用于直视型显示器的次像素发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种方法，其包含：将第一LED的第一子集从第一衬底转移到第一背板，以在像素区域中形成第一次像素；将第二LED的第一子集转移到第二背板且将所述第二LED的所述第一子集与第二衬底分离，以在所述第二衬底上留下第一空位；在将所述第二LED的所述第一子集转移到所述第二背板之后，在位于所述第二衬底上的第二LED的第二子集上形成额外导电材料；将所述第二衬底定位于所述第一背板上方，使得所述第一次像素安置于所述第一空位中；及将所述第二LED的所述第二子集转移到所述第一背板上的接合结构的第二子集，以在所述像素区域中形成第二次像素，同时间隙存在于所述第一次像素与所述第二衬底之间。所述第二衬底之间。所述第二衬底之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于直视型显示器的次像素发光二极管及其制造方法


[0001]本专利技术涉及发光装置，且特定来说，涉及用于直视型显示器装置的次像素发光二极管及其制造方法。

技术介绍

[0002]例如发光二极管(LED)的发光装置用于例如位于膝上型计算机或电视中的液晶显示器中的背光的电子显示器中。发光装置包含发光二极管及经配置以发射光的各种其它类型的电子装置。

技术实现思路

[0003]各种实施例提供一种显示器装置，其包括：背板；含有第一反射器且经配置以发射第一色彩光的第一发光二极管(LED)，其接合到所述背板；含有第二反射器且经配置以发射不同于所述第一色彩光的第二色彩光的第二LED，其接合到所述背板；及含有第三反射器且经配置以发射不同于所述第一及第二色彩光的第三色彩光的第三LED，其接合到所述背板。所述第二反射器比所述第一反射器厚，且所述第三反射器比所述第二反射器厚。
[0004]各种实施例提供一种转移发光二极管(LED)的方法，其包括：提供经配置以发射第一色彩光且位于第一衬底上的第一LED及经配置以发射不同于所述第一色彩光的第二色彩光且位于第二衬底上的第二LED；将所述第一LED的第一子集转移到第一背板上的接合结构的第一子集以在像素区域中形成第一次像素且将所述第一LED的所述第一子集与所述第一衬底分离；将所述第二LED的第一子集转移到第二背板且将所述第二LED的所述第一子集与所述第二衬底分离以在所述第二衬底上留下第一空位；在将第二LED的所述第一子集转移到所述第二背板之后，在位于所述第二衬底上的第二LED的第二子集上形成额外导电材料；将所述第二衬底定位于所述第一背板上方，使得所述第一次像素安置于所述第一空位中；及将所述第二LED的所述第二子集转移到所述第一背板上的接合结构的第二子集以在所述像素区域中形成第二次像素，同时间隙归因于所述额外导电材料的存在而存在于所述第一次像素与所述第二衬底之间。
附图说明
[0005]图1A是根据本公开的各种实施例的发光二极管的第一配置的垂直横截面图。
[0006]图1B是根据本公开的各种实施例的发光二极管的第二配置的垂直横截面图。
[0007]图2A是根据本公开的各种实施例的发光二极管的第三配置的垂直横截面图。
[0008]图2B是根据本公开的各种实施例的发光二极管的第四配置的垂直横截面图。
[0009]图3A是根据本公开的各种实施例的发光二极管的第五配置的垂直横截面图。
[0010]图3B是根据本公开的各种实施例的发光二极管的第六配置的垂直横截面图。
[0011]图4A是根据本公开的各种实施例的发光二极管的第七配置的垂直横截面图。
[0012]图4B是根据本公开的各种实施例的发光二极管的第八配置的垂直横截面图。
[0013]图4C是根据本公开的各种实施例的发光二极管的第九配置的垂直横截面图。
[0014]图5A说明根据本公开的各种实施例的阳极触点的第一配置。
[0015]图5B说明根据本公开的各种实施例的阳极触点的第二配置。
