半导体装置制造方法及图纸

在具有双栅极的沟槽栅构造的半导体装置中，第1杂质区域(13)从单元部(1)延伸设置至外周部(2)，在层间绝缘膜(21)中，在外周部(2)中的比单元部(1)靠一个方向侧的部分，形成有使第1杂质区域(13)露出的第2接触孔(21b)。并且，第1电极(22)在外周部(2)中经由第2接触孔(21b)而与第1杂质区域(13)电连接。(21b)而与第1杂质区域(13)电连接。(21b)而与第1杂质区域(13)电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
[0001]对关联申请的相互参照
[0002]本申请基于2020年8月26日申请的日本专利申请第2020－142628号，其记载内容通过参照包含于此。


[0003]本公开涉及具有双栅极的沟槽栅构造的半导体装置。

技术介绍

[0004]以往，提出了具有单元部和外周部并且在单元部形成具有双栅极的沟槽栅构造的半导体元件的技术(例如参照专利文献1)。具体而言，这样的半导体装置利用在n
+
型的漏极层之上形成有n
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型的漂移层的半导体衬底而构成。并且，在半导体衬底的表层部，形成有体(body)区域、源极区域等。此外，在半导体衬底中，以将体区域及源极区域贯通而达到漂移层的方式形成有沟槽栅构造。该半导体装置中的沟槽栅构造具有双栅极，在栅极沟槽的底部侧隔着屏蔽绝缘膜而配置有被设为源极电位的屏蔽电极，并且在栅极沟槽的开口部侧隔着栅极绝缘膜而配置有栅极电极。由此，能够降低在栅极电极与漏极电极之间产生的寄生电容。另外，在屏蔽电极与栅极电极之间形成有中间绝缘膜。
[0005]现有技术文献
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，形成有具有双栅极的沟槽栅构造的半导体元件，其特征在于，具有形成有上述半导体元件的单元部(1)和将上述单元部包围的外周部(2)，上述单元部具有：第1导电型的漂移层(12)；第2导电型的第1杂质区域(13)，形成在上述漂移层上；第1导电型的第2杂质区域(14)，形成在上述第1杂质区域内的该第1杂质区域的表层部，杂质浓度比上述漂移层高；多个上述沟槽栅构造，在以一个方向为长度方向且从上述第2杂质区域将上述第1杂质区域贯通而达到上述漂移层的呈条状配置的多个栅极沟槽(16)内分别隔着绝缘膜(17)依次层叠有屏蔽电极(18)、中间绝缘膜(20)以及栅极电极(19)而被设为上述双栅极；第1导电型或第2导电型的高浓度层(11)，隔着上述漂移层而形成在上述第1杂质区域的相反侧，杂质浓度比上述漂移层高；层间绝缘膜(21)，配置在上述沟槽栅构造与上述第1杂质区域及上述第2杂质区域之上，形成有与上述第1杂质区域及上述第2杂质区域相连的第1接触孔(21a)；第1电极(22)，经由上述第1接触孔而与上述第2杂质区域及上述第1杂质区域电连接；以及第2电极(25)，与上述高浓度层电连接，上述第1...

【专利技术属性】
技术研发人员：泷泽伸，野中裕介，合田健太，原田峻丞，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：