布局紧凑的集成低噪声放大器制造技术

一种低噪声放大器，包含：一匹配网络，用来于一输入节点、一匹配节点与一源极节点之间提供三路耦合；一栅极电容，用来于该匹配节点与一栅极节点之间提供交流耦合；一迭接放大器，用来依据于该源极节点的源极衰减，于该栅极节点接收一栅极电压以及于一输出节点输出一输出电压；以及一负载网络，耦接该输出节点。该匹配网络包含一旁接电感、一串接电感与一源极衰减电感，该旁接电感与该串接电感于一布局里重叠以具有强烈的互耦，该源极衰减电感是布局于该旁接电感旁以具有强烈的互耦。该旁接电感旁以具有强烈的互耦。该旁接电感旁以具有强烈的互耦。

【技术实现步骤摘要】
布局紧凑的集成低噪声放大器


[0001]本公开大体而言涉及低噪声放大器，尤其涉及布局紧凑的集成低噪声放大器。

技术介绍

[0002]如图1所示，一传统的低噪声放大器(以下称为LNA)100接收一输入电压V
I
以及输出一输出电压V
O
，并包含：一阻抗匹配电感111；一交流(AC)耦合电容121；一迭接放大器130，其包含一第一N通道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管131、一第二NMOS晶体管132、一直流(DC)耦合电阻134以及一源极衰减电感133；以及一负载网络150包含并联连接的一负载电感151与一负载电容152。本公开中，“V
DD”表示一电源供应节点。第一NMOS晶体管131作为一共源极级(common
‑
source stage)，且源极衰减电感133是用来使得该共源极级的一输入阻抗具有一实部。DC耦合电阻134是用来将一第一偏压电压V
A
耦接至第一NMOS晶体管131的栅极，并为第一NMOS晶体管131建立一适当的偏压条件。AC耦合电容121是用来阻挡本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大器，包含：一匹配网络，用来于一输入节点、一匹配节点与一源极节点之间提供三路耦合；一栅极电容，用来于该匹配节点与一栅极节点之间提供交流耦合；一迭接放大器，用来依据于该源极节点的源极衰减，于该栅极节点接收一栅极电压以及于一输出节点输出一输出电压；以及一负载网络，耦接该输出节点，其中该匹配网络包含一旁接电感、一串接电感与一源极衰减电感，该旁接电感与该串接电感于一布局里重叠以具有强烈的互耦，该源极衰减电感是布局于该旁接电感旁以具有强烈的互耦。2.如权利要求1所述的低噪声放大器，其中该旁接电感与该串接电感是以一同心结构被布局。3.如权利要求2所述的低噪声放大器，其中该旁接电感与该串接电感均朝着同一向向外螺旋。4.如权利要求3所述的低噪声放大器，其中该源极衰减电感的一部分邻接且平行于该旁接电感的一最尾段的一部分。5.如权利要求1所述的低噪声放大器，其中该迭接放大器包含一共源极级以及一共栅极级；该共源极级包含一第一N通道金属氧化物半导体晶体管，该第一N通道金属氧化物半导体晶体管用来依据于该源极节点的源极衰减，于该栅极节点接收该栅极电压以及于一漏极节点输出一漏极电压；该共栅极级包含一第二N通道金属氧化物半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁宝文，陆永辉，林嘉亮，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：