[0016]图5C说明根据本公开的各种实施例的阳极触点的第三配置。
[0017]图5D说明根据本公开的各种实施例的阳极触点的第四配置。
[0018]图6是根据本公开的各种实施例的第一金属层的沉积之后的示范性处理中发光二极管的垂直横截面图。
[0019]图7是根据本公开的各种实施例的形成图案化剥离掩模及沉积第二金属层、铝层及金属粘合层之后的示范性处理中发光二极管的垂直横截面图。
[0020]图8是根据本公开的各种实施例的剥离图案化剥离掩模及在高温下沉积第一金属接合垫层、铂层及锡以形成装置侧锡焊料之后的示范性处理中发光二极管的垂直横截面图。
[0021]图9是根据本公开的替代实施例的第二金属层、铝层及金属粘合层的沉积之后的另一示范性处理中发光二极管的垂直横截面图。
[0022]图10A是根据本公开的各种实施例的背板侧接合垫的形成期间背板的垂直横截面图。
[0023]图10B是根据本公开的各种实施例的在沉积锡以形成背板侧锡焊料之后的背板的垂直横截面图。
[0024]图10C是根据本公开的各种实施例的背板的俯视图。
[0025]图11A到11C是根据本公开的各种实施例的半导体晶片的俯视图。
[0026]图12是根据本公开的各种实施例的半导体晶片及试样块的俯视图。
[0027]图13A到13I是根据本公开的各种实施例的将发光装置转移到背板期间示范性结构的连续垂直横截面图。
[0028]图14A及14B是根据本公开的各种实施例的显示器装置的截面图。
具体实施方式
[0029]后文参考其中展示本专利技术的示范性实施例的附图更全面描述本专利技术。然而，本专利技术可以许多不同形式具体实施且不应解释成限于本文所陈述的示范性实施例。而是，提供这些示范性实施例使得本公开是详尽的且将本专利技术的范围充分传达给所属领域的技术人员。在所述图式中，为使清楚，可放大层及区域的大小及相对大小。在所述图式中，相同元件符号标示相同元件。
[0030]应理解，当一元件或层被称为是“安置于在
……
上”、“连接到”另一元件或层时，其可直接在其它元件或层上或直接连接到其它元件或层，或可存在中介元件或层。相比之下，当一元件被称为“直接安置于另一元件或层上”或“直接连接到另一元件或层”时，不存在中介元件或层。应理解，出于本公开的目的，“X、Y及Z中的至少一者”可解释为仅X、仅Y、仅Z或X、Y及Z中的两项或更多项的任何组合(例如XYZ、XYY、YZ、ZZ)。本文中，术语“约”及“基本上”可指+/
‑
5％的变动，例如+/
‑
1％。
[0031]显示器装置(例如直视型显示器装置)可从接合到背板的有序像素阵列形成。每一像素可包含以相应峰值波长发射光的一组次像素。例如，像素可包含红色次像素、绿色次像
素及蓝色次像素。每一次像素可包含发射特定波长的光的一或多个发光二极管(LED)。每一像素由背板电路驱动使得色域内的色彩的任何组合可展示于每一像素的显示器上。显示器面板可由其中LED次像素焊接到或以其它方式电附接到位于背板上的接合垫的工艺来形成。接合垫由背板电路及其它驱动电子器件电驱动。
[0032]图1A、1B、2A、2B、3A、3B、4A、4B及4C说明本公开的发光二极管10的各种配置。本公开的发光装置的各种配置通常可由提供支撑衬底22及单晶缓冲半导体层24来形成。支撑衬底22可包含单晶材料，例如使用基面或r面生长表面的Al2O3(蓝宝石)、钻石、Si、Ge、GaN、AlN、纤锌矿(α)及闪锌矿(β)形式的SiC、InN、GaP、GaAsP、GaAs、InP、ZnO、ZnS及ZnSe。例如，支撑衬底22可包含具有适合表面定向的蓝宝石(即，单晶氧化铝)。支撑衬底22可包括具有图案化(例如，粗糙)生长表面的图案化蓝宝石衬底(PSS)。