本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括显示区域和边框区域，显示区域包括驱动结构层和第一发光结构层，第一发光结构层包括多个第一发光器件，边框区域包括电路结构层和第二发光结构层，第二发光结构层包括多个第二发光器件；驱动结构层包括多个电路单元，电路单元包括第一像素驱动电路和第二像素驱动电路，第一发光器件与第一像素驱动电路连接，第二发光器件与第二像素驱动电路连接。本公开通过在边框区域设置发光器件，使得部分边框区域实现显示，有效增加了显示装置的显示面积，相应减小了显示装置不显示区域的面积，最大限度地减小了显示装置的边框宽度，实现了显示装置的窄边框。实现了显示装置的窄边框。实现了显示装置的窄边框。
【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置
[0001]本公开涉及但不限于显示
，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum
‑
dot Light Emitting Diodes，简称QLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED或QLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的显示装置已成为目前显示领域的主流产品。
[0003]随着显示技术的发展，消费者对显示产品显示效果的要求越来越高，极窄边框成为显示产品发展的新趋势，因此边框窄化是本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
[0004]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开示例性实施例所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以实现显示装置的窄边框。
[0006]本公开提供了一种显示基板，包括显示区域和位于所述显示区域至少一侧的边框区域；在垂直于所述显示基板的平面上，所述显示区域包括设置在基底上的驱动结构层和设置在所述驱动结构层远离所述基底一侧的第一发光结构层，所述第一发光结构层包括多个第一发光器件；所述边框区域包括设置在基底上的电路结构层和设置在所述电路结构层远离所述基底一侧的第二发光结构层，所述第二发光结构层包括多个第二发光器件；所述驱动结构层包括多个电路单元，至少一个电路单元包括第一像素驱动电路和第二像素驱动电路，所述第一发光器件与所述第一像素驱动电路连接，所述第二发光器件与所述第二像素驱动电路连接。
[0007]在示例性实施方式中，沿着远离所述显示区域的方向，所述边框区域包括依次设置的电路区、阴极搭接区、隔断区和切割区，所述第二发光结构层设置在所述电路区。
[0008]在示例性实施方式中，所述显示区域包括正常驱动区和组合驱动区，所述组合驱动区设置在所述正常驱动区与所述边框区域之间，所述正常驱动区的电路单元包括第一像素驱动电路，所述组合驱动区的电路单元包括第一像素驱动电路和第二像素驱动电路。
[0009]在示例性实施方式中，所述第一发光器件包括限定出发光区域的第一像素开口，所述第二发光器件包括限定出发光区域的第二像素开口；所述边框区域中相邻第二像素开口之间的间距大于或等于所述显示区域中相邻第一像素开口之间的间距，所述间距是像素开口中心之间的距离，像素开口中心是像素开口的几何中心。
[0010]在示例性实施方式中，在所述边框区域中，沿着远离所述显示区域的方向，相邻第二像素开口之间的间距逐渐增加。
[0011]在示例性实施方式中，所述第一发光器件包括限定出发光区域的第一像素开口，所述第二发光器件包括限定出发光区域的第二像素开口；所述边框区域中第二像素开口的面积小于或等于所述显示区域中第一像素开口的面积。
[0012]在示例性实施方式中，在所述边框区域中，沿着远离所述显示区域的方向，所述第二像素开口的面积逐渐减小。
[0013]在示例性实施方式中，所述边框区域的第二发光器件通过阳极连接线与所述显示区域的第二像素驱动电路连接。
[0014]在示例性实施方式中，所述边框区域的电路结构层至少包括第一源漏金属层和第二源漏金属层，所述阳极连接线设置在所述第二源漏金属层中。
[0015]在示例性实施方式中，所述边框区域的电路结构层至少包括第一源漏金属层、第二源漏金属层和第三源漏金属层，所述阳极连接线设置在所述第三源漏金属层中。
[0016]在示例性实施方式中，所述边框区域的电路结构层至少包括第一源漏金属层、第二源漏金属层和第三源漏金属层，所述阳极连接线包括第一阳极连接线和第二阳极连接线，所述第一阳极连接线设置在所述第二源漏金属层中，所述第二阳极连接线设置在所述第三源漏金属层中。
[0017]在示例性实施方式中，所述边框区域的第二发光结构层包括在所述电路结构层上依次设置的阳极导电层、像素定义层、有机发光层和阴极；所述阳极导电层包括阴极搭接电极和至少一个第二阳极，所述阴极搭接电极上设置有镂空区，至少一个第二阳极设置在所述镂空区内；所述像素定义层上设置有第二像素开口和连接开口，所述第二像素开口暴露出所述第二阳极，所述连接开口暴露出所述阴极搭接电极；所述有机发光层通过所述第二像素开口与所述第二阳极连接，所述阴极与所述有机发光层连接，并通过所述连接开口与所述阴极搭接电极连接。
