碳钨铜复合材料及其制备方法与应用、电极技术

本申请涉及一种碳钨铜复合材料及其制备方法与应用、电极，碳钨铜复合材料的制备方法包括以下步骤：将钨粉、添加剂、粘接剂按照质量比为(70～90):(8～20):(0～5)与溶剂混合，得到第一浆料；将碳纤维预制体置于第一浆料中浸渍，得到第二浆料；将第二浆料干燥后进行压制，得到碳钨生坯；将铜生坯置于碳钨生坯的上方后进行烧结，使铜生坯熔化并渗入碳钨生坯中，得到碳的钨铜复合材料。上述碳钨铜复合材料的制备方法制得的碳钨铜复合材料的导热性能和导电性能较好，且强度较高。且强度较高。

【技术实现步骤摘要】
碳钨铜复合材料及其制备方法与应用、电极


[0001]本申请涉及材料
，特别是涉及一种碳钨铜复合材料及其制备方法与应用、电极。

技术介绍

[0002]随着微电子芯片技术从器件级发展到系统级，对半导体硅片的纯度、完整性、均匀性以及加工几何尺寸的精度等提出了愈来愈高的要求，在IC芯片特征尺寸不断缩小的同时，芯片的几何尺寸却是增加的。为了减少周边损失以降低成本，硅片应向大直径发展。
[0003]直拉单晶硅法(简称CZ法)是制备半导体硅的常用方法，包括将多晶硅块料和添加元素装入石英坩埚，再将石英坩埚置于坩埚内并使其随轴旋转，在减压条件下通入Ar气，用加热器加热使晶硅块料融化，同时与坩埚旋转相反的方向从炉顶旋转垂下细棒状的籽晶，使其触及多晶硅液面；向上缓慢提拉籽晶的同时，单晶硅也随之生成。单晶热场设备是用来生产单晶硅材料的设备，包括压环、隔热罩、上、中、下隔热罩、(三瓣)石墨坩埚、坩埚支撑杆、坩埚托盘、电极、加热器、导流管和石墨螺栓。随着硅片向大直径发展，单晶热场设备的尺寸越来越大，与之相匹配的电极尺寸也不断增大。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳钨铜复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将钨粉、添加剂、粘接剂和溶剂混合，得到第一浆料；所述钨粉、所述添加剂与所述粘接剂的质量比为(70～90):(8～20):(0～5)；将碳纤维预制体置于所述第一浆料中浸渍，得到第二浆料；将所述第二浆料干燥后进行压制，得到碳钨生坯；将铜生坯置于所述碳钨生坯的上方后进行烧结，使所述铜生坯熔化并渗入所述碳钨生坯中，得到碳钨铜复合材料。2.如权利要求1所述的碳钨铜复合材料的制备方法，其特征在于，所述添加剂选自镍、酚醛树脂和钼中的至少一种。3.如权利要求1所述的碳钨铜复合材料的制备方法，其特征在于，所述粘接剂选自硬脂酸、聚丙烯和石蜡中的至少一种。4.如权利要求1所述的碳钨铜复合材料的制备方法，其特征在于，所述碳纤维预...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖寄乔，李军，李靖廷，石磊，刘学文，王跃军，龚玉良，
申请(专利权)人：湖南金博碳素股份有限公司，
类型：发明
国别省市：