凸块、凹窝及/或斜切可或可不提供于支撑衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种转移发光二极管(LED)的方法，其包括：提供经配置以发射第一色彩光且位于第一衬底上的第一LED，及经配置以发射不同于所述第一色彩光的第二色彩光且位于第二衬底上的第二LED；将所述第一LED的第一子集转移到第一背板上的接合结构的第一子集以在像素区域中形成第一次像素，且将所述第一LED的所述第一子集与所述第一衬底分离；将所述第二LED的第一子集转移到第二背板，且将所述第二LED的所述第一子集与所述第二衬底分离以在所述第二衬底上留下第一空位；在将所述第二LED的所述第一子集转移到所述第二背板之后，在位于所述第二衬底上的第二LED的第二子集上形成额外导电材料；将所述第二衬底定位于所述第一背板上方，使得所述第一次像素安置于所述第一空位中；及将所述第二LED的所述第二子集转移到所述第一背板上的接合结构的第二子集以在所述像素区域中形成第二次像素，同时间隙归因于所述额外导电材料的存在而存在于所述第一次像素与所述第二衬底之间。2.根据权利要求1所述的方法，其中：将所述第一LED的所述第一子集转移到接合结构的所述第一子集的步骤包括在所述LED的所述第一子集上形成第一焊料层，将所述第一焊料层接合到所述第一接合结构，且将所述第一LED的所述第一子集与所述第一衬底分离；及将所述第二LED的所述第二子集转移到接合结构的所述第二子集的步骤包括在所述第二LED的所述第二子集上形成第二焊料层，将所述第二焊料层接合到所述第二接合结构，且将所述第二LED的所述第二子集与所述第二衬底分离。3.根据权利要求2所述的方法，其中：将所述第一焊料层接合到所述第一接合结构包括第一激光接合步骤；将所述第一LED的所述第一子集与所述第一衬底分离包括发生于所述第一激光接合步骤之前或之后的第一激光剥离步骤；将所述第二焊料层接合到所述第二接合结构包括第二激光接合步骤；且将所述第二LED的所述第二子集与所述第二衬底分离包括发生于所述第二激光接合步骤之前或之后的第二激光剥离步骤。4.根据权利要求2所述的方法，其中：所述第一LED的所述第一子集上的所述第一焊料层包括第一转移结构；所述第二LED的所述第二子集上的所述第二焊料层包括第二转移结构；所述第一转移结构从所述第一衬底延伸第一距离；且所述第二转移结构从所述第二衬底延伸大于所述第一距离的第二距离。5.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述额外导电材料包括形成比所述第一焊料层厚的所述第二焊料层。6.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述额外导电材料包括在第二LED的所述第二子集上形成比第一LED的所述第一子集上的第一反射层厚的第二反射层。7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：在将所述第二LED的所述第一子集转移到所述第二背板之前，在所述第二LED的所述第
一子集及所述第二子集上形成所述第二反射层的第一部分；及在将所述第二LED的所述第一子集转移到所述第二背板之后，在位于所述第二LED的所述第二子集上的所述第二反射层的所述第一部分上形成所述第二反射层的第二部分。8.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述额外导电材料包括形成比所述第一焊料层厚的所述第二焊料层且在第二LED的所述第二子集上形成比第一LED的所述第一子集上的第一反射层厚的第二反射层。9.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：提供经配置以发射不同于所述第一及第二色彩光的第三色彩光且位于第三衬底上的第三LED；将所述第三LED的第一子集及第二子集转移到额外背板且将所述第三LED的所述第一子集及所述第二子集与所述第三衬底分...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：纳诺西斯有限公司，
类型：发明
国别省市：