双端面出光激光器及其制备方法技术

本发明专利技术一方面提供了一种双端面出光激光器及其制备方法，双端面出光激光器包括：衬底；后光栅区，形成在衬底上，后光栅区两侧由近至远依次对称分布有相位区、增益区、前光栅区、调制器区；其中，后光栅区及前光栅区由光栅层构成，后光栅区及前光栅区的光栅层表面具有光栅。本发明专利技术实现了激光器速率和波长调谐性能翻倍的效果，为光通信系统提供一种新的光发射芯片的解决方案。片的解决方案。片的解决方案。

【技术实现步骤摘要】
双端面出光激光器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体光电子集成器件领域，涉及激光器，特别涉及一种双端面出光激光器及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着5G网络的快速发展，光纤通信系统对于光发射芯片的性能提出了更高的要求，其中高速率和多波长覆盖是满足互联网需要的两个重要发展方向。光发射芯片的速率由于受物理机制和工艺精度的制约，速率的提高会越来越难，为解决速率的提升，常采用带宽扩展技术，外调制技术等；多波长覆盖是为了充分利用现有网络的光纤资源，满足互联网不同的应用场景，目前多波长方案多采用并联多个固定波长激光器或者采用波长可调谐激光器来实现。这些技术使用，会带来多个问题：芯片的集成度变大，尺寸变大，功耗变高和成本增加等。

技术实现思路

[0003](一)要解决的技术问题
[0004]有鉴于此，本专利技术一方面提供了一种双端面出光激光器，另一方面提供了一种双端面出光激光器的制备方法，用于至少部分解决上述问题。
[0005](二)技术方案
[0006]本专利技术一方面提供了一种双端面出光激光器，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双端面出光激光器，其特征在于，包括：衬底(10)；后光栅区(9)，形成在所述衬底上，所述后光栅区(9)两侧由近至远依次对称分布有相位区(4、8)、增益区(3、7)、前光栅区(2、6)、调制器区(1、5)；其中，所述后光栅区(9)及前光栅区(2、6)由光栅层(19)构成，所述光栅层(19)表面具有光栅(20)。2.根据权利要求1所述的双端面出光激光器，其特征在于，所述调制器区(1、5)与所述增益区(3、7)的带隙波长相比短10～100nm。3.根据权利要求1所述的双端面出光激光器，其特征在于，所述后光栅区(9)、前光栅区(2、6)及所述相位区(4、8)与所述增益区(3、7)的带隙波长相比短90～200nm。4.根据权利要求1所述的双端面出光激光器，其特征在于，所述双端面出光激光器还包括：所述增益区(3、7)由依次叠设在所述衬底(10)上的第一下波导层(11)、第一多量子阱有源区(12)及第一上波导层(13)构成；所述调制器区(1、5)由依次叠设在所述衬底(10)上的第二下波导层(15)、第二多量子阱有源区(16)及第二上波导层(17)构成；倒台浅脊波导，形成于所述第一上波导层(13)、第二上波导层(17)及所述光栅层(19)上，所述倒台浅脊波导从下到上包括包层(21)、电接触层(22)；P电极(24)，形成于倒台浅脊波导表面；N电极(25)，形成于所述衬底(10)底部。5.根据权利要求4所述的双端面出光激光器，其特征在于，所述光栅层(19)厚度为所述第一下波导层(11)、第一多量子阱有源区(12)及第一上波导层(13)的总厚度。6.一种根据权利要求1～5任一项所述的双端面出光激光器的制备方法，其特征在于，包括：在衬底(10)上依次形成第一下波导层(11)、第一多量子阱有源区(12)及第一上波导层(13)；在所述第一上波导层(13)制备第一SiO2条形结构(14)；刻蚀掉除所述第一SiO2条形结构(14)覆盖的所述第一下波导层(11)、第一多量子阱有源区(12)及第一上波导层(13)并对接生长第二下波导层(15)、第二多量子阱有源区(16)及第二上波导层(17)；除去第一SiO2条形结构(14)并在所述第一上波导层(13)及所述第二上波导层(17)制备第二SiO2条形结...

【专利技术属性】
技术研发人员：周代兵，梁松，赵玲娟，王圩，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：