一种以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法技术

一种以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法，步骤S1：在MOCVD反应室内，在蓝宝石衬底上制备GaN形核层，步骤S2：刻蚀将衬底及GaN转移出反应室，使用KOH进行选择性刻蚀；步骤S3：沉积二氧化硅将衬底转移至PECVD反应室中，在形核层表面沉积一层SiO2薄膜；步骤S4：刻蚀氧化硅使用光刻刻蚀去除表面的SiO2薄膜；步骤S5：继续生长氮化镓将衬底转移入MOCVD反应室内，继续进行GaN外延生长。本发明专利技术利用氮化镓材料存在缺陷处与不存在缺陷处腐蚀速率不同的原理，可通过选择性腐蚀在存在穿通位错的的部位形成腐蚀坑。在氮化镓表面沉积SiO2可以阻碍穿通位错的进一步生长，使用光刻手段去除沉积的SiO2可以精准控制光刻后GaN形核层表面是否有SiO2，降低后续生长的GaN的穿通位错密度。降低后续生长的GaN的穿通位错密度。降低后续生长的GaN的穿通位错密度。

【技术实现步骤摘要】
一种以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法


[0001]本专利技术涉及半导体微电子相关
，应用于无极光电二极管，具体为以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法。

技术介绍

[0002]Micro LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于micro LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点,在显示方面与LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
[0003]氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)因氮化镓材料具有禁带宽度大、击穿电场强度大、载流子饱和迁移率高等优点，已被广泛应用于高温、高频、高压、大功率等电力电子器件领域。
[0004]目前，主流的几种制作氮化镓增强型器件的技术包括栅极凹槽、氟离子注入和p型氮化镓栅极等。栅极凹槽技术需要用到刻蚀工艺，而刻蚀工艺带来的损伤会导致栅极漏电增加且阈值电压不均匀；采用氟离子注入技术会有高场和高温应力下阈值电压的稳定性差的问题；p型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法，步骤S1：在MOCVD反应室内，在蓝宝石衬底上制备GaN形核层，其特征在于，还包括：步骤S2：刻蚀将衬底及GaN转移出反应室，使用KOH进行选择性刻蚀出沉积槽槽位；步骤S3：沉积二氧化硅将衬底转移至PECVD反应室中，去离子水洗净后，在形核层表面沉积一层SiO2薄膜并覆盖住所述槽位；步骤S4：刻蚀氧化硅将产品转入RIE刻蚀仓，通入CHF3，使用反应离子刻蚀刻蚀去除表面的SiO2薄膜，但保留沉积槽内的氧化硅；步骤S5：继续生长氮化镓将衬底转移入MOCVD反应室内，继续进行GaN外延生长。2.根据权利要求1所述的以SiO2覆盖的方式阻aN内位错生长的方法，其特征在于，所述步骤S1中氮化镓形核层的厚度为90
‑
120nm。3.根据权利要求2所述的以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：严利民，华鹏程，曹进，陈强，项虎迥，田辉辉，
申请(专利权)人：上海艾克森电子有限公司，
类型：发明
国别省市：