元件搭载基板制造技术

一种搭载元件的元件搭载基板，其中，构成光致抗焊剂层（３２８）的材料使用作为母料的卡尔多型聚合物和规定的添加剂，可以抑制空穴和凹凸等发生的状态形成薄膜。因此，构成光致抗焊剂层（３２８）的材料可使用２５μｍ程度厚度的薄膜，作为光致抗焊剂层（３２８）的材料与通常使用的树脂材料的厚度３５μｍ程度比较，约为２／３的厚度。因此，可实现元件搭载基板（４００）的小型化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及元件搭载基板。
技术介绍
在手机、PDA、DVC、DSC等便携式电子设备的高功能化的加速发展中，为使这样的产品能够被市场接受，必须实现其小型轻量化，这样就要求有高集成的系统LSI。另一方面，对于这些电子设备还要求其便于使用、操作方便，对于用于设备中的LSI要求高功能化、高性能化。为此，伴随着LSI芯片的高集成化，其I/O数增大，但是封装自身的小型化的要求也很高，为兼顾二者，适合半导体部件的高密度基板安装的半导体封装件的开发正被强烈要求中。在该要求下，被称为CSP(Chip Size Package芯片尺寸封装)的封装技术正进行着各种开发。这样的封装件例如众所周知的BGA(Ball Grid Array球栅阵列封装)。BGA是指在封装用基板之上安装半导体芯片，对其进行树脂膜制，然后在反面以区域状形成焊球作为外部端子。在BGA中，由于安装区域以面形成，所以比较容易实现封装件的小型化。另外，由于在电路基板侧也没有对应狭小间隙的必要，也不需要高精度的安装技术，所以使用BGA即使当封装成本在多少偏高的情况下也可以减低整个的安装成本。图12是表示一般的BGA结构的示意图。BGA100具有在玻璃环氧基板106上介由粘接层108搭载LSI芯片102的结构。LSI芯片102利用密封树脂110被模制。LSI芯片102和玻璃环氧基板106利用金线104进行电连接。在玻璃环氧基板106的背面阵列状排列有焊球112。介由该焊球112，将BGA100安装在印刷配线基板上。在特开2002-94247号公报中记载有其他CSP的例子。该公报中公开有搭载高频LSI的系统内置封装件。该封装件在底部基板上形成多层配线结构，其上部形成以高频用LSI为主的半导体元件。多层配线结构形成层积内核基板、粘附绝缘树脂层的铜箔、抗焊剂层等的结构。应用于以上述公报记载的技术为代表的系统内置封装件中的抗焊剂层由于位于多层配线结构的最上层而要求高的可加工性。另外，抗焊剂层的表面由于直接搭载裸片等半导体元件，对吸湿特性和密合性也有高的要求。另外，抗焊剂层为实现作为埋设在其层内的配线图案的配线间绝缘膜的作用，要求降低寄生电容。另外，由于要求封装件的微细化，所以要求抗焊剂层的薄膜化。另外，应用于以上述公报记载的技术为代表的系统内置封装件的绝缘树脂层的线膨胀系数等有时不同。这样，有时半导体制造或使用时的热循环等使绝缘树脂层与其上下层的膨胀收缩程度不同。因此，有时绝缘树脂层和其上下层之间的密合性降低。另外，绝缘树脂层为实现作为埋设在其层内的配线图案的配线间绝缘膜的作用，要求降低寄生电容。另外，由于要求封装件的微细化，所以要求基材和绝缘树脂层的薄膜化另外，应用于上述公报记载的技术的系统内置封装件的抗焊剂层由于实现作为埋设在抗焊剂层内的配线图案的配线间绝缘膜的作用，在最上层形成的抗焊剂层的表面上直接搭载裸片等半导体元件，所以不仅对机械刚性、耐热性，还对寄生电容、吸湿特性和密合性也有高要求。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而研发的，其目的在于提供可靠性高并且小型化的元件搭载基板。另外，本专利技术的目的还在于提供可靠性高的元件搭载基板。本专利技术提供一种用于搭载元件的元件搭载基板，其具有基材、设于该基材上的绝缘膜以及设于该绝缘膜上的抗焊剂层，抗焊剂层含卡尔多型聚合物(カルト型ポリマ一)。根据本专利技术，由于其抗焊剂层含卡尔多型聚合物，所以可提高抗焊剂层的分辩度以及吸湿特性等各种性能。另外，可以使抗焊剂层薄膜化。因此可提供可靠性高并且小型化的元件搭载基板。另外，在抗焊剂层上可设置连接元件的配线。另外，抗焊剂层的玻璃化转变温度为大于或等于180℃并且小于或等于220℃，抗焊剂层的施加有频率1MHz的交流电场时的介质衰耗因数(誘電正接)可以是大于或等于0.001并且小于或等于0.04。另外，抗焊剂层的小于或等于玻璃化转变温度的区域的线膨胀系数可以是大于或等于50ppm/℃并且小于或等于80ppm/℃。本专利技术提供一种半导体装置，其包括具有上述特征的元件搭载基板，搭载于该元件搭载基板上的半导体元件。根据本专利技术，由于具有可靠性高并且小型化的元件搭载基板，所以可以提供可靠性高并且小型化的半导体装置。另外，绝缘膜可以是单层绝缘膜，也可以是多层绝缘膜。另外，本专利技术中，元件搭载基板是指用于搭载LSI芯片或IC芯片等半导体元件的基板。例如，后述的ISB(注册商标)结构中的插入式基板等。