种平面扬声器及耳机，包括周缘被固定在框架上的振膜，若干永磁体组成的永磁铁阵列，所述永磁铁阵列与所述振膜间隔设置且与所述振膜上敷有的或嵌入的线圈对应设置；所述永磁铁阵列内不同位置处的所述永磁体产生的磁场强度不同，使得整个扬声器的至少一个声学特征被优化；改善了所述振膜各处振动方向和振幅的差异性，减少了失真，提高了音质和声功率。声功率。声功率。

【技术实现步骤摘要】
平面扬声器及耳机


[0001]本专利技术涉及音频输出设备领域，尤其涉及一种平面扬声器及耳机。

技术介绍

[0002]平面扬声器将平面的音圈嵌入轻薄的振膜里，像印刷电路板一样，可以使驱动力平均分布。磁体集中在振膜的一侧或两侧，振膜在其形成的磁场中振动。具备平面扬声器的平板耳机的振膜没有静电耳机的振膜那样轻，但有同样大的振动面积和相近的音质。
[0003]平面扬声器结合了动圈扬声器和静电扬声器两者的优点，在低频方面相比静电式拥有更好的表现，并且在高频方面也强于动圈式，其核心的换能器的结构通常为在磁轭上并列配置有多个条状永磁体，相对于这些永磁体的磁极面平行配置有振膜，振膜周缘被固定在框架上而处于张紧状态，在振膜上的与永磁体对置的位置设置有线圈。线圈内部流动的电流与由永磁体生成的磁场正交。如此，通过在线圈中流通交流电流，线圈即产生遵从法拉第定律的力，在该力的作用下振膜在垂直方向上振动，该交流电流信号被变换为声音信号。
[0004]现有平面扬声器振膜最大振幅受限于振膜到永磁体的间距，而为了保证振膜处磁场强度，振膜到永磁体之间的间距非常小，因此振膜的振动幅度受限，存在低功率和失真现象。

