包括共源共栅装置的电路和操作电路的方法制造方法及图纸

一种包括共源共栅装置的电路，所述共源共栅装置包括场效应晶体管。所述场效应晶体管包括共同主体区。所述场效应晶体管还包括多个源极区。所述源极区形成所述共源共栅装置的输入。所述多个源极区中的每个源极区通过所述共同主体区与所述多个源极区中的每个其它源极区分隔开。所述场效应晶体管另外包括共同栅极。所述场效应晶体管还包括共同漏极区。所述共同漏极区形成所述共源共栅装置的输出。所述电路可另外包括：具有一个或多个电流源的多个群组，每个群组耦合到所述共源共栅装置的所述输入中的一个相应输入；以及电流输出，所述电流输出耦合到所述共源共栅装置的所述输出。一种操作电流源电路的方法。种操作电流源电路的方法。种操作电流源电路的方法。

【技术实现步骤摘要】
包括共源共栅装置的电路和操作电路的方法


[0001]本说明书涉及一种包括共源共栅装置的电路以及一种操作电流源电路的方法。

技术介绍

[0002]在精确数字控制电流源电路中，每个电流源元件可能需要单独的按比例缩放的共源共栅装置。对于具有高电压兼容输出的电流源电路，这些共源共栅结构通常占据半导体管芯上的大面积。为了减少所占用的面积，通常来自分开的电流源的电流在被输入到共享的共源共栅装置中之前进行组合。然而，此方法往往会损害电流源电路的线性度。

