石墨片用聚酰亚胺膜的制造方法和石墨片的制造方法技术

技术编号:37298364 阅读:20 留言:0更新日期:2023-04-21 22:44
本发明专利技术提供石墨片用聚酰亚胺膜的制造方法和利用其的石墨片的制造方法,上述石墨片用聚酰亚胺膜的制造方法包括如下步骤:准备聚酰胺酸溶液,在上述聚酰胺酸溶液中添加Zeta电位为+30mV至+40mV或

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】石墨片用聚酰亚胺膜的制造方法和石墨片的制造方法


[0001]涉及石墨片用聚酰亚胺膜的制造方法和石墨片的制造方法,更详细而言,涉及热导率优异的石墨片用聚酰亚胺膜的制造方法和石墨片的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来,电子设备变得轻量化、小型化、薄型化以及高集成化,因此电子设备中产生大量的热。这样的热可能会缩短产品的寿命或者引发故障、误操作等。因此,对于电子设备的热管理成为一个重要的课题。
[0003]石墨片具有比铜或铝等金属片更高的热导率,因此作为电子设备的散热构件受到关注。这样的石墨片可以通过多种方法来制造,例如,可以使高分子膜碳化和石墨化来制造。特别是,聚酰亚胺膜由于其优异的机械、热学尺寸稳定性、化学稳定性等,因此作为石墨片制造用高分子膜受到瞩目。
[0004]已知由聚酰亚胺膜制造的石墨片的物性受到聚酰亚胺膜的物性的影响。因此,实际情况是,虽然开发了多种石墨片用聚酰亚胺膜,但仍然需要能够制造具有更高热导率的石墨片的聚酰亚胺膜。

技术实现思路

[0005]技术课题
[0006]本专利技术的在于,提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种石墨片用聚酰亚胺膜的制造方法,其包括如下步骤:准备聚酰胺酸溶液,在所述聚酰胺酸溶液中添加Zeta电位为+30mV至+40mV或

40mV至

30mV的升华性无机填充剂溶液而制造聚酰亚胺膜用前体组合物,然后由所述前体组合物获得聚酰亚胺膜。2.根据权利要求1所述的石墨片用聚酰亚胺膜的制造方法,所述聚酰胺酸溶液通过使二胺单体与二酐单体在溶剂中反应来制造,所述二胺单体包含4,4'

二氨基二苯醚、3,4'

二氨基二苯醚、对苯二胺、间苯二胺、4,4'

亚甲基双苯胺、3,3'

亚甲基双苯胺或它们的组合,所述二酐单体包含均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'

联苯四甲酸二酐、2,3,3',4

联苯四甲酸二酐、氧双邻苯二甲酸酐、双(3,4

二羧基苯基)砜二酐、3,3',4,4'

二苯甲酮四甲酸二酐或它们的组合。3.根据权利要求1所述的石墨片用聚酰亚胺膜...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑炯燮元东荣
申请(专利权)人:聚酰亚胺先端材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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