晶片载放台制造技术

本发明专利技术提供一种晶片载放台，其抑制晶片产生热点。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及多个孔(例如气体孔(44)、端子孔(51))。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)，且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)与陶瓷基材(20)的下表面接合，且具有冷媒流路(32)。气体孔(44)、端子孔(51)沿着上下方向贯穿冷却基材(30)。在这些孔的周边区域设置有促进流通于冷媒流路(32)的冷媒与载放于晶片载放面(22a)的晶片(W)之间的热交换的热交换促进部(例如流路变细的部分(32a))。分(32a))。分(32a))。

【技术实现步骤摘要】
晶片载放台


[0001]本专利技术涉及晶片载放台。

技术介绍

[0002]以往，已知一种晶片载放台，该晶片载放台具备：陶瓷基材，其具有晶片载放面且内置有电极；冷却基材，其具有冷媒流路；以及接合层，其将陶瓷基材和冷却基材接合。例如，专利文献1、2中记载有如下内容，即，上述晶片载放台中，作为冷却基材，采用由线热膨胀系数与陶瓷基材为相同程度的金属基复合材料制作的部件。另外，记载有如下内容，即，在晶片载放台设置供用于向电极供电的供电端子插穿的端子孔、用于向晶片的背面供给He气体的气体孔、或者供将晶片自晶片载放面抬起的升降销插穿的升降销孔。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特许第5666748号公报
[0006]专利文献2：日本特许第5666749号公报

技术实现思路

[0007]然而，在端子孔、气体孔或者升降销孔的周边，排热能力差，因此，晶片的上述孔的正上方周边与其他部分相比，有时变成温度升高的所谓热点。
[0008]本专利技术是为了解决像这样的课题而实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片载放台，其中，具备：陶瓷基材，该陶瓷基材在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面，且内置有电极；冷却基材，该冷却基材与所述陶瓷基材的下表面接合，且具有冷媒流路；多个孔，该多个孔沿着上下方向贯穿所述冷却基材；以及热交换促进部，该热交换促进部设置于所述多个孔中的至少1个孔的周边区域，促进流通于所述冷媒流路的冷媒与载放于所述晶片载放面的晶片之间的热交换。2.根据权利要求1所述的晶片载放台，其中，所述热交换促进部中，与偏离所述孔的周边区域的区域相比，所述冷媒流路变细。3.根据权利要求2所述的晶片载放台，其中，所述热交换促进部中，与偏离所述孔的周边区域的区域相比，俯视所述冷媒流路时，所述冷媒流路的宽度变窄。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的晶片载放台，其中，所述热交换促进部中，在所述冷媒流路的内表面设置有翅片。5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上靖也，久野达也，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：