半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件及半导体激光装置制造方法及图纸

一种具有多个波导(21)的半导体激光元件(1)的制造方法，包括：第1分割工序，将形成有氮化物类半导体激光层叠构造(20)的基板(10)沿着第1方向分割而制作分割基板(3)；解理工序，将分割基板(3)沿着与第1方向正交的第2方向解理而制作半导体激光元件(5)；以及第2分割工序，将半导体激光元件(5)沿着第1方向分割而至少将该半导体激光元件(5)的较长方向的一个端部除去；解理工序包括在分割基板(3)上形成在第2方向上延伸的解理导入槽(4)的第1解理工序、以及沿着解理导入槽(4)的较长方向将分割基板(3)解理的第2解理工序；在第2分割工序中，将半导体激光元件(5)的包括解理导入槽(4)的部分除去。部分除去。部分除去。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件及半导体激光装置


[0001]本专利技术涉及半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件及具备半导体激光元件的半导体激光装置。

技术介绍

[0002]半导体激光元件由于有长寿命、高效率及小型等优点，所以以投影仪等图像显示装置为代表而被用作各种各样的用途的光源，应用范围还扩大到车载用头灯或激光加工装置的光源等。
[0003]近年来，半导体激光元件要求进一步的高输出化。例如，作为在激光加工装置的光源中使用的半导体激光元件，要求光输出超过1瓦特的大输出的元件。
[0004]该情况下，如果从1个发射极(发光部)射出大输出的激光，则有可能射出激光的前端面的光密度变得过高从而前端面发生COD(Catastrophic Optical Damage(光学灾变损伤))。
[0005]因此，为了以大输出从1个半导体激光元件射出激光，提出了具有集成了多个发射极的多发射极构造的半导体激光元件(例如专利文献1)。这种半导体激光元件例如作为具有多个波导的激光条而构成。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2007－073669号公报

