温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种制造半导体器件的方法，该方法可以有利于刻蚀支撑件和去除模塑层的工艺。根据本发明，一种制造半导体器件的方法包括：依次在衬底之上形成子结构和在子结构之上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层之上形成交替堆叠的模塑层和支撑件层的堆叠结构；在暴...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。