LDMOS器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种LDMOS器件及其制备方法，其中器件包括：衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的第一侧墙；以及位于其中一侧的所述第一侧墙侧的第二侧墙。本申请通过在栅极结构右侧的第一侧墙侧引入第二侧墙，使得第一侧墙和第二侧墙构成双侧墙结构，完全兼容现有的CMOS工艺，使低压LDMOS器件更容易和CMOS器件整合，降低了制造成本，提高了LDMOS器件的可靠性。进一步的，本申请引入包含第一氮化硅层的第二侧墙，可以起到捕获电荷的作用，从而可以增加对栅氧的保护，减少了制程中PID对栅氧的损伤，使得器件的可靠性进一步得到提升。步得到提升。步得到提升。

【技术实现步骤摘要】
LDMOS器件及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种LDMOS器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]在智能功率集成电路设计中，开发者将许多高速的CMOS器件和低导通电阻的DMOS器件集成到一颗芯片中，特别是双扩散结构的LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)器件，目前已被广泛应用于生产制造中。
[0003]基于现有的0.18um/0.13um/90nm CMOS工艺平台，5V～9V LDMOS器件结构若具备低导通电阻、高可靠性等优点便可以应用于开关电源的单片DC
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DC变换器，但是目前的LDMOS器件却存在导通电阻较高、可靠性较差等缺点。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种LDMOS器件及其制备方法，可以解决目前的LDMOS器件却存在导通电阻较高、可靠性较差等缺点的问题。
[0005]一方面，本申请实施例提供了一种LDMOS器件，包括：
[0006]衬底；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底；栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底上；第一侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极结构两侧的所述衬底上；以及，第二侧墙，所述第二侧墙位于其中一侧的所述第一侧墙侧的衬底上。2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第二侧墙包括：第一氮化硅层和第一氧化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述第一侧墙以及所述第一侧墙侧的部分所述衬底表面，所述第一氧化硅层覆盖部分所述第一氮化硅层。3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一氮化硅层的厚度为4.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一氧化硅层在宽度上的尺寸为所述第一氧化硅层在高度上的尺寸为5.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一侧墙包括：第二氧化硅层、第二氮化硅层和第三氧化硅层，所述第二氧化硅层覆盖所述栅极结构的侧壁和部分所述衬底表面，所述第二氮化硅层覆盖所述第二氧化硅层，所述第三氧化硅层覆盖所述第二氮化硅层。6.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构；形成第一侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极结构两侧的所述衬底上；以及，形成第二侧墙，所述第二侧墙位于其中一侧的所述第一侧墙侧的衬底上。7.根据权利要求6所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述形成第二侧墙，所述第二侧墙位于其中一侧的所述第一侧墙侧的衬底上的步骤包括：形成第一氮化硅层...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱园园，陈天，肖莉，王黎，陈华伦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：