温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种双源共蒸制备InSeI膜的方法。通过分别同时蒸发InI3和In2Se3，通过称量蒸发前后基底的质量，进而计算出沉积到基底上的InI3和In2Se3的质量，进而标定InI3和In2Se3的实际蒸发速率，使其以等摩尔比的速率蒸发...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。