半导体结构及其形成方法技术

技术编号：37296985 阅读：13 留言：0更新日期：2023-04-21 22:43

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底、栅极结构、位于栅极结构两侧基底中的源漏掺杂区以及位于栅极结构侧部基底上的底部介质层；形成贯穿源漏掺杂区顶部的底部介质层的源漏互连层；在底部介质层上形成顶部介质层；形成贯穿栅极结构顶部的顶部介质层的栅极接触孔和贯穿源漏互连层顶部的顶部介质层的源漏接触孔；在栅极接触孔和源漏接触孔的侧壁形成牺牲侧壁层；形成填充栅极接触孔的栅极插塞以及填充源漏接触孔的源漏插塞；去除牺牲侧壁层形成第一间隙；形成密封第一间隙的密封层，使位于源漏插塞侧壁和位于栅极插塞侧壁的第一间隙中的至少一个与密封层围成第一空气隙。本发明专利技术实施例有利于降低栅极插塞与源漏插塞之间的寄生电容。插塞之间的寄生电容。插塞之间的寄生电容。插塞之间的寄生电容。