技术实现思路

[0005]针对现有技术中的上述缺点，本专利技术提出了一种平面扬声器，包括周缘被固定在框架上的振膜，若干永磁体组成的永磁铁阵列，所述永磁铁阵列与所述振膜间隔设置且与所述振膜上敷有的或嵌入的线圈对应设置；所述永磁铁阵列内不同位置处的所述永磁体产生的磁场强度不同，使得整个扬声器的至少一个声学特征被优化。<br/>[0006]优选地，所述声学特征包括如下特征信息：所述振膜的高频频响曲线；所述振膜的中频频响曲线；所述振膜的低频频响曲线；所述振膜的一个或多个梅尔倒频谱系数；所述振膜的一个或多个预定频率处的频率响应；所述振膜的一个或多个预定位置处的频率响应；所述振膜的跨越一个或多个预定频率范围的频率响应；所述振膜在声学路径中可能存在的一个或多个共振频率响应。
[0007]优选地，组成所述永磁铁阵列的所述永磁体均匀分布。
[0008]优选地，所述永磁铁阵列由若干同心环形嵌套的所述永磁体构成；或者，所述永磁铁阵列由若干相互平行的条状的所述永磁体构成。
[0009]优选地，所述永磁铁阵列为两层，所述振膜位于两层所述永磁铁阵列之间。
[0010]优选地，位于所述永磁铁阵列中间位置的所述永磁体产生的磁场强度大于位于所述永磁铁阵列外围位置的所述永磁体产生的磁场强度。
[0011]优选地，所述永磁体上朝向所述振膜的第一端为平行于所述振膜的平面。
[0012]优选地，所述永磁体上朝向所述振膜的第一端为非平行于所述振膜的平面。
[0013]优选地，位于所述永磁铁阵列中间位置的所述永磁体的所述第一端与所述振膜的间距大于位于所述永磁铁阵列外围位置的所述永磁体的所述第一端与所述振膜的间距。
[0014]优选地，所述永磁体上背离所述振膜的第二端为平行于所述振膜的平面。
[0015]优选地，位于所述永磁铁阵列中间位置的所述永磁体的厚度小于位于所述永磁铁阵列外围位置的所述永磁体的厚度。
[0016]优选地，还包括多个导磁体，相邻且磁极相反的两个所述永磁体背离所述振膜的第二端能够分别连接所述导磁体的两端。
[0017]优选地，还包括多个导磁体致动件，每个所述导磁体致动件对应驱动一个或一组所述导磁体朝向或背离所述永磁体的所述第二端运动，以使所述导磁体连接或脱离所述永磁体的所述第二端；通过控制不同导磁体致动件使不同所述导磁体运动，进而使所述永磁铁阵列内不同位置处的所述永磁体产生的磁场强度不同。
[0018]优选地，所述永磁体为钕铁硼磁铁。
[0019]本专利技术还提出一种耳机，其具有上述任一种的所述平面扬声器。
[0020]本专利技术提出的一种平面扬声器及耳机，包括周缘被固定在框架上的振膜，若干永磁体组成的永磁铁阵列，所述永磁铁阵列与所述振膜间隔设置且与所述振膜上敷有的或嵌入的线圈对应设置；所述永磁铁阵列内不同位置处的所述永磁体产生的磁场强度不同，使得整个扬声器的至少一个声学特征被优化；改善了所述振膜各处振动方向和振幅的差异性，减少了失真，提高了音质和声功率。
附图说明
[0021]图1为本专利技术实施例第一种平面扬声器的示意图；
[0022]图2为本专利技术实施例第二种平面扬声器的示意图；
[0023]图3为本专利技术实施例第三种平面扬声器的示意图；
[0024]图4为本专利技术图3所示平面扬声器的状态变化示意图；
[0025]图5为本专利技术图1
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3实施例的平面扬声器可实现的振膜振动特性曲线改变示意图。
[0026]其中，平面扬声器
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100、永磁体
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110、外围位置的永磁体
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110A、中间位置的永磁体
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110B、振膜
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120、线圈
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130、导磁体
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140。
具体实施方式
[0027]为了应对现有的平面扬声器振膜的整体振幅受限，而且存在失真的问题，本专利技术所提供的平面扬声器及耳机是通过以下技术方案实现的：
[0028]实施例1：
[0029]本实施例提供一种平面扬声器100，请参阅图1至图5，包括周缘被固定在框架上的振膜120，若干永磁体110组成的永磁铁阵列，所述永磁铁阵列与所述振膜120间隔设置且与所述振膜120上敷有的或嵌入的线圈130对应设置；所述永磁铁阵列内不同位置处的所述永磁体110产生的磁场强度不同。使得整个扬声器的至少一个声学特征被优化，提高声音还原度。
[0030]具体地，所述声学特征包括如下特征信息：所述振膜120的高频频响曲线；所述振膜120的中频频响曲线；所述振膜120的低频频响曲线；所述振膜120的一个或多个梅尔倒频
谱系数；所述振膜120的一个或多个预定频率处的频率响应；所述振膜120的一个或多个预定位置处的频率响应；所述振膜120的跨越一个或多个预定频率范围的频率响应；所述振膜120在声学路径中可能存在的一个或多个共振频率响应。例如，图5所示，通过所述永磁铁阵列内不同位置处的所述永磁体110产生的磁场强度不同，能够使振膜120的振幅特性在实线、虚线之间改变；其中，虚线所示的振幅特性更适应于表现中高频的音频。
[0031]具体地，组成所述永磁铁阵列的所述永磁体110均匀分布。
[0032]具体地，所述永磁铁阵列由若干同心环形嵌套的所述永磁体构成；或者，所述永磁铁阵列由若干相互平行的条状的所述永磁体构成。当所述永磁铁阵列由若干相互平行的条状的所述永磁体构成时，单根条状的所述永磁体110不同长度位置处产生的磁场强度不同。
[0033]具体地，所述永磁铁阵列为两层，所述振膜120位于两层所述永磁铁阵列之间。
[0034]具体地，位于所述永磁铁阵列中间位置的所述永磁体110B产生的磁场强度大于位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平面扬声器，其特征在于，包括周缘被固定在框架上的振膜，若干永磁体组成的永磁铁阵列，所述永磁铁阵列与所述振膜间隔设置且与所述振膜上敷有的或嵌入的线圈对应设置；所述永磁铁阵列内不同位置处的所述永磁体产生的磁场强度不同，使得整个扬声器的至少一个声学特征被优化。2.根据权利要求1所述的平面扬声器，其特征在于，所述声学特征包括如下特征信息：所述振膜的高频频响曲线；所述振膜的中频频响曲线；所述振膜的低频频响曲线；所述振膜的一个或多个梅尔倒频谱系数；所述振膜的一个或多个预定频率处的频率响应；所述振膜的一个或多个预定位置处的频率响应；所述振膜的跨越一个或多个预定频率范围的频率响应；所述振膜在声学路径中可能存在的一个或多个共振频率响应。3.根据权利要求2所述的平面扬声器，其特征在于，组成所述永磁铁阵列的所述永磁体均匀分布。4.根据权利要求3所述的平面扬声器，其特征在于，所述永磁铁阵列由若干同心环形嵌套的所述永磁体构成；或者，所述永磁铁阵列由若干相互平行的条状的所述永磁体构成。5.根据权利要求2所述的平面扬声器，其特征在于，所述永磁铁阵列为两层，所述振膜位于两层所述永磁铁阵列之间。6.根据权利要求2所述的平面扬声器，其特征在于，位于所述永磁铁阵列中间位置的所述永磁体产生的磁场强度大于位于所述永磁铁阵列外围位置的所述永磁体产生的磁场强度。7.根据权利要求2所述的平面扬声器，其特征在于，所述永磁体上朝向所述振膜的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：边仿，
申请(专利权)人：昆山海菲曼科技集团有限公司，
类型：发明
国别省市：