一种分子束外延设备磷源炉装料机制造技术

本发明专利技术提供一种分子束外延设备磷源炉装料机，涉及分子束外延生长技术领域。该装料机包括：分子束外延设备源炉、与坩埚相连的源炉法兰底座、立方体箱体、手伸入口、拱桥形箱体、卡扣；分子束外延设备源炉内装有与坩埚相连的源炉法兰底座且放置于立方体箱体内，立方体箱体一侧设置手伸入口，立方体箱体由两个拱桥形箱体组合而成，两个拱桥形箱体结合处分别为凹形与凸形界面，立方体箱体的材质为高分子材料，拱桥形箱体上设置卡扣。与现有技术相比，解决了分子束外延设备源炉填装磷材料时，因材料长期暴露于空气中导致其表面氧化，不利于生长出高质量的磷化铟薄膜；同时，也可避免填装磷材料时发生自燃的风险，提高了它的可靠性与安全性。全性。全性。

【技术实现步骤摘要】
一种分子束外延设备磷源炉装料机


[0001]本专利技术涉及分子束外延生长
，具体涉及一种分子束外延设备磷源炉装料机。

技术介绍

[0002]磷化铟(InP)是重要的III
‑
V族化合物半导体材料之一，广泛地应用于半导体外延生长
外延生长磷化铟薄膜所需的源材料
‑‑
磷，是一种燃点低，有毒，易氧化的材料。因此，对于该材料的填装，具有严格的要求。一方面，为了避免由于填装磷材料的时间过长，导致磷材料表面氧化，从而不利于外延生长出高质量的磷化铟薄膜；另一方面，填装磷材料时需要无氧的环境，可避免磷材料在填装过程中因为材料间碰撞而导致其燃烧的风险，也可避免工作人员吸入有毒气体，影响身体健康。面对这些问题，需要提出一种分子束外延设备磷源炉装料机来解决这些问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于，针对上述现有技术的不足，提供了一种分子束外延设备磷源炉装料机，以解决分子束外延设备源炉填装磷材料时，因填装磷材料时间过长导致磷材料表面氧化，不利于外延生长出高品质的磷化铟薄膜；同时也由于填装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分子束外延设备磷源炉装料机，其特征在于，包括分子束外延设备源炉、与坩埚相连的源炉法兰底座、立方体箱体、手伸入口、拱桥形箱体、卡扣；所述分子束外延设备源炉内装有所述与坩埚相连的源炉法兰底座，且放置于所述立方体箱体内，所述立方体箱体一侧设置所述手伸入口，所述立方体箱体由两个所述拱桥形箱体组合而成，两个所述拱桥形箱体结合处分别为凹形与凸形界面，所述立方体箱体的材质为高分子材料，所述拱桥形箱体设置所述卡扣。2.根据权利要求1所述的分子束外延设备磷源炉装料机，其特征在于，所述立方体箱体设置压力表、进气阀门；所述立方体箱体与所述压力表相连接，所述压力表与所述进气阀门相连接。3.根据权利要求1所述的分子束外延设备磷源炉装料机，其特征在于，所述立方体箱体设置排气阀门、干泵；所述立方体箱体与所述排气阀门相连接，所述排气阀门与所述干泵相连接。4.根据权利要求1所述的分子束外延设备磷源炉装料机，其特征在于，所述立方体箱体内设置氧传感器；所述氧传感器固定于所述立方体箱体顶部。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏杰，冯巍，杜全钢，姜炜，
申请(专利权)人：新磊半导体科技苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：