[0018]本公开还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。
[0019]本公开还提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区域和位于所述显示区域至少一侧的边框区域；所述制备方法包括：
[0020]在所述显示区域和边框区域分别形成驱动结构层和电路结构层；所述驱动结构层包括多个电路单元，至少一个电路单元包括第一像素驱动电路和第二像素驱动电路；
[0021]在所述显示区域和边框区域分别形成第一发光结构层和第二发光结构层；所述第一发光结构层包括多个第一发光器件，所述第二发光结构层包括多个第二发光器件，所述第一发光器件与所述第一像素驱动电路连接，所述第二发光器件与所述第二像素驱动电路连接。
[0022]本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过在边框区域设置发光器件，使得部分边框区域实现显示，有效增加了显示装置的显示面积，相应减小了显示装置不显示区域的面积，最大限度地减小了显示装置的边框宽度，边框宽度可以减低到0.3mm至0.4mm左右，实现了显示装置的窄边框。
[0023]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0024]附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本
公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
[0025]图1为一种显示装置的结构示意图；
[0026]图2为一种显示基板的平面结构示意图；
[0027]图3为一种显示基板中显示区域的平面结构示意图；
[0028]图4为一种像素驱动电路的等效电路示意图；
[0029]图5为一种像素驱动电路的工作时序图；
[0030]图6为本公开示例性实施例一种边框区域的平面结构示意图；
[0031]图7为本公开示例性实施例一种组合驱动区的平面结构示意图；
[0032]图8为本公开示例性实施例一种电路区中发光器件连接的示意图；
[0033]图9为本公开示例性实施例一种显示基板的剖面结构示意图；
[0034]图10为本公开示例性实施例形成晶体管结构层图案后的示意图；
[0035]图1本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括显示区域和位于所述显示区域至少一侧的边框区域；在垂直于所述显示基板的平面上，所述显示区域包括设置在基底上的驱动结构层和设置在所述驱动结构层远离所述基底一侧的第一发光结构层，所述第一发光结构层包括多个第一发光器件；所述边框区域包括设置在基底上的电路结构层和设置在所述电路结构层远离所述基底一侧的第二发光结构层，所述第二发光结构层包括多个第二发光器件；所述驱动结构层包括多个电路单元，至少一个电路单元包括第一像素驱动电路和第二像素驱动电路，所述第一发光器件与所述第一像素驱动电路连接，所述第二发光器件与所述第二像素驱动电路连接。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，沿着远离所述显示区域的方向，所述边框区域包括依次设置的电路区、阴极搭接区、隔断区和切割区，所述第二发光结构层设置在所述电路区。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示区域包括正常驱动区和组合驱动区，所述组合驱动区设置在所述正常驱动区与所述边框区域之间，所述正常驱动区的电路单元包括第一像素驱动电路，所述组合驱动区的电路单元包括第一像素驱动电路和第二像素驱动电路。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一发光器件包括限定出发光区域的第一像素开口，所述第二发光器件包括限定出发光区域的第二像素开口；所述边框区域中相邻第二像素开口之间的间距大于或等于所述显示区域中相邻第一像素开口之间的间距，所述间距是像素开口中心之间的距离，像素开口中心是像素开口的几何中心。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，在所述边框区域中，沿着远离所述显示区域的方向，相邻第二像素开口之间的间距逐渐增加。6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一发光器件包括限定出发光区域的第一像素开口，所述第二发光器件包括限定出发光区域的第二像素开口；所述边框区域中第二像素开口的面积小于或等于所述显示区域中第一像素开口的面积。7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，在所述边框区域中，沿着远离所述显示区域的方向，所述第二像素开口的面积逐渐减小。8.根据权利要求1至7任一项所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，刘斌，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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