电容器内置基板制造技术

本发明专利技术提供一种能可靠地补偿电源电压的变动的电容器内置基板。在输入侧电极层（Ｓ１）和输出侧电极层（Ｓ２）之间间隔着层间绝缘层（１６、２３、２７）形成去耦电容器（８），并且通过在接地层（１７）和电源层（２５）之间设置电介质层（２４）而形成该去耦电容器（８）。通过使上述输出侧电极层（Ｓ２）构图而形成用于向半导体元件（３）提供电源的多个电源供给端子（２８），并且由电容器用导通孔（２６）将这些电源供给端子（２８）和电源层（２５）连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种内置了可靠补偿电源电压的变动的去耦电容器的电容器内置基板。
技术介绍
以前，当在印刷电路板等安装基板上安装IC、LSI、超大LSI、利用了它们的CPU等芯片化了的半导体元件时，作为安装基板已知使用在表面具有去耦电容器的电容器基板(例如，参照专利文献1)。该去耦电容器用于防止因电源电压的变动而导致的半导体元件的误动作。另外，还提出了如下的结构在安装基板和半导体元件之间配置内置了大电容的去耦电容器的插入式电容器内置基板(例如，参照专利文献2)。专利文献1日本 特开平6-318672号公报专利文献2日本 特开2001-358248号公报但是，近年来，一直在谋求各种零部件的高性能化，作为各种零部件的高性能化之一，一直在谋求在电容器内置基板上也能可靠地补偿电源电压的变动的高性能化。即，近年来，在半导体元件中总是在谋求小型化、高性能化，在谋求小型化、高性能化的基础上，还在谋求高密度化和高速化。随着这样的半导体元件的小型化和高性能化，工作频率进一步高频化，例如，GHz频带以上的高频区域被逐渐使用开来。但是，在现有的电容器内置基板上，去耦电容器由与厚度方向正交的水平方向的毫米单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器内置基板，被配置在安装基板和半导体元件之间，在输入侧电极层和输出侧电极层之间隔着层间绝缘层而形成有去耦电容器，该去耦电容器通过在由接地层和电源层构成的一对内部电极层之间设置电介质层而形成，其特征在于：用于向上述半导体元件提 供电源的多个电源供给端子，通过构图上述输出侧电极层而形成，这些电源供给端子通过用于层间连接的电容器用导通孔同上述电源层分别连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：辻义臣，
申请(专利权)人：阿尔卑斯电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]