混光LED集成光源制造技术

本实用新型专利技术公开了混光LED集成光源，包括基板和发光组件，设有共极焊盘、主焊接结构和副焊接结构；发光组件包括多个主发光模组和多个副发光模组，主发光模组和副发光模组交替设置，主发光模组包括多个可见波长发光芯片，副发光模组包括多个红外波长发光芯片和紫外波长发光芯片，所有红外波长发光芯片和所有紫外波长发光芯片的总发光面积均小于所有可见波长发光芯片的总发光面积。本实用新型专利技术能够有效提高主发光模组和副发光模组所发射光线的混合效果，通过对于人眼来说敏感度低于可见光波长的红外波长以及紫外波长的光线实现混光调节，混合后光线的柔和度与均匀性能够得到进一步的提升，混光发光效果好。混光发光效果好。混光发光效果好。

【技术实现步骤摘要】
混光LED集成光源


[0001]本技术涉及光源
，特别是涉及一种混光LED集成光源。

技术介绍

[0002]发光二极管简称LED，具有体积小、寿命长、效率高的优点。设置LED芯片安装到基板，并将LED芯片与相应的焊盘焊接相连，通电时LED芯片能够实现发光，相关技术中，为适应不同的照明需求，工业设备的视觉检测仪器、氛围灯、调光灯等装置通常需要配备多种色光的光源实现照明，设置多个光源的占用空间大，而且多种色光的光源的组合使用操作复杂，同时启动不同色光的光源时容易出现颜色分区。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种混光LED集成光源，能够形成混光颜色均匀的发光效果，集成度高，使用方便。
[0004]根据本技术实施例的一种混光LED集成光源，包括基板和发光组件，设有共极焊盘、主焊接结构和副焊接结构；发光组件安装于基板的正面，发光组件包括多个主发光模组和多个副发光模组，主发光模组和副发光模组交替设置，主发光模组的两电极分别连接共极焊盘和主焊接结构，副发光模组的两电极分别连接共极焊盘和副焊接结构，主发光模组包括多个可见波长发光芯片，副发光模组包括多个红外波长发光芯片和紫外波长发光芯片，所有红外波长发光芯片和所有紫外波长发光芯片的总发光面积均小于所有可见波长发光芯片的总发光面积，红外波长发光芯片的发光波长为780～940nm，紫外波长发光芯片的发光波长为370～410nm。
[0005]根据本技术的一种混光LED集成光源，至少具有如下有益效果：通过交替设置的主发光模组和副发光模组，能够有效提高主发光模组和副发光模组所发射光线的混合效果，能够提高混光后颜色分布的均匀度，本技术的一个光源就能够实现混光调节的效果，设置主发光模组包括可见波长发光芯片，副发光模组包括红外波长发光芯片和紫外波长发光芯片，并且设置所有红外波长发光芯片的总发光面积和所有紫外波长发光芯片的总发光面积均小于所有可见波长发光芯片的总发光面积，以小面积发光的红外波长发光芯片和紫外波长发光芯片对可见波长发光芯片所发出可见波长光线的颜色进行调节，在确保可见波长光线发光亮度的同时能够实现混色调节效果，相较于相关技术中通过设置不同颜色的可见波长光源来对发光效果进行调节，本技术实施例通过对于人眼来说敏感度低于可见光波长的红外波长以及紫外波长的光线实现混光调节，能够实现精度更高的混光调节效果，而且混合后光线的柔和度与均匀性能够得到进一步的提升，混光发光效果好。
[0006]根据本技术一些实施例的一种混光LED集成光源，主发光模组的总发光面积大于副发光模组的总发光面积。
[0007]根据本技术一些实施例的一种混光LED集成光源，副发光模组中的红外波长发光芯片和紫外波长发光芯片交替设置。
[0008]根据本技术一些实施例的一种混光LED集成光源，副焊接结构包括红外副焊盘和紫外副焊盘，所有的红外波长发光芯片串联或并联于共极焊盘和红外副焊盘之间，所有的紫外波长发光芯片串联或并联于共极焊盘和紫外副焊盘之间。
[0009]根据本技术一些实施例的一种混光LED集成光源，还包括多个调光层组，调光层组与主发光模组一一对应，调光层组设于主发光模组的发光面，主焊接结构包括多个与主发光模组一一对应的主焊盘，各个主发光模组的一电极均连接共极焊盘，各个主发光模组的另一电极分别连接对应的主焊盘。
[0010]根据本技术一些实施例的一种混光LED集成光源，调光层组包括多个与可见波长发光芯片一一对应的荧光胶层，各个荧光胶层分别位于对应可见波长发光芯片的发光面。
[0011]根据本技术一些实施例的一种混光LED集成光源，还包括呈网状的限位结构层，限位结构层位于基板的正面，可见波长发光芯片、红外波长发光芯片和紫外波长发光芯片分别位于限位结构层的各个网孔中，可见波长发光芯片、红外波长发光芯片和紫外波长发光芯片的厚度均小于限位结构层的厚度，荧光胶层分别位于限位结构层的各个网孔中。
