大直径硅单晶及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种大直径硅单晶及其制造方法。大直径硅单晶的制造方法依次包括硅料熔融工艺、引晶工艺、等径工艺和收尾工艺，在硅料熔融工艺与引晶工艺之间还设有浸泡工艺，浸泡工艺中的加热功率为引晶工艺中的加热功率的105%~130%。经过试验验证，应用本发明专利技术技术方案的大直径硅单晶的制造方法，能够有效去除在坩埚的内壁上形成的气泡，避免残留的气泡流入生长的单晶中，从而有效降低针孔发生率，改善大直径硅单晶的质量，有利于应用。此外，本发明专利技术还涉及一种采用上述大直径硅单晶的制造方法制造得到的大直径硅单晶。造得到的大直径硅单晶。造得到的大直径硅单晶。

【技术实现步骤摘要】
大直径硅单晶及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体材料
，特别是涉及一种大直径硅单晶及其制造方法。

技术介绍

[0002]直拉单晶制造法（Czochralski，CZ法）是具代表性的硅单晶生长工艺，为了容纳硅熔液，使用了石英坩埚。在石英坩埚中填充多晶硅原料，用加热器加热熔化后，在硅熔液中使籽晶进行浸渍，并逐渐上升，从而可以生长大直径硅单晶。CZ法包括熔融固体原料的熔融（Melting）工艺；为消除籽粒生长时产生的位错，在单晶生长初期细长地生长单晶的引晶（Necking）工艺；将单晶直径扩大到目标直径的放肩（Shouldering）工艺；将单晶保持在目标直径的同时，将单晶生长到目标长度的等径（Body）工艺以及逐渐减少单晶直径的同时，将单晶与熔液分离的收尾（Tailing）工艺。根据CZ法成长的单晶，通常在等径工艺中成长的等径部分被产品化成半导体晶片或刻蚀工程零件、太阳能用基板等。这些产品的质量不仅会受到等径工艺的影响，还会受到多晶原料熔融工艺及后续工艺的影响。特别是，由于熔融工艺的特性，无法避免的会在硅熔液中形成气泡，如果这种硅熔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大直径硅单晶的制造方法，依次包括硅料熔融工艺、引晶工艺、等径工艺和收尾工艺，其特征在于，在所述硅料熔融工艺与所述引晶工艺之间还设有浸泡工艺，所述浸泡工艺中的加热功率为所述引晶工艺中的加热功率的105%~130%。2.根据权利要求1所述的大直径硅单晶的制造方法，其特征在于，所述浸泡工艺中的加热功率为所述引晶工艺中的加热功率的115%~130%。3.根据权利要求2所述的大直径硅单晶的制造方法，其特征在于，所述浸泡工艺中的加热功率为所述引晶工艺中的加热功率的120%~130%。4.根据权利要求1所述的大直径硅单晶的制造方法，其特征在于，所述浸泡工艺的处理时间不少于30min。5.根据权利要求1或4所述的大直径硅单晶的制造方法，其特征在于，所述浸泡工艺的处理时间为30mi...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：新美光苏州半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：