生成物去除装置、处理系统及生成物去除方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够充分地去除在真空泵的内部沉积的生成物并且能够抑制构成真空泵的母材的腐蚀的生成物去除装置、处理系统及生成物去除方法。本发明专利技术涉及的生成物去除装置具备：传感器，用于测量真空泵的内部的温度、真空泵内的流路上的生成物的膜厚或真空泵的振动频率；气体供给装置，用于向真空泵供给包含卤化氢、氟、氯、三氟化氯或氟自由基的气体；及控制装置，控制装置基于根据传感器测量出的温度而计算出的升温速度、膜厚或振动频率，控制气体供给装置以停止向真空泵供给气体。体供给装置以停止向真空泵供给气体。体供给装置以停止向真空泵供给气体。

【技术实现步骤摘要】
生成物去除装置、处理系统及生成物去除方法


[0001]本专利技术涉及生成物去除装置、处理系统及生成物去除方法。

技术介绍

[0002]真空泵作为制造半导体、液晶、太阳能面板、LED等的设备之一而被广泛地使用。在这些产品的制造工序中，真空泵与半导体处理装置的腔室连接，将腔室内的工艺气体吸入，并在腔室内制造真空环境。另外，被用于半导体的处理的工艺气体有时含有生成生成物的气体。因此，若气体从腔室流入真空泵，则可能在真空泵内的流路上生成生成物。而且，如果生成物被夹在真空泵的转子彼此之间的间隙、转子与收纳转子的壳体的间隙等，有生成物妨碍真空泵的正常旋转的担忧。因此，要求去除沉积于真空泵的内部的生成物。
[0003]作为解决这样的技术问题的专利技术的一例，已知专利文献1中公开的排气设备系统。在专利文献1中，如其图1等所示，公开了具有用于对制造装置的腔室内的气体进行排气的排气设备和气体供给装置的排气设备系统。而且，气体供给装置构成为，能够向排气设备供给包含卤化氢、氟、氯、三氟化氯、氟自由基中的至少一种的气体。由此，该排气设备系统通过使在构成排气设备的真空泵等的内部沉积的生成物与包含卤化氢、氟、氯、三氟化氯、氟自由基中的至少一种的气体反应，从而能够去除生成物。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2019
‑
12812号公报
[0007]专利技术要解决的技术问题
[0008]然而，在专利文献1所公开的排气设备系统中，气体供给装置向排气设备供给包含卤化氢、氟、氯、三氟化氯、氟自由基中的至少一种的气体的量没有被公开。卤化氢、氟、氯、三氟化氯以及氟自由基去除沉积于真空泵内的生成物，并且也可能蚀刻构成真空泵的母材。因此，在向真空泵供给的卤化氢、氟、氯、三氟化氯或氟自由基过多的情况下，构成真空泵的母材由于过蚀刻而被腐蚀，有需要提前更换母材的担忧。另外，在向真空泵供给的卤化氢、氟、氯、三氟化氯或氟自由基过少的情况下，沉积于真空泵内的生成物可能没有被充分去除。在该情况下，生成物夹在真空泵的转子彼此间的间隙或转子与收纳转子的壳体的间隙等，有妨碍真空泵的正常旋转的担忧。