[0012]根据本技术一些实施例的一种混光LED集成光源，限位结构层包括均呈网状的绝缘层和增亮层，增亮层位于绝缘层远离基板的一侧。
[0013]根据本技术一些实施例的一种混光LED集成光源，可见波长发光芯片的发光波长为450～470nm。
[0014]根据本技术一些实施例的一种混光LED集成光源，还包括围坝和透光封装层，透光封装层位于基板的正面，发光组件均包覆于透光封装层内，围坝围绕于透光封装层外。
[0015]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0016]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0017]图1为本技术实施例的混光LED集成光源的结构示意图；
[0018]图2为沿图1中A
‑
A方向的剖面结构示意图；
[0019]图3为本技术实施例的混光LED集成光源在标注各个芯片后的结构示意图。
[0020]附图标记：
[0021]基板100、共极焊盘110、主焊接结构120、主焊盘121、副焊接结构130、红外副焊盘131、紫外副焊盘132；
[0022]主发光模组210、可见波长发光芯片211、副发光模组220、红外波长发光芯片221、紫外波长发光芯片222；
[0023]荧光胶层300；
[0024]限位结构层400、绝缘层410、增亮层420；
[0025]围坝500；
[0026]透光封装层600。
具体实施方式
[0027]下面详细描述本技术的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0028]在本技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、左、右、前、后等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0029]在本技术的描述中，如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0030]本技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本技术中的具体含义。
[0031]发光二极管简称LED，具有体积小、寿命长、效率高的优点。COB光源是一种高功率集成面光源，将LED芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.混光LED集成光源，其特征在于，包括：基板(100)，设有共极焊盘(110)、主焊接结构(120)和副焊接结构(130)；发光组件，安装于所述基板(100)的正面，所述发光组件包括多个主发光模组(210)和多个副发光模组(220)，所述主发光模组(210)和所述副发光模组(220)交替设置，所述主发光模组(210)的两电极分别连接所述共极焊盘(110)和所述主焊接结构(120)，所述副发光模组(220)的两电极分别连接所述共极焊盘(110)和所述副焊接结构(130)，所述主发光模组(210)包括多个可见波长发光芯片(211)，所述副发光模组(220)包括多个红外波长发光芯片(221)和紫外波长发光芯片(222)，所有所述红外波长发光芯片(221)和所有所述紫外波长发光芯片(222)的总发光面积均小于所有所述可见波长发光芯片(211)的总发光面积，所述红外波长发光芯片(221)的发光波长为780～940nm，所述紫外波长发光芯片(222)的发光波长为370～410nm。2.根据权利要求1所述的混光LED集成光源，其特征在于，所述主发光模组(210)的总发光面积大于所述副发光模组(220)的总发光面积。3.根据权利要求1所述的混光LED集成光源，其特征在于，所述副发光模组(220)中的所述红外波长发光芯片(221)和所述紫外波长发光芯片(222)交替设置。4.根据权利要求1所述的混光LED集成光源，其特征在于，所述副焊接结构(130)包括红外副焊盘(131)和紫外副焊盘(132)，所有的所述红外波长发光芯片(221)串联或并联于所述共极焊盘(110)和所述红外副焊盘(131)之间，所有的所述紫外波长发光芯片(222)串联或并联于所述共极焊盘(110)和所述紫外副焊盘(132)之间。5.根据权利要求1所述的混光LED集成光源，其特征在于，还包括多个调光层组，所述调光层组与所述主发光模组(210...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玉涛，李振，
申请(专利权)人：深圳市特雷格电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：