一种双源共蒸制备InSeI膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种双源共蒸制备InSeI膜的方法。通过分别同时蒸发InI3和In2Se3，通过称量蒸发前后基底的质量，进而计算出沉积到基底上的InI3和In2Se3的质量，进而标定InI3和In2Se3的实际蒸发速率，使其以等摩尔比的速率蒸发，得到致密的InSeI膜，并制备X射线探测器，获得良好的器件性能。好的器件性能。好的器件性能。

【技术实现步骤摘要】
一种双源共蒸制备InSeI膜的方法


[0001]本专利技术涉及X射线探测
，尤其涉及一种双源共蒸制备InSeI膜的方法。

技术介绍

[0002]X射线探测器被广泛应用于医疗影像、工业探伤、材料分析等领域。近年来，低维金属卤化物材料因其优越的光电性能而备受关注。其中，一维晶体结构的金属卤化物材料更容易制备出具有沿着一维链方向生长并具有柱状晶的厚膜，在闪烁体面阵探测领域有很大的应用。但是对于具有一维结构的金属卤化物在直接型X射线探测器中的研究较少，如InSeI，利用InSeI材料制备直接型X射线探测器的研究尚无。现有的对于InSeI材料的关于X射线探测的性质更是未知。
[0003]一维结构的InSeI材料，具有直接带隙。一维晶体结构材料具有独特的链状结构，易于制备出具有取向生长的柱状晶结构厚膜，很有希望能够得到晶粒纵向生长的InSeI膜，减少晶界缺陷，提高载流子的传输效率，具有很大的X射线探测潜力。对于InSeI材料的制备方法，有化学气相传输法(CVT)合成了InSeI晶体，该方法温区串扰严重，晶体或者膜的生长难以控制。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双源共蒸制备InSeI膜的方法，其特征在于，包括：分别同时蒸发InI3和In2Se3；通过称量蒸发前后基底的质量，计算出沉积到所述基底上的InI3和In2Se3的质量；通过计算出的质量标定出所述InI3和In2Se3的实际蒸发速率，使所述InI3和In2Se3以等摩尔比的速率蒸发，得到InSeI膜。2.如权利要求1所述的双源共蒸制备InSeI膜的方法，其特征在于，所述分别同时蒸发InI3和In2Se3，包括：取所述InI3和In2Se3分别放在蒸发设备的两个蒸发舟内，将基底固定在所述蒸发舟上方的蒸发腔内；对所述蒸发腔抽真空；打开加热功能，分别通过调节加在所述蒸发舟上的电流大小，来控制所述InI3和In2Se3上方晶振显示的蒸发速率；当所述蒸发速率稳定后，打开基底挡板，对所述基底进行旋转蒸发。3.如权利要求2所述的双源共蒸制备InSeI膜的方法，其特征在于，所述对所述蒸发腔抽真空，包括：通过调控机械泵和分子泵，将所述蒸发腔内真空抽到5*10
‑4Pa。4.如权利要求2所述的双源共蒸制备InSeI膜的方法，其特征在于，在所述取所述InI3和In2Se3分别放在蒸发设备的两个蒸发舟内之前，还包括：将所述InI3和In2Se3放在手套箱里面加热，除去吸附的水分。5.如权利要求2所述的双源共蒸制备InSeI膜的方法，其特征在于，所述通过计算出的质量标定出所述InI3和In2Se3的实际蒸发速率，包括：通过公式V
InI3
＝(m1‑
m0)/(M
InI3
*S*T)得到所述InI3的实际蒸发速率V
In...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐江，牛广达，巫皓迪，陈旭，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：