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本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，其中器件包括：衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的第一侧墙；以及位于其中一侧的所述第一侧墙侧的第二侧墙。本申请通过在栅极结构右侧的第一侧墙侧引入第二侧墙，使得第一侧墙和第二侧墙构成...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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