LDMOS器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种LDMOS器件及其制备方法，其中器件包括：衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的第一侧墙；以及位于其中一侧的所述第一侧墙侧的第二侧墙。本申请通过在栅极结构右侧的第一侧墙侧引入第二侧墙，使得第一侧墙和第二侧墙构成双侧墙结构，完全兼容现有的CMOS工艺，使低压LDMOS器件更容易和CMOS器件整合，降低了制造成本，提高了LDMOS器件的可靠性。进一步的，本申请引入包含第一氮化硅层的第二侧墙，可以起到捕获电荷的作用，从而可以增加对栅氧的保护，减少了制程中PID对栅氧的损伤，使得器件的可靠性进一步得到提升。步得到提升。步得到提升。

【技术实现步骤摘要】
LDMOS器件及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种LDMOS器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]在智能功率集成电路设计中，开发者将许多高速的CMOS器件和低导通电阻的DMOS器件集成到一颗芯片中，特别是双扩散结构的LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)器件，目前已被广泛应用于生产制造中。
[0003]基于现有的0.18um/0.13um/90nm CMOS工艺平台，5V～9V LDMOS器件结构若具备低导通电阻、高可靠性等优点便可以应用于开关电源的单片DC
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DC变换器，但是目前的LDMOS器件却存在导通电阻较高、可靠性较差等缺点。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种LDMOS器件及其制备方法，可以解决目前的LDMOS器件却存在导通电阻较高、可靠性较差等缺点的问题。
[0005]一方面，本申请实施例提供了一种LDMOS器件，包括：
[0006]衬底；
[0007]栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底上；
[0008]第一侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极结构两侧的所述衬底上；以及，
[0009]第二侧墙，所述第二侧墙位于其中一侧的所述第一侧墙侧的衬底上。
[0010]可选的，在所述LDMOS器件中，所述第二侧墙包括：第一氮化硅层和第一氧化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述第一侧墙以及所述第一侧墙侧的部分所述衬底表面，所述第一氧化硅层覆盖部分所述第一氮化硅层。
[0011]可选的，在所述LDMOS器件中，所述第一氮化硅层的厚度为
[0012]可选的，在所述LDMOS器件中，所述第一氧化硅层在宽度上的尺寸为所述第一氧化硅层在高度上的尺寸为
[0013]可选的，在所述LDMOS器件中，所述第一侧墙包括：第二氧化硅层、第二氮化硅层和第三氧化硅层，所述第二氧化硅层覆盖所述栅极结构的侧壁和部分所述衬底表面，所述第二氮化硅层覆盖所述第二氧化硅层，所述第三氧化硅层覆盖所述第二氮化硅层。
[0014]另一方面，本申请实施例还提供了一种LDMOS器件的制备方法，包括：
[0015]提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构；
[0016]形成第一侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极结构两侧的所述衬底上；以及，
[0017]形成第二侧墙，所述第二侧墙位于其中一侧的所述第一侧墙侧的衬底上。
[0018]可选的，在所述LDMOS器件的制备方法中，所述形成第二侧墙，所述第二侧墙位于其中一侧的所述第一侧墙侧的衬底上的步骤包括：
[0019]形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述栅极结构、所述第一侧墙和部分所述衬底表面；
[0020]形成第一氧化硅层，所述第一氧化硅层覆盖所述第一氮化硅层；
[0021]形成图案化的光刻胶层；
[0022]根据图案化的光刻胶层，去除所述栅极结构上、一侧所述第一侧墙上以及一侧所述第一侧墙侧的衬底上的所述第一氧化硅层和所述第一氮化硅层，保留另一侧所述第一侧墙上以及另一侧所述第一侧墙侧的衬底上的所述第一氧化硅层和所述第一氮化硅层；
[0023]去除另一侧所述第一侧墙上以及另一侧所述第一侧墙侧的衬底上的部分所述第一氧化硅层、部分所述第一氮化硅层以得到所述第二侧墙。
[0024]可选的，在所述LDMOS器件的制备方法中，所述第一氮化硅层的厚度为
[0025][0026]可选的，在所述LDMOS器件的制备方法中，所述第一氧化硅层在宽度上的尺寸为所述第一氧化硅层在高度上的尺寸为
[0027]可选的，在所述LDMOS器件的制备方法中，所述形成第一侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极结构两侧的所述衬底上的步骤包括：
[0028]形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层覆盖所述栅极结构和部分所述衬底表面；
[0029]形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述第二氧化硅层；
[0030]形成第三氧化硅层，所述第三氧化硅层覆盖所述第二氮化硅层；
[0031]去除所述栅极结构上以及远离所述栅极结构的部分所述衬底上的第三氧化硅层、第二氮化硅层和第二氧化硅层，保留靠近所述栅极结构侧壁的第三氧化硅层、第二氮化硅层和第二氧化硅层以得到所述第一侧墙。
[0032]本申请技术方案，至少包括如下优点：
[0033]本申请通过在栅极结构右侧的第一侧墙侧形成第二侧墙，使得第一侧墙和第二侧墙构成双侧墙结构，本申请提供的LDMOS器件的制备方法完全兼容现有的CMOS工艺，使低压LDMOS器件更易和CMOS器件整合，降低了制造成本，提高了LDMOS器件的可靠性。
[0034]进一步的，本申请引入包含第一氮化硅层的第二侧墙，可以起到捕获电荷的作用，从而可以增加对栅氧的保护，减少了制程中PID(Plasma Induced Damage，等离子体刻蚀损伤)对栅氧的损伤，使得器件的可靠性进一步得到提升。
附图说明
[0035]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0036]图1
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图7是本专利技术实施例的制备LDMOS器件的各工艺步骤中的半导体结构示意图；
[0037]其中，附图标记说明如下：
[0038]10
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衬底，20
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栅极结构，30
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第一侧墙，31
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第二氧化硅层，32
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第二氮化硅层，33
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第三氧化硅层，40
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第二侧墙，41
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第一氮化硅层，42
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第二氧化硅层。
具体实施方式
[0039]下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的
实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0040]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0041]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底；栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底上；第一侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极结构两侧的所述衬底上；以及，第二侧墙，所述第二侧墙位于其中一侧的所述第一侧墙侧的衬底上。2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第二侧墙包括：第一氮化硅层和第一氧化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述第一侧墙以及所述第一侧墙侧的部分所述衬底表面，所述第一氧化硅层覆盖部分所述第一氮化硅层。3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一氮化硅层的厚度为4.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一氧化硅层在宽度上的尺寸为所述第一氧化硅层在高度上的尺寸为5.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一侧墙包括：第二氧化硅层、第二氮化硅层和第三氧化硅层，所述第二氧化硅层覆盖所述栅极结构的侧壁和部分所述衬底表面，所述第二氮化硅层覆盖所述第二氧化硅层，所述第三氧化硅层覆盖所述第二氮化硅层。6.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构；形成第一侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极结构两侧的所述衬底上；以及，形成第二侧墙，所述第二侧墙位于其中一侧的所述第一侧墙侧的衬底上。7.根据权利要求6所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述形成第二侧墙，所述第二侧墙位于其中一侧的所述第一侧墙侧的衬底上的步骤包括：形成第一氮化硅层...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱园园，陈天，肖莉，王黎，陈华伦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：