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的课题
[0010]具有多个波导的半导体激光元件例如通过将形成有由氮化物类半导体材料等半导体材料构成的半导体层叠构造的基板(晶片)分割而形成。该情况下，通过激光划线(laser scribe)在形成有半导体层叠构造的基板上形成分割用的槽，通过用该分割用的槽将基板割断及解理而将基板分割为多个。
[0011]此时，由于通过激光划线从而氮化物晶体等半导体材料及基板熔融并发生溅射，所以在被施加了激光划线的部分及其周边部，会堆积被称作碎屑(debris)的加工屑。
[0012]但是，如果在半导体激光元件的安装区域中残留有分割用的槽及碎屑，则在将半导体激光元件向子装配板等进行了安装时，会发生半导体激光元件倾斜而不能以规定的姿势安装、半导体激光元件的特性劣化这样的不良状况。
[0013]通常，波导及半导体层叠构造这样的半导体激光元件的基本构造形成在基板的正面侧(例如p侧)。另一方面，在基板的反面侧仅形成有电极(例如n电极)。反面侧的电极的布图相对于正面侧的形状(例如p电极图案)而言使掩模匹配来进行。因此，在正面侧的半导体激光元件的基本构造与反面侧的电极图案之间，产生掩模匹配精度内的偏差。如后述那样，
利用解理而制作的激光谐振器的端面想要尽可能精度好地与半导体激光元件的基本构造匹配而形成。因而，解理所需要的激光划线，相比有掩模匹配偏差的反面侧而言，希望的是与处于正面侧的图案匹配来实施。
[0014]在通过结朝下(junction down)安装(面朝下安装)将半导体激光元件的p侧的面作为安装面而将半导体激光元件向子装配板等安装的情况下，如果对半导体激光元件的p侧的面实施激光划线而在半导体激光元件的p侧的面的安装区域存在分割用的槽或碎屑，则会发生上述那样的安装时的不良状况。但是，为了匹配于半导体激光元件的基本构造而正确地制作谐振器，想要对p侧的面实施激光划线。这样，安装工序的要求与芯片加工的要求对立。
[0015]本公开是为了解决这样的课题而做出的，目的在于提供能够得到半导体激光元件的半导体激光元件的制造方法等，该半导体激光元件能够对在向子装配板等进行了安装时发生不良状况这一情况进行抑制。
[0016]用来解决课题的手段
[0017]为了达成上述目的，本公开的半导体激光元件的制造方法的一技术方案，是具有多个波导的半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括：第1分割工序，将形成有具有多个波导的氮化物类半导体激光层叠构造的基板沿着第1方向分割，从而制作分别具有在与上述第1方向正交且与第1主面平行的第2方向上隔开间隔配置的多个上述波导的多个分割基板，多个上述波导分别在与上述第1主面平行的上述第1方向上延伸；解理工序，将通过上述第1分割工序制作出的上述多个分割基板中的一个沿着上述第2方向进行解理，从而制作分别具有多个上述波导的多个半导体激光元件；以及第2分割工序，将通过上述解理工序制作出的上述多个半导体激光元件中的一个沿着上述第1方向分割，从而至少将该半导体激光元件的上述第2方向上的一个端部除去；上述解理工序包括在上述分割基板上形成在上述第2方向上延伸的解理导入槽的第1解理工序、以及在上述解理导入槽中沿着上述第2方向将上述分割基板进行解理的第2解理工序；在上述第2分割工序中，将包括上述解理导入槽的部分作为上述第2方向上的上述半导体激光元件的一个端部而除去。
[0018]此外，本公开的半导体激光元件的制造方法的另一技术方案，是具有多个波导的半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括：第1分割工序，将形成有具有多个波导的氮化物类半导体激光层叠构造的基板沿着第1方向分割，从而制作分别具有在与上述第1方向正交且与第1主面平行的第2方向上隔开间隔配置的多个上述波导的多个分割基板，多个上述波导分别在与上述第1主面平行的上述第1方向上延伸；以及解理工序，将通过上述第1分割工序制作出的上述多个分割基板中的一个沿着与上述第1方向正交的平行于上述第1主面的第2方向进行解理，从而制作分别具有多个上述波导的多个半导体激光元件；上述半导体激光元件具有与上述第1方向平行的第1侧面以及与上述第1侧面相反侧的第2侧面；在上述半导体激光元件中，设相邻的两个上述波导的间隔中的最短的间隔为第1间隔，设多个上述波导中的距上述第1侧面最近的波导与上述第1侧面的间隔为第2间隔，上述第2间隔比上述第1间隔宽。
[0019]此外，本公开的半导体激光元件的一技术方案，具备：基板，具有第1主面及与上述第1主面相反侧的第2主面；以及氮化物类半导体激光层叠构造，形成在上述基板的上述第1主面的上方，具有在与上述第1主面平行的第1方向上延伸的多个波导；上述半导体激光元
件具有与上述第1主面正交且与上述第1方向平行的第1侧面、与上述第1侧面相反侧的第2侧面、以及与上述第1主面正交且与上述第1方向正交的第3侧面；上述半导体激光元件具有第1区域和第2区域，上述第1区域是形成有多个上述波导的区域，上述第2区域是被上述第1区域和上述第1侧面夹着的区域；在将上述半导体激光元件从上述第1方向观察时，在上述第1侧面形成有从上述半导体激光元件的上述第2主面侧的面朝向内方凹陷的阶差部。