技术实现思路

[0009]于是，鉴于上述技术问题，本专利技术的一个目的是，提供能够充分地去除沉积于真空泵的内部的生成物，并且能够抑制腐蚀构成真空泵的母材的生成物去除装置、处理系统及生成物去除方法。
[0010]用于解决技术问题的技术手段
[0011]一个实施方式涉及的生成物去除装置具备：传感器，该传感器用于测量真空泵的内部的温度、所述真空泵内的流路上的生成物的膜厚或所述真空泵的振动频率；气体供给
装置，该气体供给装置用于向所述真空泵供给包含卤化氢、氟、氯、三氟化氯或氟自由基的气体；以及控制装置，所述控制装置基于根据所述传感器测量出的所述温度而计算出的升温速度、所述膜厚或所述振动频率，控制所述气体供给装置以停止向所述真空泵供给所述气体。
[0012]一个实施方式涉及的处理系统具备：腔室；真空泵；用于将所述腔室与所述真空泵连接的配管；以及与所述配管连接的上述生成物去除装置。
[0013]一个实施方式涉及的生成物去除方法具有以下工序：向真空泵供给包含卤化氢、氟、氯、三氟化氯或氟自由基的气体的工序；测量所述真空泵的内部的温度、所述真空泵内的流路上的生成物的膜厚或所述真空泵的振动频率的工序；以及基于根据所述温度计算出的升温速度、所述膜厚或所述振动频率，停止向所述真空泵供给所述气体的工序。
附图说明
[0014]图1是本专利技术的实施方式涉及的处理系统的框图。
[0015]图2使表示图1所示的控制装置和真空泵的构成的框图。
[0016]图3是表示图1所示的等离子体源的构成的结构图。
[0017]图4是表示本专利技术的另一实施方式涉及的气体供给装置的结构的框图。
[0018]图5是表示图1所示的生成物去除装置动作时的真空泵内的时间与升温速度的关系的图。
[0019]图6是表示图1所示的生成物去除装置动作时的真空泵内的时刻与温度的关系的图。
[0020]图7是表示本专利技术的另一实施方式涉及的控制装置和真空泵的构成的框图。
[0021]图8是表示本专利技术的另一实施方式涉及的控制装置和真空泵的构成的框图。
[0022]符号说明
[0023]100：处理系统
[0024]110：半导体处理装置
[0025]112：腔室
[0026]120：无害化装置
[0027]150：真空泵
[0028]160：第一真空泵
[0029]164：罗茨转子
[0030]170：第二真空泵
[0031]174：罗茨转子
[0032]200：生成物去除装置
[0033]300：气体供给装置
[0034]310：等离子体源
[0035]320：减压器
[0036]330：阀
[0037]340：配管
[0038]360：气体供给装置
[0039]400：传感器
[0040]420a、420b：温度传感器
[0041]422a、422b：温度测量部
[0042]440a、440b：光学式膜厚计
[0043]442a、442b：入射光纤
[0044]444a、444b：接收光纤
[0045]450：振动测量机
[0046]500：控制装置。
具体实施方式
[0047]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。在以下进行说明的附图中，对相同或等同的构成要素标注相同的符号并省略重复说明。
[0048]图1是本专利技术的实施方式涉及的处理系统100的框图。参照图1，作为一例，处理系统100具备半导体处理装置110、生成物去除装置200、无害化装置120、真空泵150以及多个配管130、132。首先，说明处理系统100的各构成要素。
[0049]作为一例，半导体处理装置110具备腔室112和阀114。作为一例，半导体处理装置110是用于向配置于腔室112内的基板提供工艺气体并对基板进行成膜处理的装置。腔室112与配管130连接。因此，在成膜处理中被使用之后的工艺气体经由配管130向真空泵150排出。另外，阀114具有对从腔室112排出的工艺气体的流量进行调整的功能。另外，在本说明书中，半导体处理装置意味着在半导体制造时对基板进行某种处理的装置。例如，半导体处理装置包含化学气相沉积(CVD)装置、原子层沉积(ALD)装置。
[0050]真空泵150被用于吸入腔室112的内部的工艺气体并在腔室112内制造真空。真空泵150构成为在进气时使进气口侧的压力为100Pa至300Pa。另外，真空泵150经由配管132与无害化装置120连接。由此，真空泵150使从腔室112内进气的工艺气体向无害化装置120流动。另外，在后文叙述真空泵150的详细结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种生成物去除装置，其特征在于，具备：传感器，该传感器用于测量真空泵的内部的温度、所述真空泵内的流路上的生成物的膜厚或者所述真空泵的振动频率；气体供给装置，该气体供给装置用于向所述真空泵供给包含卤化氢、氟、氯、三氟化氯或氟自由基的气体；以及控制装置，所述控制装置基于根据所述传感器测量出的所述温度而计算出的升温速度、所述膜厚或所述振动频率，控制所述气体供给装置以停止向所述真空泵供给所述气体。2.根据权利要求1所述的生成物去除装置，其特征在于，所述传感器具备用于测量所述真空泵的内部的所述温度的温度传感器，所述控制装置根据所述传感器测量出的所述温度而计算所述升温速度，在所述升温速度开始减少时或所述升温速度从规定的升温速度以上变为规定的升温速度以下时，控制所述气体供给装置以停止向所述真空泵供给所述气体。3.根据权利要求2所述的生成物去除装置，其特征在于，所述温度传感器具有用于配置在所述真空泵的转子的下游侧的温度测量部。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的生成物去除装置，其特征在于，所述传感器具备用于测量所述真空泵内的流路上的生成物的膜厚的膜厚计，在膜厚计测量出的所述膜厚为规定的厚度以下时，所述控制装置控制所述气体供给装置，以停止向所述真空泵供给所述气体。5.根据权利要求4所述的生成物去除装置，其特征在于，所述膜厚计是光学式膜厚计，所述光学式膜厚计具有用于射出光的入射光纤和用于接收所述光进行反射后的反射光的接收光纤，并且所述光学式膜厚计构成为，基于所述接收光纤接收到的所述反射光而求出所述膜厚。6.根据权利要求1至3中任意一项所述的生成物去除装置，其特征在于，所述传感器具备用于测量所述真空泵的振动频率的振动测量机，在所述振动...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈崎史弥，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：