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一种以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法，步骤S1：在MOCVD反应室内，在蓝宝石衬底上制备GaN形核层，步骤S2：刻蚀将衬底及GaN转移出反应室，使用KOH进行选择性刻蚀；步骤S3：沉积二氧化硅将衬底转移至PECVD反应室中，在...
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