制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，该方法可以有利于刻蚀支撑件和去除模塑层的工艺。根据本发明专利技术，一种制造半导体器件的方法包括：依次在衬底之上形成子结构和在子结构之上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层之上形成交替堆叠的模塑层和支撑件层的堆叠结构；在暴露刻蚀停止层的堆叠结构中形成多个支撑件孔；形成填充多个支撑件孔中的每一个的牺牲层；通过刻蚀牺牲层和堆叠结构形成暴露子结构的多个下电极开口；以及在多个下电极开口内部形成下电极。极。极。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年10月13日提交的韩国申请第10
‑
2021
‑
0135757号的优先权，其通过引用整体并入本文中。


[0003]本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，更具体地，涉及一种制造包括电容器的半导体器件的方法。

技术介绍

[0004]随着半导体器件高集成度趋势的加剧，为了在有限的平面区域内增加电容器的电容，所以增加了电容器的高度。然而，随着电容器的高度增加，DRAM器件的可靠性可能会变差。例如，电容器可能会发生弯曲或倾斜，从而可能使DRAM器件的可靠性变差。

技术实现思路

[0005]本专利技术的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，该方法能够有利于支撑件刻蚀工艺和模塑层去除工艺。
[0006]根据本专利技术的实施例，一种制造半导体器件的方法包括：依次在衬底之上形成子结构和在所述子结构之上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层之上形成交替堆叠的模塑层和支撑件层的堆叠结构；在堆叠结构中形成暴露所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：依次在衬底之上形成子结构和在所述子结构之上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层之上形成交替堆叠的模塑层和支撑件层的堆叠结构；所述堆叠结构中形成在暴露所述刻蚀停止层的多个支撑件孔；形成填充所述多个支撑件孔中的每一个的牺牲层；通过刻蚀所述牺牲层和所述堆叠结构来形成暴露所述子结构的多个下电极开口；以及在所述多个下电极开口内部形成下电极。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个支撑件孔中的每一个的宽度大于所述多个下电极开口中的每一个的宽度。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个支撑件孔彼此间隔开。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个下电极开口彼此间隔开。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个下电极开口中的至少两个与所述多个支撑件孔中的每一个重叠。6.根据权利要求5所述的方法，其中，与所述多个支撑件孔中的每一个重叠的至少两个下电极开口被所述堆叠结构部分地包围。7.根据权利要求1所述的方法，其中，不与所述多个支撑件孔中的任何一个重叠的所述下电极开口被所述堆叠结构完全包围。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个支撑件孔中的每一个具有圆形或椭圆形形状。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个支撑件孔中的每一个具有多边形、条形和线形中的一种形状。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模塑层由具有与所述支撑件层不同的湿法刻蚀选择性的材料形成。11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层由具有与所述支撑件层不同的湿法刻蚀选择性的材料形成。12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模塑层由具有与所述牺牲层相似的湿...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋刚儒，金美奈，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：