【技术实现步骤摘要】
用于线切割硅棒的装置、设备、硅片及其制造方法
[0001]本专利技术实施例涉及晶圆加工
，尤其涉及用于线切割硅棒的装置、设备、硅片及其制造方法。
技术介绍
[0002]硅片作为半导体电路制程载体，其品质对集成电路形成具有决定性的影响。目前，在硅片的初步成型过程中的主要工序包括：硅棒切割，物理、化学研磨，化学刻蚀，物理化学抛光等。硅棒切割是硅片成型工艺中的核心工艺之一，其主要包括多线砂浆(SiC)切割和内圆切割。以12英寸晶圆的成型为例，目前采用的主流工艺为多线切割，因为相对于内圆切割，多线切割具有效率高、质量好、出片率高等优势。
[0003]多线切割是目前先进的切片加工技术，其原理是将切割线缠绕在一组线轴上以形成切割线段阵列，利用切割线的高速往复运动把磨料带入待切割材料(比如硅棒)的加工区域进行研磨，而待切割工件通过工作台的升降实现垂直方向的进给，以此将工件同时切割成若干个所需尺寸形状的薄片(比如晶圆)。通常多线切割过程中所采用的磨料优选为砂浆，不仅能够帮助研磨，而且还能够在多线切割过程中起到冷却作用。>[0004]随着切本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于线切割硅棒的装置，其特征在于，所述装置包括：线轴本体；设置在所述线轴本体的圆周表面上的导引模块，所述导引模块包括彼此平行且间隔开的多个导引槽，用于供切割线缠绕以形成彼此平行的多个切割线段组成的阵列，所述阵列用于通过沿所述切割线的延伸方向的运动将硅棒一次性切割成多个硅片；其中，所述导引模块包括张力调节部段，所述张力调节部段设置成能够在线切割操作过程中带动缠绕在所述张力调节部段上的所述切割线段一起沿远离和朝向所述线轴本体的方向偏移，以将所述切割线段的实际张力调节为目标张力。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述张力调节部段呈弧段形状，并且所述张力调节部段的一个端部通过铰链连接至所述线轴本体，使得所述张力调节部段能够绕所述铰链沿远离和朝向所述线轴本体的方向转动。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述张力调节部段包括金属基底和设置在所述金属基底的上表面上的树脂部分，其中，所述导引槽由所述树脂部分形成。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述树脂部分以可拆卸的方式设置在所述金属基底上。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：检测模块，所述检测模块用于检测所述切割线段的所述实际张力。6.根据权利要求5所述的装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：张舸，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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