另外，元件搭载基板可以设置硅基板等的具有刚性的内核基板，也可以不具有内核基板，而是由绝缘树脂膜构成的多层绝缘膜的无核结构。附图说明图1是用于说明ISB(注册商标)的结构的图；图2A是用于说明ISB(注册商标)的制作工序的图；图2B是用于说明BGA的制作工序的图；图3A和图3B是表示本专利技术的实施方式的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图4A、图4B以及图4C是表示本专利技术的实施方式的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图5A以及图5B是表示本专利技术的实施方式的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图6A、图6B以及图6C是表示本专利技术的实施方式的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图7A以及图7B是表示本专利技术的实施方式的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图8A、图8B以及8C是表示本专利技术的实施方式的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图9A以及图9B是表示本专利技术的实施方式的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图10A以及图10B是表示本专利技术的实施方式的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图11A、图11B、图11C以及图11D是用于说明本专利技术的实施方式的半导体装置的结构的剖面图；图12是表示现有的一般的BGA的结构的示意图；图13A以及图13B是用于说明本实施方式的实施例的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图14A、图14B以及图14C是用于说明本实施方式的实施例的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图15A以及图15B是用于说明本实施方式的实施例的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图16A、图16B以及图16C是用于说明本实施方式的实施例的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图17A以及图17B是用于说明本实施方式的实施例的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图18A、图18B以及图18C是用于说明本实施方式的实施例的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图19A以及图19B是用于说明本实施方式的实施例的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图20A以及图20B是用于说明本实施方式的实施例的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图21A、图21B、图21C以及图21D是用于说明本实施方式的实施例的半导体装置的结构的剖面图；图22A以及图22B是用于说明本实施方式的实施例的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图23A、图23B以及图23C是用于说明本实施方式的实施例的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图24A以及图24B是用于说明本实施方式的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图25A、图25B以及图25C是用于说明本实施方式的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图26A以及图26B是用于说明本实施方式的元件搭载基板的制造顺序的工序剖面图；图27A、图27B以及图27C是用于说明本实施方式的元件搭载基板的制造顺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种元件搭载基板，其用于搭载元件，其特征在于，含有：基材；设于该基材上的绝缘膜；设于该绝缘膜上的抗焊剂层，所述抗焊剂层含有卡尔多型聚合物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：臼井良辅，中村岳史，児岛则章，渡辺裕之，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]