本申请涉及一种测针，测针包括固定部和延伸部，固定部和延伸部均为金属薄片结构，延伸部从固定部的一端面中的预设区域延伸而出，延伸部的顶部设置有接触部，接触部的表面用于与待测试电极进行接触以进行测试，接触部的表面设置有多条沟槽，通过对测针中的延伸部中的顶部结构进行改进，在延伸部的顶部设置有接触部并在接触部的表面设置多条沟槽，当上述测针中的接触部与待测试电子元器件接触时，能够使得测针自主消耗部分弹性储能以维持自身在测试过程中的稳定性，从而使得电子元器件的电极端受到的反向作用应力减少，降低待测试的电子元器件的电极受损风险。器件的电极受损风险。器件的电极受损风险。
【技术实现步骤摘要】
测针
[0001]本申请涉及电子测试领域，具体涉及一种测针。
技术介绍
[0002]由于通信行业快速全面的多领域发展，通信设备对于电子元器件的使用要求也愈发精益求精，不仅使用频率越来越高，电性精度及可靠性要求也随之提高。
[0003]电子元器件使用频率、电性范围及可靠性，除与设计和前端工艺相关外，也与电性测试分选过程密不可分，高精度且稳定的测试过程可保证电子元器件应用时的匹配度与可靠性。因此，对电性测试分选过程的稳定性及可靠性进行改善，是十分必要的。
[0004]现有电性测试过程所使用的测针，在硬度、导电性、尺寸适配度方面均有各类产品，具有多种不同特性的测针，然而，目前的电性测试所使用的测针的震动以及应力较大，容易对待测试电极造成损伤。
技术实现思路
[0005]鉴于此，本申请提供一种测针，能够降低目前电性测试所使用的测针的震动以及应力较大而易对待测试电极造成损伤的技术问题。
[0006]一种测针，包括固定部和延伸部，固定部和延伸部均为金属薄片结构，延伸部从固定部的一端面中的预设区域延伸而出；
[0007]延伸部的顶部设置有接触部，接触部的表面用于与待测试电极进行接触以进行测试，接触部的表面设置有多条沟槽。
[0008]在一个实施例中，沟槽为微纳米沟槽结构，沟槽的宽度为100nm～1000nm。
[0009]在一个实施例中，沟槽的数量为2～10条。
[0010]在一个实施例中，接触部的表面为方形。
[0011]在一个实施例中，沟槽的纵向截面包括矩形、梯形、三角形以及弧形中的至少一种。
[0012]在一个实施例中，固定部和延伸部为一体化成型结构。
[0013]在一个实施例中，固定部和延伸部均为长方体结构，延伸部的宽度小于固定部的宽度。
[0014]在一个实施例中，沟槽的深度大于或等于50nm。
[0015]在一个实施例中，固定部的金属薄片结构设置有连接孔，连接孔用于与对应的测试底座进行适配连接以进行固定。
[0016]在一个实施例中，连接孔的形状为圆形。
[0017]上述测针包括固定部和延伸部，固定部和延伸部均为金属薄片结构，延伸部从固定部的一端面中的预设区域延伸而出，延伸部的宽度小于固定部的宽度，延伸部的顶部设置有接触部，接触部的表面用于与待测试电极进行接触以进行测试，接触部的表面设置有多条沟槽，通过对测针中的延伸部中的顶部结构进行改进，在延伸部的顶部设置有接触部
并在接触部的表面设置多条沟槽，当上述测针中的接触部与待测试电子元器件接触时，接触部的表面设置有多条沟槽，此时待测试电子器件的电极与接触部中的多条沟槽的底面以及凸起产生摩擦(一般待测试电极的表面是凹凸不平的)，上述沟槽的设置会使得整个测针的弹性储能呈现周期性的变化，即在同一周期内测针将出现两条高低、相位和宽度不同的弹性储能变化曲线，即能够自主消耗部分弹性储能以维持自身在测试过程中的稳定性，从而使得电子元器件的电极端受到的反向作用应力减少，降低待测试的电子元器件的电极受损风险。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本申请实施例提供的一种测针的整体结构示意图；
[0020]图2是图1中一种测针的延伸部和接触部的局部放大的结构示意图；
[0021]图3是图2中一种测针的接触部中的沟槽局部放大的结构示意图。
具体实施方式
[0022]下面结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而非全部实施例。基于本申请中的实施例。在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
