【技术实现步骤摘要】
检测晶圆表面激光打标的方法、装置、设备及存储介质
[0001]本专利技术实施例涉及半导体加工
，尤其涉及一种检测晶圆表面激光打标的方法、装置、设备及存储介质。
技术介绍
[0002]目前，为了便于晶圆加工与制造过程的交流，同时能够对晶圆进行有效的履历跟踪，因此一般需要对晶圆做统一标识。通常是采用激光打标编码的技术，具体是根据不同加工工艺要求对晶圆进行硬打标与软打标，其操作是将激光束聚焦，在晶圆表面留下被熔化的激光凹坑，这些激光凹坑点阵排列成所要求的各种字符。一般情况下硬打标通常是在线切割、倒角工序之后在晶圆的背面进行激光打标，软打标通常在抛光工序之后在晶圆的正面进行激光打标。晶圆的激光打标是按照SEMI标准的M12/T7两种字符以及区域要求进行打标的，参见图1，其示出了晶圆背面的激光打标区域以及激光打标参数，其中，A表示边缘去除区域(Edge Exclusion Area)；B表示质量保证区边界(FQA(Fixed Quality Area)Boundary)；C表示边缘轮廓区域(Edge Profile Region...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种检测晶圆表面激光打标的方法，其特征在于，所述方法包括：预先获取晶圆表面打标编码的多种异常类型；利用光学字符识别系统读取待测晶圆表面的打标编码，并根据读取结果判定所述打标编码所对应的潜在异常类型；利用电荷耦合器件识别系统采集所述待测晶圆表面的打标编码的图像信息，基于所述图像信息及所述潜在异常类型，按照设定的判定规则判定所述打标编码对应的实际异常类型。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预先获取晶圆表面打标编码的多种异常类型，包括：基于M12/T7字符类型，所述晶圆表面打标编码的异常类型包括：字形变形、打标打糊、打标偏移、打标沾污/凹坑、M12标码缺失、T7标码缺失、M12&T7标码缺失、打标划痕。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用光学字符识别系统读取待测晶圆表面的打标编码，并根据读取结果判定所述打标编码所对应的潜在异常类型，包括：利用所述光学字符识别系统读取所述待测晶圆表面的打标编码，并根据读取结果判定所述打标编码所对应的潜在异常类型包含以下几种情况：当根据所述读取结果进行打分且分数小于设定的分数值时，所述打标编码的潜在异常类型为：字形变形，或者打标打糊，或者打标沾污/凹坑，或者打标划痕；当所述读取结果为空白时，所述打标编码的潜在异常类型为：打标偏移，或者M12&T7标码缺失；当无法读出M12标码时，所述打标编码的潜在异常类型为：M12标码缺失；当无法读出T7标码时，所述打标编码的潜在异常类型为：T7标码缺失。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用电荷耦合器件识别系统采集所述待测晶圆表面的打标编码的图像信息，基于所述图像信息及所述潜在异常类型，按照设定的判定规则判定所述打标编码对应的实际异常类型，包括：基于采集的所述图像信息，按照激光打标孔径将所述待测晶圆表面的打标区域划分为多个子区域；依次扫描每个所述子区域，采用四点定位法检查每个所述子区域内的四个点位以确定所述打标编码所对应的字符字形，并将所述打标编码所对应的字符字形与设定的字符字形进行对比，同时利用所述光学字符识别系统读取结果中的字符字形对应的读取结果校验所述打标编码所对应的字符字形与设定的字符字形的对比结果；当所述光学字符识别系统读取结果中的字符字形对应的读取结果与所述打标编码所对应的字符字形与设定的字符字形的对比结果相一致时，利用设定直径的圆形对所述打标编码对应的激光凹坑的孔径及形貌进行检测；当所述打标编码对应的激光凹坑的孔径及形貌检测通过时，对所述打标编码位置处的划痕进行判定；输出所述打标编码对应的实际异常类型。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，每个所述子区域的尺寸为200μm
×
200μm。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述图像信息及所述潜在异常类型，按照设定的判定规则判定所述打标编码对应的实际异常类型，包括：
当所述打标编码中的single字符密度不符合设定的5
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9点阵规则，和/或，double字符密度不符合设定的10
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18点阵规则时，表征所述打标编码对应的实际异常类型为字形变形；当所述打标编码对应的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李佳豪，史进，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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