一种芯片稳定性的自检测方法及其电路技术

本发明专利技术公开了一种芯片稳定性的自检测方法及其电路，方法由芯片工作前自发执行，包括：对芯片内部的LDO电路输出端进行采样，并根据采样得到的LDO电路输出，得到所述LDO电路的脉冲响应；根据所述脉冲响应，计算得到所述LDO电路的阻尼比，并根据所述阻尼比，计算得到所述LDO电路的相位裕度；当所述相位裕度大于预设角度时，则判断所述LDO电路处于稳定状态；当所述相位裕度小于或等于预设角度时，则判断所述LDO电路处于非稳定状态。本发明专利技术实施例解决现有技术中芯片电源可靠性低、芯片测试成本高、芯片测试效率及准确率低下的技术问题。芯片测试效率及准确率低下的技术问题。芯片测试效率及准确率低下的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片稳定性的自检测方法及其电路


[0001]本专利技术涉及电子电路
，尤其涉及一种芯片稳定性的自检测方法及其电路。

技术介绍

[0002]随着模拟电路技术的发展，检测LDO(low drop－out linear regulator，低压差线性稳压器)电路的稳定性十分重要，由于LDO是闭环系统，因此输出电压的稳定性是一项至关重要的参数。通常为了测试芯片内部电源电路(如LDO)的性能参数，都需要设计人员设计额外的辅助电路设计，将内部电源电路的信号引出到芯片引脚进行测试。由于芯片的引脚通常十分有限，不会专门使用一个引脚来测试LDO的输出信号，所以需要借助引脚复用的方法(即：芯片在工作状态下芯片引脚正常输出，在测试时输出LDO的输出信号)。但如何保证芯片在工作状态下芯片引脚正常输出，在测试时输出LDO的输出信号，不能混乱输出也是设计人员所要面临的难题之一。
[0003]对于量产芯片，需要借助ATE(Automatic Test Equipment集成电路自动测试机)测试机台来测量每个芯片的引脚信号，进而判断内部电源电路的性能指标。如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片稳定性的自检测方法，其特征在于，由芯片工作前自发执行，包括：对芯片内部的LDO电路输出端进行采样，并根据采样得到的LDO电路输出，得到所述LDO电路的脉冲响应；根据所述脉冲响应，计算得到所述LDO电路的阻尼比，并根据所述阻尼比，计算得到所述LDO电路的相位裕度；当所述相位裕度大于预设角度时，则判断所述LDO电路处于稳定状态；当所述相位裕度小于或等于预设角度时，则判断所述LDO电路处于非稳定状态。2.如权利要求1所述的一种芯片稳定性的自检测方法，其特征在于，在所述对芯片内部的LDO电路输出端进行采样之前，还包括：将芯片内部的线性反馈移位寄存器的输出值输入至所述LDO电路中；当所述线性反馈移位寄存器的输出值为高电平，则所述LDO电路的输入电压为第一基准电压，并将所述线性反馈移位寄存器生成的伪随机序列输入至所述LDO电路中；当所述线性反馈移位寄存器的输出值为低电平，则所述LDO电路的输入电压为第二基准电压，并将所述线性反馈移位寄存器生成的伪随机序列输入至所述LDO电路中。3.如权利要求2所述的一种芯片稳定性的自检测方法，其特征在于，所述第二基准电压与所述第一基准电压之比为R2/R1+R2；其中，R1为LDO电路中的第一电阻，R2为LDO电路中的第二电阻，所述第一基准电压与所述第二基准电压都要在所述LDO电路的正常工作所输入的预设电压范围内。4.如权利要求2或3所述的一种芯片稳定性的自检测方法，其特征在于，所述对芯片内部的LDO电路输出端进行采样，并根据采样得到的LDO电路输出，得到所述LDO电路的脉冲响应，具体为：通过所述LDO电路所输入的参考电压和所述伪随机序列结合，得到所述LDO电路的输入信号，并将所述伪随机序列作为所述LDO电路输入端的白噪声信号；其中，所述参考电压为第一基准电压或第二基准电压；通过ADC采样电路输出，对芯片内部的LDO电路的输出电压进行采样；根据所述输入信号、采样的LDO电路输出信号及所述白噪声信号，计算得到信号相关结果；根据所述信号相关结果，计算得到所述LDO电路的脉冲响应。5.如权利要求4所述的一种芯片稳定性的自检测方法，其特征在于，所述信号相关结果的计算方式为：的计算方式为：R
yu
(m)＝h(n)+其中，h(n)为所述LDO电路的脉冲响应，C为常数，V
ref
为参考电压，V
LFSR
(n)为伪随机序
列，u(n)为所述LDO电路的输入信号，y(n)为所述LDO电路的输出信号，h(k)为当自变量为k时的脉冲响应。6.如权利要求1所述的一种芯片稳定性的自检测方法，其特征在于，在所述根据所述脉冲响应，计算得到所述LDO电路的阻尼比之前，还包括：对所述LDO电路中的运算放大器、PMOS开关管和反馈电路进行小信号分析，分别得到运算放大器和PMOS开关管的小信号模型；其中，所述反馈电路为第三电阻和第四电阻组成部分；根据所述运算放大器的小信号模型，得到传输信号的第一极点；根据所述PMOS开关管的小信号模型，得到传输信号的第二极点和零点；根据所述反馈电路的小信号模型，得到传输信号的第三极点；根据所述第一极点、第二极点、第三极点和零点，将所述LDO电路近似为二阶系统，并判断出所述二阶系统的类别；所述二阶系统的类别包括欠阻尼系统和过阻尼系统。7.如权利要求6所述的一种芯片稳定性的自检测方法，其特征在于，所述根据所述脉冲响应，计算得到所述LDO电路的阻尼比，具体为：若所述二阶系统为欠阻尼系统，则通过所述二阶系统的传输函数和所述脉冲响应，计算出第一单位脉冲响应函数，并根据预设函数横坐标位置，计算出所述LDO电路为欠阻尼系统时的阻尼比；其中，所述LDO电路为欠阻尼系统时的阻尼比范围为(0，1)；若所述二阶系统为过阻尼系统，则通过所述二阶系统的二阶微分方程进行定义，并根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：连成洲，张建华，王云，陆超，郑凯华，李荣荣，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：