[0023]如图1所示，本申请提供一种测针100，包括固定部10和延伸部20，固定部10和延伸部20均为金属薄片结构，延伸部20从固定部10的一端面中的预设区域延伸而出。
[0024]其中，延伸部20的顶部设置有接触部30，接触部30的表面用于与待测试电极进行接触以进行测试，接触部30的表面设置有多条沟槽40，如图2所示，图2为图1中接触部30的局部放大的结构示意图，图3为图1和图2中沟槽40的局部放大的结构示意图。
[0025]其中，固定部10主要起到对延伸部20的限位和保护作用。
[0026]在一个实施例中，预设区域为固定部10的一端面中的中部区域，如图1所示。
[0027]其中，延伸部20从固定部10的一端面中的预设区域延伸而出时，通常处于倾斜角度，这是为了便于接触部30能够更好地接近待测试电极(待测试电极通常为两个端电极的元器件)。
[0028]其中，待测试电极的表面是通常凹凸不平的，存在凸起，当待测试电极的表面与接触部30之间接触时，待测试电极的表面极易与沟槽产生摩擦，有助于待测试电极的大部分凸起与上述沟槽嵌合，上述待测试电极的表面的非沟槽部分与待测试电极的表面非凸起部分嵌合，即相当于测针100的接触部30中存在沟槽所对应的弹性储能变化曲线以及非沟槽部分所对应的弹性储能变化曲线，换言之，在同一周期内测针100将出现两条高低、相位和宽度不同的弹性储能变化曲线，上述沟槽40的设置会使得整个测针100的弹性储能呈现周期性的变化，此时接触部30能够起到阻尼减震的作用，能够自主消耗部分弹性储能以维持自身在测试过程中的稳定性，从而使得电子元器件的电极端受到的反向作用应力减少，降
低待测试的电子元器件的电极受损风险。
[0029]其中，上述延伸部20从固定部10的一端面中的预设区域延伸而出时的倾斜角度可根据实际情况进行设定。
[0030]上述测针100包括固定部10和延伸部20，固定部10和延伸部20均为金属薄片结构，延伸部20从固定部10的一端面中的预设区域延伸而出，延伸部20的宽度小于固定部10的宽度，延伸部20的顶部设置有接触部30，当接触部30的表面与待测试电极进行接触以进行测试时，接触部30的表面设置有多条沟槽，此时待测试电子器件的电极与接触部30中的多条沟槽的底面以及凸起产生摩擦，这是因为一般待测试电极的表面是凹凸不平的，待测试电极的表面极易与沟槽产生摩擦，上述沟槽40的设置会使得整个测针100的弹性储能呈现周期性的变化，能够自主消耗部分弹性储能以维持自身在测试过程中的稳定性，从而使得电子元器件的电极端受到的反向作用应力减少，降低待测试的电子元器件的电极受损风险。
[0031]在一个实施例中，沟槽为微纳米沟槽结构，沟槽的宽度为100nm～1000nm。
[0032]其中沟槽的宽度通常为纳米级，沟槽的宽度通常优选为取不低于100nm，不大于1000nm，这是因为待测试电极表面通常存在凸起，凸起的宽度通常在100nm～1000nm以内，因此，当将沟槽的宽度本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种测针，其特征在于，包括固定部和延伸部，所述固定部和所述延伸部均为金属薄片结构，所述延伸部从所述固定部的一端面中的预设区域延伸而出；所述延伸部的顶部设置有接触部，所述接触部的表面用于与待测试电极进行接触以进行测试，所述接触部的表面设置有多条沟槽。2.根据权利要求1所述的测针，其特征在于，所述沟槽为微纳米沟槽结构，所述沟槽的宽度为100nm～1000nm。3.根据权利要求1所述的测针，其特征在于，所述沟槽的深度大于或等于50nm。4.根据权利要求1所述的测针，其特征在于，所述接触部的表面为方形。5.根据权利要求1所述的测针，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐银辉，姚斌，戴春雷，曾向东，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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