技术实现思路

[0003]在随附的独立权利要求和从属权利要求中陈述了本公开的方面。来自从属权利要求的特征的组合可以按需要与独立权利要求的特征进行组合，而不仅仅是按照权利要求书中所明确陈述的那样组合。
[0004]根据本公开的一方面，提供一种包括共源共栅装置的电路，所述共源共栅装置包括场效应晶体管。所述场效应晶体管包括：共同主体区；以及多个源极区，所述多个源极区形成所述共源共栅装置的输入。所述多个源极区中的每个源极区通过所述共同主体区与所述多个源极区中的每个其它源极区分隔开。所述场效应晶体管包括共同栅极和共同漏极区。所述共同漏极区形成所述共源共栅装置的输出。
[0005]根据本公开的具有共源共栅装置的电路与一些已知共源共栅装置相比可占据半导体管芯上的较少空间。每个源极区可包括位于所述共同主体区内的掺杂接触区。每个源极区可包括位于所述共同主体区内的相应掺杂接触区。每个源极区可包括位于所述共同主体区内的多个掺杂接触区。所述共同栅极可包括单个栅极电极。所述共同栅极可包括第一栅极电极和第二栅极电极。所述第一栅极电极可位于所述共同漏极区与所述多个源极区的第一源极区群组之间。所述第二栅极电极可位于所述共同漏极区与所述多个源极区的第二源极区群组之间。所述共同栅极、所述共同漏极区以及所述多个源极区中的每个源极区可各自具有其自身的端。所述多个源极区中的至少一个源极区可大于所述多个源极区中的其它源极区中的至少一个源极区。所述共源共栅装置可包括共同漏极漂移区。所述共同漏极漂移区可位于所述共同漏极区与所述共同栅极之间。
[0006]所述电路可另外包括：具有一个或多个电流源的多个群组，其中电流源的所述多个群组中的具有一个或多个电流源的每个群组耦合到所述共源共栅装置的所述输入中的一个相应输入；以及电流输出，所述电流输出耦合到所述共源共栅装置的所述输出。所述电流源电路可另外包括用于选择性地启用/停用具有一个或多个电流源的所述多个群组的数字控制电路系统。所述数字控制电路系统可用于将数字控制字应用于具有一个或多个电流源的所述多个群组，以选择性地启用/停用具有一个或多个电流源的所述群组。所述电路可另外包括耦合到所述共同栅极的共源共栅电压源。每个源极区可包括位于所述共同主体区内的相应掺杂接触区。每个源极区可包括位于所述共同主体区内的多个掺杂接触区。所述
共同栅极可包括单个栅极电极。
[0007]所述共同栅极可包括第一栅极电极和第二栅极电极。所述第一栅极电极可位于所述共同漏极区与所述多个源极区的第一源极区群组之间。所述第二栅极电极可位于所述共同漏极区与所述多个源极区的第二源极区群组之间。所述共同栅极、所述共同漏极区以及所述多个源极区中的每个源极区可各自具有其自身的端。所述多个源极区中的至少一个源极区可大于所述多个源极区中的其它源极区中的至少一个源极区。所述电路可包括共同漏极漂移区。所述共同漏极漂移区可位于所述共同漏极区与所述共同栅极之间。
[0008]根据本公开的另一方面，提供一种操作电流源电路的方法，所述方法包括选择性地启用/停用具有一个或多个电流源的多个群组，每个群组耦合到共源共栅装置的相应输入。所述共源共栅装置包括场效应晶体管，所述场效应晶体管包括共同主体区和形成所述共源共栅装置的所述输入的多个源极区。所述多个源极区中的每个源极区通过所述共同主体区与所述多个源极区中的每个其它源极区分隔开。所述场效应晶体管包括共同栅极和共同漏极区。所述共同漏极区形成所述共源共栅装置的输出，并且其中所述共源共栅装置的所述输出耦合到所述电流源电路的电流输出。
[0009]所述方法可包括通过将数字控制字应用于具有一个或多个电流源的所述群组来选择性地启用/停用具有一个或多个电流源的所述群组。所述数字控制字可包括多个位。所述数字控制字的每个位可用于选择性地启用/停用所述电流源中的一个电流源的相应群组。
[0010]所述共源共栅装置、电流源电路和方法可实施于控制器局域网(CAN)收发器中。
附图说明
[0011]在下文中将仅借助于例子参考附图来描述本公开的实施例，在附图中相同的附图标记指代相同的元件，并且在附图中：
[0012]图1示出电流源电路的例子；
[0013]图2示出电流源电路的另一例子；
[0014]图3示出电流源电路的另一例子；
[0015]图4示出根据本公开的实施例的电流源电路；
[0016]图5示出根据本公开的实施例的共源共栅装置的平面图；
[0017]图6示出根据本公开的实施例的共源共栅装置的横截面；以及
[0018]图7示出根据本公开的实施例的操作电流源电路的方法。
具体实施方式
[0019]下文中参考附图来描述本公开的实施例。
[0020]图1示出数字控制电流源电路10的例子。数字控制电流源电路10包括多个共源共栅装置2A、2B......2N。共源共栅装置2A、2B......2N可为场效应晶体管(FET，例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET))。数字控制电流源电路10还包括用于输出电流l
out
的输出12。在此例子中，形成每个共源共栅装置2A、2B......2N的场效应晶体管的漏极耦合到输出12。
[0021]数字控制电流源电路10还包括电压源8。电压源8耦合到形成每个共源共栅装置
2A、2B......2N的每个场效应晶体管的栅极。电压源8可因此用于将参考电压(例如，接地)施加到形成每个共源共栅装置2A、2B......2N的每个场效应晶体管的栅极。
[0022]数字控制电流源电路10还包括多个电流源6、6A、6B......6N。这些电流源包括参考电流源6和多个另外的电流源6A、6B......6N。另外的电流源6A、6B......6N中的每个电流源可通过相应开关4A、4B......4N耦合到形成共源共栅装置2A、2B......2N的场效应晶体管中的一个相应场效应晶体管的源极。开关4A、4B......4N可分别地以数字方式进行控制以用于将电流源选择性地耦合到其相应的共源共栅装置2A、2B......2N/从所述共源共栅装置2A、2B......2N解耦。电流源各自被配置成提供为参考电流I
ref
的分数或倍数的相应电流。举例来说，如图1中所示，另一电流源6A被配置成提供电流I，另一电流源6B被配置成提供电流I/2，且最后电流源6N被配置成提供电流I/(2
N
)。通过分别地且以数字本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种包括共源共栅装置的电路，其特征在于，所述共源共栅装置包括：场效应晶体管，所述场效应晶体管包括：共同主体区；多个源极区，所述多个源极区形成所述共源共栅装置的输入，其中所述多个源极区中的每个源极区通过所述共同主体区与所述多个源极区中的每个其它源极区分隔开；共同栅极；以及共同漏极区，其中所述共同漏极区形成所述共源共栅装置的输出。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，每个源极区包括位于所述共同主体区内的掺杂接触区。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，每个源极区包括位于所述共同主体区内的相应掺杂接触区。4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，每个源极区包括位于所述共同主体区内的多个掺杂接触区。5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述共同栅极包括单个栅极电极。6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述共同栅极包括第一栅极电极和第二栅极电极，其中所述第一栅极电极位于所述共同漏极区与所述多个源极区的第一源极区群组之间，并且其中所述第二栅极电极位于所述共同漏极区与所述多个源极区的第二源极区群组之间。7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马尔腾，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：