【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体涉及半导体芯片、焊料球以及组件结构的形成方法。
技术介绍
对于半导体芯片面朝下安装在电路板上的倒装芯片组件,底填技术通常已知为将树脂材料填充在半导体芯片和电路板之间(例如,参见专利文献1)。当大尺寸的无铅焊料球形成在半导体芯片上时,可以使用光敏干膜抗蚀剂(例如,见非专利文献1)。此外,还使用抗蚀剂掩模形成大规模无铅焊料球的技术(例如,参见非专利文献2)。专利文献1日本专利申请公开No.9-172035非专利文献1URLFujitsu Co.,Ltd.,“Forming Lead-Free Fine Solder Bumps at Halfa Cost,12/12/2001,,Internet<URLhttp//pr.fjitsu.com/jp/news/2001/12/12-1.html>非专利文献2S.Sakuyama等人“Technology for Forming of Batch of Bumps onSemiconductor Wafer”,7thSymposium Mate2001,Micro-Contact ResearchComm ...
【技术保护点】
一种焊料球的形成方法,包括以下步骤:在衬底上形成电极焊盘;在电极焊盘的位置处形成具有第一开口的绝缘层;用包括焊料和具有底填性质的第一树脂填充第一开口;以及对焊膏进行加热工艺,在电极焊盘上形成焊料球,并在电极焊 盘和衬底之间的边界上形成所述第一树脂的固化的树脂部件。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:藤森城次,山口一郎,
申请(专利权)人:富士通株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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