[0020]此外，本公开的半导体激光元件的另一技术方案，具备：基板，具有第1主面及与上述第1主面相反侧的第2主面；以及氮化物类半导体激光层叠构造，形成在上述基板的上述第1主面的上方，具有在与上述第1主面平行的第1方向上延伸的多个波导；上述半导体激光元件具有与上述第1主面正交且与上述第1方向平行的第1侧面、与上述第1侧面相反侧的第2侧面、以及与上述第1主面正交且与上述第1方向正交的第3侧面；上述半导体激光元件具有第1区域和第2区域，上述第1区域是形成有多个上述波导的区域，上述第2区域是被上述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体激光元件的制造方法，是具有多个波导的半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括：第1分割工序，将形成有具有多个波导的氮化物类半导体激光层叠构造的基板沿着第1方向分割，从而制作分别具有在与上述第1方向正交且与第1主面平行的第2方向上隔开间隔配置的多个上述波导的多个分割基板，多个上述波导分别在与上述第1主面平行的上述第1方向上延伸；解理工序，将通过上述第1分割工序制作出的上述多个分割基板中的一个沿着上述第2方向进行解理，从而制作分别具有多个上述波导的多个半导体激光元件；以及第2分割工序，将通过上述解理工序制作出的上述多个半导体激光元件中的一个沿着上述第1方向分割，从而至少将该半导体激光元件的上述第2方向上的一个端部除去；上述解理工序包括在上述分割基板上形成在上述第2方向上延伸的解理导入槽的第1解理工序、以及在上述解理导入槽中沿着上述第2方向将上述分割基板进行解理的第2解理工序；在上述第2分割工序中，将包括上述解理导入槽的部分作为上述第2方向上的上述半导体激光元件的一个端部而除去。2.一种半导体激光元件的制造方法，是具有多个波导的半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括：第1分割工序，将形成有具有多个波导的氮化物类半导体激光层叠构造的基板沿着第1方向分割，从而制作分别具有在与上述第1方向正交且与第1主面平行的第2方向上隔开间隔配置的多个上述波导的多个分割基板，多个上述波导分别在与上述第1主面平行的上述第1方向上延伸；以及解理工序，将通过上述第1分割工序制作出的上述多个分割基板中的一个沿着与上述第1方向正交的平行于上述第1主面的第2方向进行解理，从而制作分别具有多个上述波导的多个半导体激光元件；上述半导体激光元件具有与上述第1方向平行的第1侧面以及与上述第1侧面相反侧的第2侧面；在上述半导体激光元件中，设相邻的两个上述波导的间隔中的最短的间隔为第1间隔，设多个上述波导中的距上述第1侧面最近的波导与上述第1侧面的间隔为第2间隔，上述第2间隔比上述第1间隔宽。3.如权利要求2所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于，上述半导体激光元件具有第1区域和第2区域，上述第1区域是形成有多个上述波导的区域，上述第2区域是被上述第1区域和上述第1侧面夹着且具有上述第2间隔的区域；上述第2区域是不作为半导体激光器发挥功能的区域。4.如权利要求3所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于，在上述半导体激光元件中，设多个上述波导中的距上述第2侧面最近的波导与上述第2侧面的间隔为第3间隔，上述第3间隔比上述第1间隔宽。5.如权利要求4所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于，
上述半导体激光元件具有第3区域，该第3区域是被上述第1区域和上述第2侧面夹着且具有上述第3间隔的区域；上述第3区域是不作为半导体激光器发挥功能的区域。6.如权利要求2～5中任一项所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于，上述解理工序包括在上述第2区域中形成在上述第2方向上延伸的解理导入槽的第1解理工序、以及沿着上述解理导入槽的上述第2方向将上述分割基板进行解理的第2解理工序。7.如权利要求6所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于，上述解理导入槽没有达到上述第1区域中的多个上述波导中距上述第1侧面最近的上述波导。8.如权利要求1、6、7中任一项所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于，上述解理导入槽通过激光划线而形成。9.如权利要求1、6～8中任一项所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于，通过上述第2解理工序而形成于上述半导体激光元件的与上述第2方向平行的第3侧面的平坦度，高于通过上述第1分割工序而形成于上述半导体激光元件的与上述第1方向平行的第1侧面的平坦度以及与上述第1侧面相反侧的第2侧面的平坦度。10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于，上述基板具有形成有...

【专利技术属性】
技术研发人员：左文字克哉，浅香浩，
申请(专利权)人：新唐科技日本株式会社，
类型：发明
国别省市：